DE60208328T2 - Fingerabdrucksensor - Google Patents

Fingerabdrucksensor Download PDF

Info

Publication number
DE60208328T2
DE60208328T2 DE60208328T DE60208328T DE60208328T2 DE 60208328 T2 DE60208328 T2 DE 60208328T2 DE 60208328 T DE60208328 T DE 60208328T DE 60208328 T DE60208328 T DE 60208328T DE 60208328 T2 DE60208328 T2 DE 60208328T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor chip
sealing resin
fingerprint sensor
fingerprint
sensor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE60208328T
Other languages
English (en)
Other versions
DE60208328D1 (de
Inventor
Akira Kawasaki-shi Okada
Hideharu Kawasaki-shi Sakoda
Michio Kawasaki-shi Hayakawa
Fumihiko Kawasaki-shi Taniguchi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Semiconductor Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Publication of DE60208328D1 publication Critical patent/DE60208328D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE60208328T2 publication Critical patent/DE60208328T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06VIMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V40/00Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
    • G06V40/10Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
    • G06V40/12Fingerprints or palmprints
    • G06V40/13Sensors therefor
    • G06V40/1306Sensors therefor non-optical, e.g. ultrasonic or capacitive sensing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • H01L2924/1815Shape

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • 1. Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft Fingerabdrucksensorvorrichtungen, und im besonderen eine Fingerabdrucksensorvorrichtung, bei der ein Fingerabdrucksensorelement, das auf einem Halbleiterelement gebildet ist, in einem Zustand verpackt ist, wenn das Fingerabdrucksensorelement auf der Oberfläche der Fingersensorvorrichtung exponiert ist.
  • Während sich die Übermittlung von elektronischen Informationen immer mehr ausbreitet, nimmt eine Nachfrage nach Ausführung der individuellen Erkennung in elektronischen Einrichtungen zu, um die Vertraulichkeit von persönlichen Informationen zu schützen. Obwohl verschiedene Techniken als Mittel zur persönlichen Identifizierung entwickelt und in der Praxis eingesetzt worden sind, hat davon eine Technik zum Unterscheiden von Fingerabdrücken die Aufmerksamkeit erregt.
  • 2. Beschreibung der verwandten Technik
  • Eine Fingerabdrucksensorvorrichtung ist eine Vorrichtung zum Erkennen eines Musters eines Fingerabdrucks eines menschlichen Fingers. Um eine kleine Fingerabdrucksensorvorrichtung zu entwickeln, ist ein Halbleiterchip für einen Fingerabdrucksensor entwickelt worden, worauf ein Fingerabdrucksensorteil gebildet ist. Im allgemeinen umfaßt der Fingerabdrucksensorteil einen Drucksensor oder einen Kapazitätssensor, und er verarbeitet Informationen von einem Sensorteil durch einen Halbleiterchip, um die Erkennung und Unterscheidung eines Fingerabdrucks vorzunehmen. Solch ein Halbleiterchip für einen Fingerabdrucksensor ist ähnlich wie reguläre Halbleiterchips in einem Abdichtungsharz eingekapselt und in elektronischen Einrichtungen als Fingerabdrucksensor-Halbleitervorrichtung inkorporiert.
  • 1 ist eine Querschnittsansicht, die einen Harzeinkapselungsprozeß bei einem Herstellungsprozeß einer herkömmlichen Fingerabdrucksensorvorrichtung zeigt (siehe z. B. EP0789334 A2 ). Ein Halbleiterelement 2 für Fingerabdrucksensoren hat einen Sensorteil 4 in einer Schaltungsbildungsoberfläche von sich, und Elektroden sind rings um den Sensorteil 4 angeordnet. Die Elektroden sind durch Golddrähte 6 oder dergleichen mit Elektrodenkissen 8a einer Schaltungsplatte 8 als Zwischenglied durch Drahtbonden verbunden. Der Halbleiterchip 2 und die Golddrähte 6 werden in Abdichtungsharz gepreßt, und so wird ein Abdichtungsharzteil 10 gebildet.
  • Der Sensorteil 4 ist ein Teil, mit dem ein Finger direkt in Kontakt kommt, um einen Fingerabdruck zu erkennen, und er muß von dem Abdichtungsharzteil 10 exponiert sein. Deshalb wird, wie in 1 gezeigt, wenn der Halbleiterchip 2 durch eine Preßform 12 geformt wird, ein Abstandshalter 14 zwischen der Preßform 12 und dem Sensorteil 4 vorgesehen, um den Abstandshalter 14 gegen den Sensorteil 4 zu pressen, so daß das Abdichtungsharz nicht die Oberfläche des Sensorteils 4 bedeckt.
  • Der Abstandshalter 14 wird aus einem Material wie beispielsweise Gummi oder Kunststoff gebildet, das in gewissem Maße elastisch ist, und durch die Preßform 12 gegen den Sensorteil 4 gepreßt. Dadurch wird verhindert, daß das Abdichtungsharz während des Formprozesses auf die Oberfläche des Sensorteils fließt.
  • Gemäß der Verfahrensweise zum Erzielen des exponierten Zustandes des Sensorteils 4 durch Dagegenpressen des Abstandshalters 14 während des Formprozesses kann der Sensorteil 4 beschädigt werden, wenn der Abstandshalter 14 gegen den Sensorteil 4 gepreßt wird, falls der Abstandshalter nicht in gewissem Maße elastisch ist. Falls der Sensorteil 4 jedoch elastisch ist, kann das Abdichtungsharz zwischen dem Sensorteil 4 und dem Abstandshalter 14 auf Grund eines Harzpreßdrucks eindringen.
  • 2 ist eine Querschnittsansicht der Fingerabdrucksensorvorrichtung, die geformt wird, in einem Zustand, wenn das Abdichtungsharz zwischen dem Sensorteil 4 und dem Abstandshalter 14 eindringt. Eine Öffnung 10a des Abdichtungsharzteils 10 ist in einem Teil gebildet, auf dem der Abstandshalter 14 während des Formprozesses angeordnet war, und der Sensorteil 4 ist innerhalb der Öffnung 10a exponiert.
