DE19623270A1 - Adaptives optisches Abbildungssystem zur Abbildung eines von einem Halbleiterlaser emittierten Strahlenbündels auf eine Abbildungsfläche - Google Patents
Adaptives optisches Abbildungssystem zur Abbildung eines von einem Halbleiterlaser emittierten Strahlenbündels auf eine AbbildungsflächeInfo
- Publication number
- DE19623270A1 DE19623270A1 DE1996123270 DE19623270A DE19623270A1 DE 19623270 A1 DE19623270 A1 DE 19623270A1 DE 1996123270 DE1996123270 DE 1996123270 DE 19623270 A DE19623270 A DE 19623270A DE 19623270 A1 DE19623270 A1 DE 19623270A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- imaging system
- optical imaging
- adaptive optical
- lens
- semiconductor laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/004—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements based on a displacement or a deformation of a fluid
- G02B26/005—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements based on a displacement or a deformation of a fluid based on electrowetting
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B3/00—Simple or compound lenses
- G02B3/12—Fluid-filled or evacuated lenses
- G02B3/14—Fluid-filled or evacuated lenses of variable focal length
Description
Die Erfindung betrifft ein adaptives optisches Abbildungssystem zur Abbildung
eines von einem Halbleiterlaser emittierten Strahlenbündels auf eine
Abbildungsfläche gemäß dem Oberbegriff von Patentanspruch 1.
Aufgrund seines technologiebedingten Aufbaus weist der lichtemittierende
Bereich eines Halbleiterlasers eine Rechteckform auf und nicht eine Kreisform,
wie es zum Beispiel bei Gaslasern und anderen Lasern der Fall ist. Dadurch
haben die in Richtung parallel zur Übergangszonenfläche emittierten
Lichtstrahlen des Strahlenbündels und die in Richtung senkrecht zur
Übergangszonenfläche emittierten Lichtstrahlen unterschiedliche
Divergenzursprungspunkte, die einen bestimmten Abstand voneinander
aufweisen. Dieser Abstand wird als astigmatische Differenz bezeichnet. Diese
sogenannte astigmatische Differenz führt nun dazu, daß das Fernfeld des vom
Halbleiterlaser emittierten Strahlenbündels eine elliptische Amplitudenverteilung
aufweist.
Halbleiterlaser werden beispielsweise verwandt, um Informationen auf ein
lichtempfindliches Aufzeichnungsmedium zu schreiben. Dazu wird das
Strahlenbündel, das von einem solchen Halbleiterlaser emittiert wird, mittels eines
optischen Abbildungssystems auf ein lichtempfindliches Aufzeichnungsmedium
abgebildet. Ein solches Abbildungssystem ist durch die DE-OS 26 43 346 oder
durch die DE 29 17 221 C2 bekannt. Ein lichtempfindliches
Aufzeichnungsmedium weist üblicherweise einen sogenannten
Aufzeichnungsschwellenwert auf. Dies bedeutet, daß nur dann eine Information
auf dem lichtempfindlichen Aufzeichnungsmedium aufgezeichnet werden kann,
wenn die Spitzenintensität des Strahlenbündels in der Aufzeichnungsfläche den
Aufzeichnungsschwellenwert übersteigt. Aus diesem Grunde werden mittels der
bekannten optischen Abbildungssysteme die Lichtstrahlen des vom
Halbleiterlaser emittierten Strahlenbündels in möglichst hohem Maße auf der
Abbildungsfläche fokussiert.