  • Jedoch wirkt das Abdichtungsharz, wie in 2 gezeigt, das zwischen dem Sensorteil 4 und dem Abstandshalter 14 eingedrungen ist, als Formgrat 16 und haftet an der Oberfläche des Sensorteils 4. Aus diesem Grund ist ein Teil der Oberfläche des Sensorteils 4 mit dem Formgrat 16 bedeckt, und solch ein Teil kann die Funktion als Sensorteil verlieren. Das heißt, der Bereich des Teils, der die Funktionen als Sensorteil 4 vorsieht, kann sich verkleinern.
  • Falls der Fingerabdrucksensor ein sogenannter Bereichstyp ist, worin der Sensorteil 4 einen relativ großen Bereich einnimmt, kann der verbleibende unbedeckte Teil die Funktion als Sensorteil wahren, da ein Anteil des mit dem Formgrat bedeckten Teils klein ist. Jedoch beträgt im Falle eines Fingerabdrucksensors des sogenannten Überstreichtyps (wie er z. B. aus US 6289114 B1 bekannt ist), der einen Fingerabdruck dadurch liest, daß ein Finger über einen Sensorteil hinwegfährt, eine Breite H des Sensorteils 4 nur 1 mm. Im allgemeinen beträgt die Länge L von einem Formgrat 0,3 mm – 0,5 mm, und ein großer Teil des Sensorteils 4 kann mit dem Formgrat bedeckt sein, wodurch ein Versagen der Funktion des Sensorteils herbeigeführt wird.
  • Zusätzlich ist im Falle eines Fingerabdrucksensors des Überstreichtyps, wenn eine Höhe des Harzes hoch ist, das den exponierten Teil des Sensorteils 4 umgibt, auch das Problem vorhanden, daß eine Operation zum Darüberhinwegfahren (Überstreichen) mit einem Finger schwierig wird, während der Finger den Sensorteil kontaktiert.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Eine allgemeine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist das Vorsehen einer verbesserten und brauchbaren Fingerabdrucksensorvorrichtung, bei der die obenerwähnten Probleme eliminiert sind.
  • Ein spezifischeres Ziel der vorliegenden Erfindung ist das Vorsehen einer Fingerabdrucksensorvorrichtung, die eine normale Fingerabdrucksensorfunktion auch dann bieten kann, wenn sich ein Formgrat oder Überfluß bildet.
  • Ein anderes Ziel der vorliegenden Erfindung ist das Vorsehen eines Fingerabdrucksensors des Überstreichtyps, bei dem eine einfache Fingerbewegung möglich ist, indem ein Harzteil verkleinert wird, der einen Sensorteil umgibt.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung ist eine Fingerabdrucksensorvorrichtung zum Erkennen eines Musters eines Fingerabdrucks vorgesehen, indem sie mit einem Finger kontaktiert wird, mit: einem Halbleiterchip, der eine Oberfläche hat, worauf ein Sensorteil gebildet ist; und einem Abdichtungsharzteil, der den Halbleiterchip einkapselt, worin der Sensorteil und ein Teil einer Oberfläche des Halbleiterchips in einem Boden einer Öffnung, die in dem Abdichtungsharzteil gebildet ist, exponiert sind und ein Abschnitt des Abdichtungsharzteils, der die Öffnung bildet, in einer Richtung, in der der Finger bewegt wird, eine flache Oberfläche innerhalb derselben Ebene ist, in der eine exponierte Oberfläche des Halbleiterchips liegt.
  • Gemäß der obenerwähnten Erfindung ist dann, wenn ein Finger längs des Sensorteils bewegt (gescant) wird, während der Finger den Sensorteil kontaktiert, kein Abdichtungsharzteil vorhanden, der ein Hindernis bezüglich der Bewegung des Fingers sein könnte. Somit kann eine Fingerabdruckerkennungsoperation reibungslos ausgeführt werden und kann eine akkurate Erkennung beibehalten werden.
  • In der obigen Fingerabdrucksensorvorrichtung kann ein Vorsprung als Teil des Abdichtungsharzteils gebildet sein, welcher Vorsprung sich rittlings auf einer Grenze und längs derselben zwischen der exponierten Oberfläche des Halbleiterchips und der flachen Oberfläche des Abdichtungsharzteils erstreckt. Da der Rand des Halbleiterchips mit dem Vorsprung des Abdichtungsharzteils bedeckt ist, wird somit der Rand des Halbleiterchips geschützt, der leicht abbrechen oder zerspringen kann.
  • Zusätzlich ist gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung eine Fingerabdrucksensorvorrichtung zum Erkennen eines Musters eines Fingerabdrucks vorgesehen, indem sie mit einem Finger kontaktiert wird, mit: einem Halbleiterchip, der eine Oberfläche hat, worauf ein Sensorteil gebildet ist; und einem Abdichtungsharzteil, der den Halbleiterchip einkapselt, wobei der Sensorteil und ein Teil einer Oberfläche des Halbleiterchips in einem Boden einer Öffnung, die in dem Abdichtungsharzteil gebildet ist, exponiert sind und ein Abschnitt des Abdichtungsharzteils, der die Öffnung bildet, in einer Richtung, in der sich der Finger bewegt, niedriger als andere Abschnitte des Abdichtungsharzteils, aber höher als eine exponierte Oberfläche des Halbleiterchips ist.
  • Gemäß der obigen Erfindung ist der Abschnitt des Abdichtungsharzteils in der Bewegungsrichtung des Fingers niedriger als andere Abschnitte gebildet. Somit kann, wenn der Finger längs des Sensorteils bewegt (gescant) wird, während der Finger den Sensorteil kontaktiert, eine Fingerabdruckerkennungsoperation reibungslos ausgeführt werden und kann eine akkurate Erkennung beibehalten werden.
  • Andere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung gehen aus der folgenden eingehenden Beschreibung in Verbindung mit den beiliegenden Zeichnungen deutlicher hervor.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist eine Querschnittsansicht, die einen Harzeinkapselungsprozeß bei einem Herstellungsprozeß einer herkömmlichen Fingerabdrucksensorvorrichtung zeigt;
  • 2 ist eine Querschnittsansicht einer Fingerabdrucksensorvorrichtung, die geformt wird, in einem Zustand, wenn Abdichtungsharz zwischen einem Sensorteil und einem Abstandshalter eindringt;
  • 3 ist eine Querschnittsansicht einer ersten Fingerabdrucksensorvorrichtung;
  • 4 ist eine Querschnittsansicht, die einen Prozeß der Harzformung eines Halbleiterchips bei einem Herstellungsprozeß der in 3 gezeigten Fingerabdrucksensorvorrichtung zeigt;