In dem optischen Abbildungssystem nach der DE-OS 26 43 346 ist dazu
vorgesehen, den innerhalb des Halbleiterlasers liegenden
Divergenzursprungspunkt in einer parallel zur Übergangszonenfläche
verlaufenden Ebene zur Abbildungsfläche konjugiert zu halten. Dasselbe gilt für
den anderen, nahe der lichtemittierenden Endfläche des Halbleiterlasers
liegenden Divergenzursprungspunkt. Ein solches Abbildungssystem, das beide
Divergenzursprungspunkte scharf abbildet und in diesem Sinne die astigmatische
Differenz kompensiert, wird als Abbildungssystem mit Korrektur der
astigmatischen Differenz bezeichnet. Bei einem Abbildungssystem mit Korrektur
der astigmatischen Differenz ist jedoch eine sehr genaue Justierung der Linsen
des Abbildungssystems sowohl relativ zueinander als auch relativ zum
Halbleiterlaser und zur Abbildungsfläche notwendig. Die Justierung muß dabei
sowohl in der parallel zur Übergangszonenfläche verlaufenden Ebene als auch in
der senkrecht zur Übergangszonenfläche verlaufenden Ebene vorgenommen
werden. Eine derartige Justierung ist technisch aufwendig und daher zeit- und
kostenintensiv.
Bei einem optischen Abbildungssystem nach DE 29 17 221 C2 wird auf eine
Korrektur der astigmatischen Differenz verzichtet. Dabei werden nur Lichtstrahlen
aus dem Divergenzursprungspunkt, der senkrecht zur Übergangszonenfläche des
Halbleiterlasers liegt, scharf abgebildet. Durch das Vorschreiben eines eigenen
Abbildungsmaßstabes sowohl für die Ebene senkrecht zur
Übergangszonenfläche, als auch parallel zur Übergangszonenfläche wird
dennoch gewährleistet, daß in den beiden genannten Ebenen bzw. Richtungen
eine hohe Spitzenintensität erreicht wird. Dies gilt auch für die unscharf
abgebildeten Lichtstrahlen, die aus dem in Richtung des parallel zur
Übergangszonenfläche liegenden Divergenzursprung kommen. Hierbei wird die
Justierung des optischen Systems gegenüber einem mit Korrektur der
astigmatischen Differenz vereinfacht.
Ein Nachteil aller dieser bekannten Abbildungssysteme ist, daß statistische
Schwankungen in der Feldverteilung, bzw. in der Lage der
Divergenzursprungspunkte, überhaupt nicht berücksichtigt werden können, da
diese Systeme mit starren Linsen arbeiten. Außerdem ist das bereits
angesprochene Problem der Justierung immer noch nicht befriedigend gelöst, da
die Anordnung der Linsen auf exakt vorgegebenen Abständen beruht.
Es sind zwar flüssige Linsen bekannt, z. B. aus JP-ABS 61-56303 (A), P-482 July
31, 1986 Vol. 10/No. 220, jedoch werden sie dort nur zur Veränderung der
Brennweite eingesetzt. Eine adaptive Korrektur der astigmatischen Differenz ist
bei solchen flüssigen Linsen prinzipiell unmöglich, da nur die Brennweite
verändert werden kann.
Der Erfindung liegt daher das Problem zugrunde, das von einem Halbleiterlaser
emittierte Strahlenbündel mit elliptischer Feldverteilung, auf ein Strahlenbündel
mit sphärischer Wellenfront abzubilden, und zwar so, daß einerseits statistische
Schwankungen in der Feldverteilung ausgeglichen werden können, und
andererseits zugleich eine einfache Justierung des optischen Abbildungssystems
gewährleistet ist.
Diese Aufgabe wird in Verbindung mit dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1
erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß eine flüssige Linse, bestehend aus einer
elektrolytischen Lösung, planparallel zur Oberfläche des Lasers an der
Lichtaustrittsseite angeordnet ist und mindestens ein elektrisches Feld derart
angelegt wird, daß die Linse verzerrt wird. Dadurch wird das vom Halbleiterlaser
kommende Strahlenbündel mit elliptischer Feldverteilung auf eines mit
kreisrunder Feldverteilung abgebildet.