  • 5 ist eine Querschnittsansicht einer zweiten Fingerabdrucksensorvorrichtung;
  • 6 ist eine Querschnittsansicht, die einen Prozeß der Harzformung eines Halbleiterchips bei einem Herstellungsprozeß der in 5 gezeigten Fingerabdrucksensorvorrichtung zeigt;
  • 7 ist eine Querschnittsansicht zum Erläutern einer Fingerabdrucksensorvorrichtung des Überstreichtyps;
  • 8 ist eine Querschnittsansicht einer Fingerabdrucksensorvorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 9 ist eine Querschnittsansicht, die einen Prozeß der Harzformung eines Halbleiterchips bei einem Herstellungsprozeß der in 8 gezeigten Fingerabdrucksensorvorrichtung zeigt;
  • 10 ist eine Querschnittsansicht, die eine Variante der Fingerabdrucksensorvorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform zeigt;
  • 11 ist eine Querschnittsansicht, die einen Prozeß der Harzformung eines Halbleiterchips bei einem Herstellungsprozeß der in 10 gezeigten Fingerabdrucksensorvorrichtung zeigt;
  • 12 ist eine Querschnittsansicht einer Fingerabdrucksensorvorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 13 ist eine Querschnittsansicht, die einen Vorbereitungsprozeß vor dem Ausführen der Harzformung eines Halbleiterchips bei einem Herstellungsprozeß der in 12 gezeigten Fingerabdrucksensorvorrichtung zeigt;
  • 14 ist eine Querschnittsansicht, die einen Prozeß der Harzformung eines Halbleiterchips bei dem Herstellungsprozeß der in 12 gezeigten Fingerabdrucksensorvorrichtung zeigt;
  • 15 ist eine Querschnittsansicht, die einen Prozeß zum Bilden eines lichtempfindlichen Harzfilms vor der Harzformung eines Halbleiterchips bei einem Herstellungsprozeß der Fingerabdrucksensorvorrichtung von 12 zeigt;
  • 16 ist eine Querschnittsansicht, die einen Prozeß der Harzformung eines Halbleiterchips bei einem Herstel lungsprozeß der in 12 gezeigten Fingerabdrucksensorvorrichtung zeigt; und
  • 17 ist eine Querschnittsansicht, die einen Prozeß zum Exponieren nach der Harzformung bei dem Herstellungsprozeß der in 12 gezeigten Fingerabdrucksensorvorrichtung zeigt.
  • EINGEHENDE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Die 3 bis 7 zeigen Fingerabdrucksensorvorrichtungen, die zwar die vorliegende Erfindung nicht verkörpern, aber hier unten beschrieben werden sollen, um das Verständnis der vorliegenden Erfindung zu unterstützen. 3 ist eine Querschnittsansicht einer ersten Fingerabdrucksensorvorrichtung. In 3 sind Teile, die dieselben wie die in 2 gezeigten Teile sind, mit denselben Bezugszeichen versehen, und Beschreibungen derselben werden weggelassen.
  • Die erste Fingerabdrucksensorvorrichtung unterscheidet sich von dem Fingerabdrucksensor, der in 2 gezeigt ist, darin, daß eine Öffnung 18 vorhanden ist, die größer als die Öffnung 10a ist, die auf der oberen Fläche des Harzabdichtungsteils 10 der in 2 gezeigten Fingerabdrucksensorvorrichtung gebildet ist.
  • Die Basisstruktur der in 3 gezeigten Fingerabdrucksensorvorrichtung ist dieselbe wie die Struktur des in 2 gezeigten Fingerabdrucksensors, und der Halbleiterchip 2, der durch ein Chipbondmaterial 22 auf einer Schaltungsplatte befestigt ist, wird in Abdichtungsharz gepreßt. Die Öffnung 18 ist in dem Abdichtungsharzteil 10 gebildet, und der Sensorteil 4 des Halbleiterchips 2 ist im Boden der Öffnung 18 exponiert.
  • 4 ist eine Querschnittsansicht, die einen Prozeß zum Einkapseln des Halbleiterchips 2 durch das Abdichtungsharz bei einem Herstellungsprozeß der in 3 gezeigten Fingerabdrucksensorvorrichtung zeigt. Die Öffnung 18 des Abdichtungsharzteils 10 wird gebildet, indem ein Abstandshalter 20 im Inneren einer Preßform angeordnet wird. Die erste Fingerabdrucksensorvorrichtung hat eine flache Konfiguration von 4,5 mm×14 mm, und der Halbleiterchip 2 hat eine flache Konfiguration von 3 mm×13 mm. Der Sensorteil 4 ist in einem länglichen Bereich gebildet, der eine Breite von etwa 1 mm hat. Der in 3 und 4 gezeigte Sensorteil ist im Querschnitt in der Richtung der Breite des Sensorteils 4 dargestellt.
  • Der Abstandshalter 20 wird, wie in 4 gezeigt, wenn der Halbleiterchip 2 in Harz gepreßt wird, an der Preßform 12 so befestigt, daß der Abstandshalter 20 zwischen der Preßform 12 und dem Sensorteil 4 positioniert ist. Ein Teil, in den das Abdichtungsharz auf Grund des Abstandshalters 20 nicht fließt, entspricht der Öffnung 18. Das heißt, der Abdichtungsharzteil wird aus der Preßform 12 entfernt; die Öffnung ist an der Position gebildet, wo der Abstandshalter 20 vorhanden war; und der Sensorteil 4 ist im Boden der Öffnung 18 exponiert.
  • Der Abstandshalter 20 wird aus einem Material gebildet, das Elastizität besitzt, wie beispielsweise aus einem wärmebeständigen Kunststoff wie Polyimidharz oder einem wärmebeständigen Gummi wie Silikongummi, und wird an einem vorbestimmten Teil der Preßform 12 befestigt. Die Tiefe der Öffnung 18 des Abdichtungsharzteils 10 beträgt ungefähr 0,2 mm, und die Dicke des Abstandshalters 20 wird auf einen Wert von etwas mehr als 0,2 mm in Anbetracht der Komprimierbarkeit festgelegt.
  • Hierbei beträgt die Breite des Abstandshalters 20 (eine Dimension des Sensorteils in Richtung der Breite) ungefähr das 2fache derer des Sensorteils 4. Deshalb wird ein Um fangsteil des Sensorteils 4 auf beiden Seiten des Sensorteils 4 in der Richtung der Breite des Sensorteils 4 exponiert. Genauer gesagt, die Dimension des Abstandshalters 20 in der Richtung der Breite wird so festgelegt, daß ein Abstand S zwischen einem Ende des Sensorteils 4 in der Richtung der Breite und einem Ende des Abstandshalters 20 0,3 mm bis 1,0 mm beträgt, wie in 4 gezeigt.
  • Auch in dem Fall, wenn die Öffnung 18 mit dem Abstandshalter 20 mit der oben angegebenen Dimension gebildet wird, besteht die Möglichkeit, daß sich ein Formgrat bildet, wie in 2 gezeigt. Da jedoch die Länge des Formgrats ungefähr 0,3 mm – 0,5 mm ab dem Ende des Abstandshalters beträgt, wie oben erwähnt, erreicht der Formgrat auch dann nicht den Sensorteil 4, wenn der Formgrat so wie in 3 gebildet wird. Deshalb wird verhindert, daß der Sensorteil 4 die Funktion als Sensorteil auf Grund des Formgrats 16 verliert, der den Sensorteil 4 bedeckt.
  • Da die Breite des Halbleiterchips ungefähr 4 mm beträgt, wird es unmöglich, falls die obige Dimension S 1 mm überschreitet, die Harzeinkapselung der Elektroden des Halbleiterchips 2 vorzunehmen, die auf derselben Oberfläche wie der Sensorteil 4 gebildet sind. Es ist vorzuziehen, die obengenannte Distanz S auf der Basis der obigen Einschränkungen hinsichtlich der Dimensionen auf 0,3 mm – 1,0 mm festzulegen. Ein Anfangspunkt der Distanz S wird hierbei als Position entsprechend dem Ende des Abstandshalters 20 bestimmt, das heißt, entsprechend dem Ende des Bodens der Öffnung 18, wenn sich kein Formgrat bildet.
  • 5 ist eine Querschnittsansicht einer zweiten Fingerabdrucksensorvorrichtung. 6 ist eine Querschnittsansicht, die einen Harzformprozeß des Halbleiterchips 2 bei einem Herstellungsprozeß der in 5 gezeigten Fingerabdrucksensorvorrichtung zeigt.
  • Die zweite Fingerabdrucksensorvorrichtung hat dieselbe Struktur wie die erste Fingerabdrucksensorvorrichtung, die in 3 gezeigt ist, außer der Konfiguration der Öffnung, die in dem Harzabdichtungsteil gebildet ist. Im vorliegenden Fall hat die Konfiguration der Öffnung eine Stufe in ihrem Boden, wie in 5 gezeigt, so daß ein Stufenteil 18A mit einer Höhe von 70 Mikrometer bis 150 Mikrometer rings um die exponierte Fläche des Sensorteils 4 gebildet wird.
  • Um den Stufenteil 18A zu bilden, wird der Abstandshalter 20A zweistufig konfiguriert, wie in 6 gezeigt. Das heißt, die Fläche der oberen Stufe des Abstandshalters 20A kontaktiert den Sensorteil 4 und wird angepreßt, und die Fläche rings um die obere Stufe liegt 70 μm – 150 μm unter der Fläche der oberen Stufe. Wenn die Harzformung unter Verwendung des so gebildeten Abstandshalters 20A ausgeführt wird, fließt das Abdichtungsharz in einen Lückenraum G von 70 μm bis 150 μm, der zwischen der Fläche der unteren Stufe und der Fläche des Halbleiterchips 2 gebildet wird, wodurch der in 5 gezeigte Stufenteil 18A entsteht.
  • Hierbei wird, wenn das Abdichtungsharz in die Lücke G fließt, ein Druck des in die Lücke G fließenden Harzes schnell kleiner, da die Lücke G klein ist. Wenn das Abdichtungsharz den tiefsten Teil der Lücke erreicht, d. h., in der Nähe des Endes des Sensorteils 4, wird somit der Druck des Abdichtungsharzes sehr klein, und daher kann das Abdichtungsharz nicht zwischen den Abstandshalter 20A und den Sensorteil 4 eindringen. Deshalb kann verhindert werden, daß ein Formgrat durch das Abdichtungsharz gebildet wird, das zwischen den Abstandshalter 20A und den Sensorteil 4 gelangt.
  • Falls die Breite der Lücke G, das heißt, die Höhe des Stufenteils 18A von dem Sensorteil 4 zu klein ist, kann das Abdichtungsharz nicht in die Lücke G fließen. Falls anderer seits die Höhe des Stufenteils zu groß ist, ist ein Druckverlust klein, und das Abdichtungsharz behält einen Druck bei, der ausreicht, um einen Formgrat zu bilden. Falls das Abdichtungsharz jenes ist, das normalerweise beim Transfer-Verfahren verwendet wird, und falls die Lücke G 70 μm bis 150 μm mißt, kann das Abdichtungsharz den tiefsten Teil der Lücke erreichen, während ein Druck des Abdichtungsharzes angemessen verringert wird. Ohne einen Formgrat im Boden der Öffnung 18 des Abdichtungsharzteils 10 zu bilden, kann deshalb die gesamte Oberfläche des Halbleiterchips 2 in dem Abdichtungsharz eingekapselt sein, während der Sensorteil 4 unbedeckt ist.
  • Nun folgt eine Beschreibung einer Fingerabdrucksensorvorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Die Fingerabdrucksensorvorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform bezieht sich besonders auf eine Fingerabdrucksensorvorrichtung des Überstreichtyps. Zuerst wird die Fingerabdrucksensorvorrichtung des Überstreichtyps unter Bezugnahme auf 7 erläutert.
  • Die Fingerabdrucksensorvorrichtung des Überstreichtyps ist ein Sensor, der ein Muster eines Fingerabdrucks erkennt, indem ein Finger, der einen Fingerabdruck hat, bewegt wird, während der Finger mit dem Sensorteil in Kontakt ist. Ein Kapazitätssensor kann als Sensorteil verwendet werden, und in solch einem Fall wird ein individuelles Fingerabdruckmuster dadurch erkannt, daß eine Operation bei einer Kapazitätsveränderung auf Grund einer Unebenheitsbewegung entsprechend dem Fingerabdruck beim Bewegen eines Fingers ausgeführt wird. Falls die Höhe H des Teils, der die Öffnung umgibt, worin der Sensorteil exponiert ist, groß ist, ist es deshalb schwierig, den Finger zu bewegen, während ein Finger den Sensorteil kontaktiert. Aus diesem Grund ist es vorzuziehen, wenn der umgebende Teil der Öffnung in der Bewe gungsrichtung des Fingers so niedrig wie möglich gehalten wird.
  • 8 ist eine Querschnittsansicht der Fingerabdrucksensorvorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 9 ist eine Querschnittsansicht, die einen Harzformprozeß des Halbleiterchips 2 bei einem Herstellungsprozeß der in 8 gezeigten Fingerabdrucksensorvorrichtung zeigt. In 8 und 9 sind Teile, die dieselben wie die in 5 und 6 gezeigten Teile sind, mit denselben Bezugszeichen versehen, und Beschreibungen derselben werden weggelassen.