Der Vorteil dieses Systems besteht darin, daß die Korrektur der astigmatischen
Differenz vollkommen selbstregelnd geschieht, ohne daß das System justiert
werden muß. Außerdem werden statistische Schwankungen in der Feldverteilung
selbstregelnd ausgeglichen, was bei Systemen mit starren Linsen prinzipiell
unmöglich ist.
Auch kann der, bedingt durch die Größe der Austrittsapertur des Halbleiterlasers,
große Divergenzwinkel des Austrittsstrahls leicht ausgeglichen werden, wenn das
adaptive optische Abbildungssystem mit einer starren Linse ergänzt wird. Dies ist
von besonderem Interesse in faseroptischen Systemen, da es bei der
Einkopplung der Emissionsstrahlung in eine optische Faser normalerweise zu
hohen Verlusten aufgrund des großen Divergenzwinkels kommt.
Die Verzerrung der flüssigen Linse erfolgt selbstregelnd, so daß nach
Inbetriebnahme der Anordnung das Strahlenbündel des Halbleiterlasers mit
elliptischer Feldverteilung automatisch auf ein Strahlenbündel mit sphärischer
Wellenfront abgebildet wird.
Die Meßaufnehmer für die Rückkopplungsschleife bestehen aus acht Schottky
Photodioden, die kreisrund um die Austrittsöffnung des adaptiven optischen
Abbildungssystems herum angeordnet sind. Die Form der Austrittsöffnung
bestimmt die Geometrie der Feldverteilung des austretenden Strahlenbündels.
Das adaptive optische Abbildungssystem kann in herkömmlicher Si-
Planartechnik hergestellt werden.
Das von diesem sogenannten adaptiven optischen Abbildungssystem austretende
Strahlenbündel mit sphärischer Wellenfront, kann dann auf herkömmliche Weise
mit einer normalen sphärischen Linse exakt fokussiert werden.
Die Justierung eines auf dem in der Erfindung beschriebenen adaptiven optischen
Abbildungssystems basierenden optischen Abbildungsystems, das zur Abbildung
des Strahlenbündels auf eine Abbildungsfläche dient, ist vollkommen
unproblematisch. Bei einem optischen Abbildungssystem bestehend aus einem
Halbleiterlaser, der hier beschriebenen Erfindung und einer herkömmlichen
Abbildungslinse beschränkt sich die Justierung dann hauptsächlich auf den
Abstand zwischen Abbildungslinse und Abbildungsfläche, wofür vielfältige
technische Lösungen zur Verfügung stehen.
Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den übrigen Ansprüchen
gekennzeichnet.
Es ist beispielsweise insbesondere möglich, durch eine Veränderung der Form
der Austrittsöffnung die elliptische Feldverteilung auf eine andere als kreisrunde
Feldverteilung abzubilden.
Weitere Einzelheiten der Erfindung werden in der Zeichnung anhand von
schematisch dargestellten Ausführungsbeispielen beschrieben.
Hierbei zeigt:
Fig. 1 eine Draufsicht auf ein adaptives optisches Abbildungssystem,
Fig. 2 ein adaptives optisches Abbildungssystem gemäß Schnitt A-A in Fig. 1,
Fig. 3 eine andere Schnittdarstellung B-B des adaptiven optischen
Abbildungssystems aus Fig. 2,
Fig. 4 einen Ausschnitt der Schnittansicht C-C aus Fig. 3,
Fig. 5 den Aufbau eines Segments in Draufsicht,
Fig. 6 den Schaltplan eines Segments,
Fig. 7 ein Anwendungsbeispiel des adaptiven optischen Abbildungssystems zur
Erzeugung eines Strahlenbündels mit kleiner Divergenz,
Fig. 8 ein Anwendungsbeispiel des adaptiven optischen Abbildungssystems in
einem optischen Abbildungssystem zur exakten Fokussierung des
Strahlenbündels auf eine Abbildungsfläche,
Fig. 9 ein Anwendungsbeispiel des adaptiven optischen Abbildungssystems mit
einer achtförmigen Austrittsöffnung zur Erzeugung eines Strahls mit zwei
eng beieinanderliegenden Brennpunkten.