  • Bei dem Fingerabdrucksensor des Überstreichtyps gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist der Halbleiterchip 2 in einem Zustand in dem Abdichtungsharz eingekapselt, wenn die Oberfläche des Halbleiterchips 2 auf einer stromabwärtigen Seite des Sensorteils in der Scanrichtung exponiert ist. Das heißt, der Halbleiterchip 2 ist in einem Zustand in dem Abdichtungsharz eingekapselt, wenn das Abdichtungsharz in einem umgebenden Teil der Öffnung 18B auf der stromabwärtigen Seite des Sensorteils 4 in der Scanrichtung entfernt ist. Es sei erwähnt, daß vorzugsweise ein Schutzfilm auf einem exponierten Teil der oberen Fläche des Halbleiterchips gebildet wird.
  • Die obige Öffnung 18B kann durch Anbringen eines Abstandshalters 24 an der Preßform 12 gebildet werden, wie in 9 gezeigt, so daß sich der Abstandshalter 24 auf der stromabwärtigen Seite des Sensorteils 4 in der Scanrichtung erstreckt. Der Abstandshalter 24 wird so konfiguriert und angeordnet, um die obere Fläche des Halbleiterchips 2, der zu verkapseln ist, zu bedecken und sich weiter auf die stromabwärtige Seite zu erstrecken. Deshalb kann, wenn ein Finger zur Fingerabdruckerkennung gescant wird, der Finger ohne jeden Widerstand sanft bewegt werden, wodurch die Genauigkeit der Fingerabdruckerkennung verbessert wird.
  • 10 ist eine Querschnittsansicht, die eine Variante der Fingerabdrucksensorvorrichtung gemäß der obigen ersten Ausführungsform zeigt. 11 ist eine Querschnittsansicht, die einen Prozeß der Harzformung des Halbleiterchips bei einem Herstellungsprozeß der in 10 gezeigten Fingerabdrucksensorvorrichtung zeigt.
  • Die Fingerabdrucksensorvorrichtung von 10 ist mit einem Vorsprung 26 versehen, der durch das Abdichtungsharz gebildet wird, um längs eines Grenzteils zwischen dem Halbleiterchip 10 und dem Abdichtungsharzteil 10 leicht hervorzustehen. Der Vorsprung 26 kann leicht gebildet werden, indem eine Kerbe in dem Abstandshalter 24 vorgesehen wird, welche Kerbe so konfiguriert wird, um der Konfiguration des Vorsprungs 26 zu entsprechen, wie in 11 gezeigt. Der Vorsprung 26 ist an einer Stelle vorgesehen, um den Rand des Halbleiterchips 2 zu bedecken, und dient dazu, das Abplatzen oder Beschädigen des Randes des Halbleiterchips 2 zu verhindern.
  • Unter Bezugnahme auf 12 folgt nun eine Beschreibung einer Fingerabdrucksensorvorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 12 ist eine Querschnittsansicht der Fingerabdrucksensorvorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 13 ist eine Querschnittsansicht, die einen Vorbereitungsprozeß vor dem Ausführen der Harzformung eines Halbleiterchips bei einem Herstellungsprozeß der in 12 gezeigten Fingerabdrucksensorvorrichtung zeigt. 14 ist eine Querschnittsansicht, die einen Prozeß der Harzformung eines Halbleiterchips bei einem Herstellungsprozeß der Fingerabdrucksensorvorrichtung von 12 zeigt.
  • Die Fingerabdrucksensorvorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung hat eine Struktur, bei der ein Abschnitt der Fläche des Halbleiterchips 2 ähnlich wie bei der in 8 gezeigten Fingerabdrucksensorvorrichtung exponiert ist, so daß der Sensorteil 4 durch einen Finger leicht gescant werden kann. Jedoch ist bei der vorliegenden Ausführungsform zum Schutz des Randes des Halbleiterchips 2 der Abdichtungsharzteil 10 etwas höher als die exponierte Fläche des Halbleiterchips 2 gebildet.
  • Damit die Fläche des Abdichtungsharzteils 10 etwas höher als die Fläche des Halbleiterchips 2 wird, wie in 13 gezeigt, wird zuerst ein Schutzband 30 auf der oberen Fläche des Halbleiterchips 2 vor dem Ausführen der Harzformung angebracht. Das Schutzband 30 ist vorzugsweise aus einem Material, das dasselbe wie jenes des obigen Abstandshalters ist. Dann erfolgt das Harzformen, wie in 14 gezeigt, in einem Zustand, wenn das Schutzband 30 über dem Sensorteil 4 und einem Teil der Fläche des Halbleiterchips 2, der zu exponieren ist, angebracht ist. Nach dem Formen wird der Schutzfilm 30 durch Abschälen entfernt, und die in 12 gezeigte Fingerabdrucksensorvorrichtung ist vollendet. Deshalb wird ein Höhenunterschied entsprechend der Dicke des Schutzbandes 30 zwischen der oberen Fläche des Abdichtungsharzteils 10 und der oberen Fläche des Halbleiterchips 2 erzeugt. Dadurch kann der Rand des Halbleiterchips 2 geschützt werden.
  • Alternativ kann ein lichtempfindliches Harz über dem Sensorteil 4 und der oberen Fläche des Halbleiterchips 2 anstelle des Schutzbandes 30 aufgetragen werden. Das heißt, ein lichtempfindlicher Harzfilm 32 wird, wie in 15 gezeigt, auf dem Sensorteil 4 und dem Teil der Oberfläche des Halbleiterchips 2, der zu exponieren ist, gebildet. Der lichtempfindliche Harzfilm 32 kann unter Verwendung einer Technik zum Mustern und Ätzen eines Resists gebildet werden, die bei einem herkömmlichen Herstellungsverfahren von Halbleiterchips zum Einsatz kommt.
  • Dann erfolgt, wie in 16 gezeigt, die Harzformung in einem Zustand, wenn der lichtempfindliche Harzfilm 32 über dem Sensorteil und dem zu exponierenden Teil der Oberfläche des Halbleiterchips 2 gebildet ist. Nach dem Formen wird der lichtempfindliche Harzfilm 32 durch Belichten und Abwaschen entfernt, wie in 17 gezeigt, und die in 12 gezeigte Fingerabdrucksensorvorrichtung ist vollendet. Deshalb wird ein Höhenunterschied entsprechend der Dicke des lichtempfindlichen Harzfilms 32 zwischen der oberen Fläche des Harzabdichtungsteils 10 und der oberen Fläche des Halbleiterchips 2 erzeugt. Dadurch kann der Rand des Halbleiterchips 2 geschützt werden.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die speziell offenbarten Ausführungsformen begrenzt, und Veränderungen und Abwandlungen können vorgenommen werden, ohne vom Umfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen.