Fig. 1 zeigt die Draufsicht auf ein adaptives optisches Abbildungssystem 1, das
8 gleichartige Segmente 2.a bis 2.h aufweist. Die einzelnen Segmente 2.a-2.h
sind voneinander elektrisch isoliert, was durch 8 Fugen 3.a bis 3.h angedeutet ist.
Jedes Segment 2.a-2.h besteht aus der gleichen Anordnung von Elementen, die
jedoch an einer Symmetrieachse 4 des adaptiven optischen Abbildungssystems 1
gespiegelt angeordnet sein können. Beispielsweise seien hier die Segmente 2.b,
2.c und 2.f, 2.g betrachtet, deren Elemente spiegelbildlich zur Symmetrieachse 4
angeordnet sind. Jeweils zwei gegenüberliegende Fugen bilden eine
Symmetrieachse. So definieren zum Beispiel die Fugen 3.b und 3.f die
Symmetrieachse 4.
In Fig. 1 ist weiterhin eine Austrittsöffnung 5 zu erkennen, die im hier
beschriebenen Fall kreisrund ist. Sie ist eines der wesentlichen Elemente des
adaptiven optischen Abbildungssystems 1, da ihre Geometrie den Umriß der
austretenden Wellenfront bestimmt.
In Fig. 2 ist das adaptive optische Abbildungssystem 1 im Querschnitt dargestellt,
im Schnitt A-A aus Fig. 1. Das adaptive optische Abbildungssystem 1 ist direkt
auf einem Halbleiterlaser 6 montiert, wobei die optische Achse 8 des adaptiven
optischen Abbildungssystems 1 bezüglich der optischen Achse 8′ der aktiven
Zone 7 des Halbleiterlasers 6 zentriert ist. Das adaptive optische
Abbildungssystem 1 besteht im wesentlichen aus einem planparallelen
Glasplättchen 9 und einem Si-Plättchen 10.
Das Si-Plättchen 10 enthält alle Elemente, die die 8 Segmente 2.a bis 2.h
beinhalten bzw. voneinander elektrisch isolieren. Es wird in herkömmlicher Si-
Planartechnik hergestellt. Beispielsweise stellen die Fugen 3.a bis 3.h in
technologischer Sicht bei Verwendung eines p-Substrats mit n-Epitaxieschicht
p-Barrieren zwischen den einzelnen Segmenten 2.a bis 2.h dar.
Auf der Unterseite des Si-Plättchens 10 befindet sich eine SiO₂-Isolierschicht 11,
die 8 Metallelektroden 12.a bis 12.h samt ihrer Zuleitungen 13.a bis 13.h trägt.
Diese sind in Fig. 3 genauer beschrieben. In Fig. 2 sind die Metallelektrode 12.a
mit Zuleitung 13.a, sowie die Metallelektrode 12.d mit Zuleitung 13.d zu erkennen.
Auf der Oberseite des Si-Plättchens 10 befinden sich 8 Schottky-Photodioden
14.a bis 14.h (siehe Fig. 1). Diese Schottky-Photodioden 14.a-14.h bestehen im
wesentlichen jeweils aus einer Metallelektrode 15.a-15.h und einem ohmschen
Kontakt 16.a-16.h. Sie sind in Fig. 5 anhand des Segments 2.g detailliert
dargestellt.
In Fig. 2 sind die Metallelektroden 15.a bis 15.d der Schottky-Photodioden 14.a
bis 14.d zu erkennen. Durch die Darstellung im Schnitt, lassen sich auch eine
Verbindung 17.a zwischen der Metallelektrode 15.a der Schottky-Photodiode
14.a, einem integrierten Widerstand 18.a und der Zuleitung 13.a zur
Metallelektrode 12.a erkennen. Gleiches gilt für eine Verbindung 17.d zwischen
der Metallelektrode 15.d der Schottky-Photodiode 14.d, einem integrierten
Widerstand 18.d und der Zuleitung 13.d zur Metallelektrode 12.d. Außerdem sind
Masseanschlüsse 19.a und 19.h von integrierten Widerständen 18.a und 18.d zu
erkennen.