Claims (3)

  1. Fingerabdrucksensorvorrichtung zum Erkennen eines Musters eines Fingerabdrucks, indem sie mit einem Finger kontaktiert wird, mit: einem Halbleiterchip (2), der eine Oberfläche hat, worauf ein Sensorteil (4) gebildet ist; und einem Abdichtungsharzteil (10), der den Halbleiterchip (2) einkapselt, dadurch gekennzeichnet, daß der Sensorteil (4) und ein Teil einer Oberfläche des Halbleiterchips (2) in einem Boden einer Öffnung, die in dem Abdichtungsharzteil (10) gebildet ist, exponiert sind und ein Abschnitt des Abdichtungsharzteils (10), der die Öffnung bildet, in einer Richtung, in der sich der Finger zu bewegen hat, eine flache Oberfläche innerhalb derselben Ebene ist, in der eine exponierte Oberfläche des Halbleiterchips (2) liegt.
  2. Fingerabdrucksensorvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Vorsprung (26) als Teil des Abdichtungsharzteils (10) gebildet ist, welcher Vorsprung (26) sich rittlings auf einer Grenze und längs derselben zwischen der exponierten Oberfläche des Halbleiterchips (2) und der flachen Oberfläche des Abdichtungsharzteils (10) erstreckt.
  3. Fingerabdrucksensorvorrichtung zum Erkennen eines Musters eines Fingerabdrucks, indem sie mit einem Finger kontaktiert wird, mit: einem Halbleiterchip (2), der eine Oberfläche hat, worauf ein Sensorteil (4) gebildet ist; und einem Abdichtungsharzteil (10), der den Halbleiterchip (2) einkapselt, dadurch gekennzeichnet, daß der Sensorteil (4) und ein Teil einer Oberfläche des Halbleiterchips (2) in einem Boden einer Öffnung, die in dem Abdichtungsharzteil (10) gebildet ist, exponiert sind und ein Abschnitt des Abdichtungsharzteils (10), der die Öffnung bildet, in einer Richtung, in der sich der Finger zu bewegen hat, niedriger als andere Abschnitte des Abdichtungsharzteils (10), aber höher als eine exponierte Oberfläche des Halbleiterchips (2) ist.
DE60208328T 2002-02-20 2002-10-30 Fingerabdrucksensor Expired - Lifetime DE60208328T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002043708A JP3766034B2 (ja) 2002-02-20 2002-02-20 指紋センサ装置及びその製造方法
JP2002043708 2002-02-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE60208328D1 DE60208328D1 (de) 2006-02-02
DE60208328T2 true DE60208328T2 (de) 2006-07-20

Family

ID=27655269

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE60208328T Expired - Lifetime DE60208328T2 (de) 2002-02-20 2002-10-30 Fingerabdrucksensor

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7192798B2 (de)
EP (1) EP1339009B1 (de)
JP (1) JP3766034B2 (de)
KR (2) KR100833554B1 (de)
CN (1) CN1202566C (de)
DE (1) DE60208328T2 (de)
TW (1) TWI222034B (de)

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6653723B2 (en) * 2002-03-09 2003-11-25 Fujitsu Limited System for providing an open-cavity low profile encapsulated semiconductor package
FR2839570B1 (fr) * 2002-05-07 2004-09-17 Atmel Grenoble Sa Procede de fabrication de capteur d'empreinte digitale et capteur correspondant
JP3614840B2 (ja) * 2002-11-28 2005-01-26 沖電気工業株式会社 半導体装置
JP2006509371A (ja) * 2002-12-09 2006-03-16 アドバンスド インターコネクト テクノロジーズ リミテッド 露出された集積回路装置を有するパッケージ
JP4241457B2 (ja) * 2003-06-26 2009-03-18 富士ゼロックス株式会社 レンズ付き発光素子の製造方法
US20050136851A1 (en) 2003-12-19 2005-06-23 Fujitsu Limited Information processing unit
JP2005346271A (ja) * 2004-06-01 2005-12-15 Fujitsu Ltd 指紋センサーパッケージ
CN103559477B (zh) * 2004-11-03 2017-06-13 笔一公司 用于触针或钢笔的手指引导装置
JP4731191B2 (ja) * 2005-03-28 2011-07-20 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
WO2007047823A1 (en) * 2005-10-18 2007-04-26 Authentec, Inc. Finger sensing with enhanced mounting and associated methods
WO2007099594A1 (ja) * 2006-02-28 2007-09-07 Fujitsu Limited 指紋読み取りセンサユニット
TWI313501B (en) * 2006-03-22 2009-08-11 Ind Tech Res Inst A process for manufacture plastic package of mems devices and the structure for the same
JP4757071B2 (ja) 2006-03-27 2011-08-24 富士通株式会社 指紋認証装置および情報処理装置
US7632698B2 (en) 2006-05-16 2009-12-15 Freescale Semiconductor, Inc. Integrated circuit encapsulation and method therefor
KR100792670B1 (ko) 2006-06-13 2008-01-09 주식회사 애트랩 반도체 장치 및 접촉센서 장치
US7566966B2 (en) * 2007-09-05 2009-07-28 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package-on-package system with anti-mold flash feature
US8183675B2 (en) * 2007-11-29 2012-05-22 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package-on-package system with anti-mold flash feature
JP2009267272A (ja) * 2008-04-29 2009-11-12 New Japan Radio Co Ltd 半導体中空パッケージ及びその製造方法
TW200950017A (en) * 2008-05-19 2009-12-01 Lightuning Tech Inc Sensing apparatus with packaging material as sensing protection layer and method of manufacturing the same
US7898072B2 (en) * 2008-07-11 2011-03-01 Stats Chippac Ltd. Package stacking system with mold contamination prevention
JP2013156066A (ja) 2012-01-27 2013-08-15 Wacom Co Ltd 静電容量方式圧力センシング半導体デバイス
JP5892595B2 (ja) 2012-02-06 2016-03-23 株式会社ワコム 位置指示器
US9030440B2 (en) 2012-05-18 2015-05-12 Apple Inc. Capacitive sensor packaging
US8912051B1 (en) * 2012-08-01 2014-12-16 Amkor Technology, Inc. Method for controlling molding compound geometry around a semiconductor die
WO2014081203A1 (ko) * 2012-11-20 2014-05-30 크루셜텍 주식회사 지문센서 모듈, 이를 구비한 휴대용 전자기기 및 그 제조방법
US9443126B2 (en) 2012-11-20 2016-09-13 Crucialtec Co., Ltd. Fingerprint sensor module, portable electronic device including same, and method for manufacturing same
JP5916637B2 (ja) * 2013-01-11 2016-05-11 日立オートモティブシステムズ株式会社 流量センサおよびその製造方法
KR101298636B1 (ko) 2013-07-05 2013-08-20 (주)드림텍 지문인식센서면과 코팅층의 밀착력 및 차폐 강화를 위한 지문인식 홈키 제조방법 및 지문인식 홈키 구조
US10296773B2 (en) 2013-09-09 2019-05-21 Apple Inc. Capacitive sensing array having electrical isolation
US9697409B2 (en) * 2013-09-10 2017-07-04 Apple Inc. Biometric sensor stack structure
US20150296622A1 (en) * 2014-04-11 2015-10-15 Apple Inc. Flexible Printed Circuit With Semiconductor Strain Gauge
CN104051367A (zh) * 2014-07-01 2014-09-17 苏州晶方半导体科技股份有限公司 指纹识别芯片封装结构和封装方法
CN104538379A (zh) * 2014-12-31 2015-04-22 华天科技(西安)有限公司 一种基于局部塑封工艺的指纹设计封装结构及其制备方法
CN104851853A (zh) * 2015-05-19 2015-08-19 苏州晶方半导体科技股份有限公司 指纹识别芯片的封装结构及封装方法
CN106767628B (zh) 2015-12-18 2019-04-19 深圳市汇顶科技股份有限公司 一种指纹传感器保护层的厚度检测方法及系统
JP6086166B1 (ja) * 2016-02-05 2017-03-01 第一精工株式会社 樹脂封止用金型、樹脂封止装置及び樹脂封止方法
TWI575620B (zh) * 2016-03-10 2017-03-21 南茂科技股份有限公司 指紋辨識晶片封裝結構的製作方法及製作設備
TWI614695B (zh) * 2017-07-03 2018-02-11 敦泰電子有限公司 具指紋辨識之高屏佔比顯示裝置
CN110077657B (zh) * 2018-01-26 2021-03-09 致伸科技股份有限公司 指纹辨识模块包装方法
CN111886623A (zh) 2018-05-01 2020-11-03 株式会社村田制作所 电子设备以及搭载了该电子设备的指纹认证装置
CN109037169B (zh) * 2018-07-06 2020-10-23 昆山丘钛微电子科技有限公司 封装模具、封装结构、封装方法和摄像头模组
CN110770746B (zh) * 2019-05-29 2021-06-11 深圳市汇顶科技股份有限公司 指纹识别装置和电子设备
KR102163694B1 (ko) * 2019-06-21 2020-10-08 시그네틱스 주식회사 지문인식센서 패키지
KR20230056474A (ko) 2021-10-20 2023-04-27 삼성전자주식회사 지문 센서 패키지 및 센서 패키지

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3330975A1 (de) * 1983-08-27 1985-03-21 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren und anordnung zur kapselung eines halbleiterbauelementes
JPH04258176A (ja) * 1991-02-12 1992-09-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体圧力センサ
KR960009089B1 (ko) * 1993-03-04 1996-07-10 문정환 패키지 성형용 금형 및 그 금형을 이용한 플라스틱 고체촬상소자 패키지 제조방법 및 패키지
KR970005706B1 (ko) * 1994-01-24 1997-04-19 금성일렉트론 주식회사 고체촬상소자 및 그 제조방법
KR970005706A (ko) * 1995-07-19 1997-02-19 한승준 증발기에서 잔류하는 수분 제거용 송풍기를 구비한 자동차의 공기 조화기
JP4024335B2 (ja) * 1996-01-26 2007-12-19 ハリス コーポレイション 集積回路のダイを露出させる開口部を有する集積回路装置とその製造方法
FR2749955B1 (fr) * 1996-06-14 1998-09-11 Thomson Csf Systeme de lecture d'empreintes digitales
GB9725571D0 (en) * 1997-12-04 1998-02-04 Philips Electronics Nv Electronic apparatus comprising fingerprint sensing devices
US6331452B1 (en) * 1999-04-12 2001-12-18 Verdicom, Inc. Method of fabricating integrated circuit package with opening allowing access to die
US6603191B2 (en) * 2000-05-18 2003-08-05 Casio Computer Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2003058872A (ja) * 2001-08-21 2003-02-28 Sony Corp 指紋検出装置、その製造方法及び成膜装置
US6815262B2 (en) * 2002-07-22 2004-11-09 Stmicroelectronics, Inc. Apparatus and method for attaching an integrated circuit sensor to a substrate

Also Published As

Publication number Publication date
EP1339009A3 (de) 2003-10-15
US7192798B2 (en) 2007-03-20
TW200303491A (en) 2003-09-01
DE60208328D1 (de) 2006-02-02
KR100805291B1 (ko) 2008-02-20
CN1440060A (zh) 2003-09-03
US20030156743A1 (en) 2003-08-21
EP1339009A2 (de) 2003-08-27
KR20070121623A (ko) 2007-12-27
CN1202566C (zh) 2005-05-18
JP2003235830A (ja) 2003-08-26
KR20030069782A (ko) 2003-08-27
KR100833554B1 (ko) 2008-05-29
TWI222034B (en) 2004-10-11
EP1339009B1 (de) 2005-12-28
JP3766034B2 (ja) 2006-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60208328T2 (de) Fingerabdrucksensor
DE19911916B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit Schutzlage
EP1266402B1 (de) Halbleiterbauelement und verfahren zu dessen herstellung
EP1415271B1 (de) Kontaktierung von halbleiterchips in chipkarten
EP0756244A2 (de) Schaltungseinheit und Verfahren zur Herstellung einer Schaltungseinheit
DE19735428A1 (de) Leiterrahmen für einen Halbleiterbaustein
DE102013108913A1 (de) Stapelbare Sicherheitshülle
DE202006020529U1 (de) Manipulations- und Durchbohrschutz für eine an eine elektrische Schaltung anzuschließende Vorrichtung
DE69628964T2 (de) Harzvergossenes Halbleiterbauteil und Herstellungsverfahren
DE102013200518A1 (de) Halbleiterpackung
DE10327694A1 (de) Optische Sensoranordnung und entsprechendes Herstellungsverfahren
EP1028388B1 (de) Identifizierungselement und Verfahren zur Herstellung eines Identifizierungselements
DE60303037T2 (de) Verfahren zur herstellung eines digitalen fingerabdrucksensors und entsprechender sensor
EP3111474B1 (de) Verfahren zum herstellen einer leiterplatte mit eingebettetem sensorchip sowie leiterplatte
DE102004027960B4 (de) Elektrische Leistungs-Halbleitervorrichtung
EP1656719B1 (de) Druckkontaktfeder für kontaktanordnung in leistungshalbleitermodul
DE102007015892A1 (de) Abdeckungsanbringungsstruktur, Halbleitervorrichtung und Verfahren dafür
WO2008017556A2 (de) Moldgehäuse in einpresstechnik
DE102005007643A1 (de) Verfahren und Anordnung zum Kontaktieren von Halbleiterchips auf einem metallischen Substrat
EP2260511B1 (de) Bauelementanordnung und verfahren zur herstellung einer bauelementanordnung
DE19854396A1 (de) Sensormodul
EP3520585B1 (de) Verfahren zum herstellen einer elektronischen baugruppe und elektronische baugruppe, insbesondere für ein getriebesteuermodul
DE102012219474A1 (de) Drucktastenanordnung mit einer Parallelschwinge
DE112019002685T5 (de) Durchflussratensensor
DE10360972A1 (de) Drucksensoranordnung und Verfahren zur Herstellung derselben

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: FUJITSU MICROELECTRONICS LTD., TOKYO, JP

8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: FUJITSU SEMICONDUCTOR LTD., YOKOHAMA, KANAGAWA, JP

8328 Change in the person/name/address of the agent

Representative=s name: SEEGER SEEGER LINDNER PARTNERSCHAFT PATENTANWAELTE