Das Si-Plättchen 10 liegt mit den Zuleitungen 13.a bis 13.h zu den
Metallelektroden 12.a bis 12.h plan auf dem planparallelen Glasplättchen 9 auf.
Für die Abbildung des elliptischen Austrittsstrahles 31 auf einen mit sphärischer
Wellenfront liegt eine flüssig Linse 21 auf dem planparallelen Glasplättchen 9 auf.
Diese flüssige Linse 21 besteht aus einer wäßrigen elektrolytischen Lösung. Sie
wird einerseits durch die Oberflächenspannung der wäßrigen Lösung in Form
gehalten. Andererseits kann ihre Geometrie durch Anlegen eines elektrischen
Potentials an die Metallelektroden 12.a bis 12.h verändert werden. Das
Verändern der Geometrie der Linse geschieht durch Kräfte auf die geladenen
Teilchen in der wäßrigen Lösung. Diese Kräfte werden durch Influenzwirkung des
von den Metallelektroden 12.a bis 12.h erzeugten elektrischen Feldes
hervorgerufen.
Wesentlich ist noch die Geometrie des Si-Plättchens 10 bezüglich der
kreisrunden Austrittsöffnung 5. Sie ist in dem mit 22 bezeichneten Kreis
hervorgehoben. Das nach oben hin schräge Zulaufen des Si-Plättchens 10
ermöglicht es, daß radiales Streulicht aus dem Laserstrahl in die lichtempfindliche
Zone der Schottky-Photodioden 14.a bis 14.h gelangen kann.
Fig. 3 zeigt den Schnitt B-B aus Fig. 2. Hierin ist die Geometrie der Zuleitungen
13.a bis 13.h zu erkennen. Die genaue Lage und Form der Metallelektroden 12.a
bis 12.h ist ebenfalls ersichtlich.
Die Zuleitungen 13.a bis 13.h sind durch Stege, die sich durch die Form der SiO₂-
Isolierschicht 11 ergibt, voneinander elektrisch isoliert. Dies ist schematisch in
Fig. 4 anhand der Zuleitungen 13.a und 13.h dargestellt, wobei ein Ausschnitt,
der Schnittansicht c-c betrachtet wird.
Fig. 5 zeigt exemplarisch den Aufbau eines Segments anhand des Segments 2.g.
Der Aufbau der übrigen Segmente 2.a bis 2.f und 2.h ergibt sich daraus
sinngemäß.
Die Metallelektrode 15.g der Schottky-Photodiode 14.g ist durch die Verbindung
17.g mit der Zuleitung 13.g zur Metallelektrode 12.g verbunden. Dabei wird auch
Kontakt zum integrierten Widerstand 18.g hergestellt. Die elektrische Verbindung
von außen zur Schottky-Photodiode 14.g wird durch einen Anschluß 20.g zum
ohmschen Kontakt der Schottky-Photodiode 14.g bewerkstelligt. Der Anschluß
des integrierten Widerstandes zum Massepotential wird über einen
Masseanschluß 19.g des integrierten Widerstandes 18.g hergestellt.
Fig. 6 zeigt den Schaltplan eines Segments, wieder exemplarisch am Segment
2.g. Für die übrigen Segmente 2.a bis 2.f und 2.h gilt der Schaltplan sinngemäß.
Eine externe Konstantspannungsquelle 23 ist mit dem negativen Anschluß
(ohmschen Kontakt 16.g) der Schottky-Photodiode 14.g verbunden. Der positive
Anschluß der Schottky-Photodiode 14.g (Metallelektrode 15.g) ist sowohl mit der
Metallelektrode 12.g zur Krümmungsänderung der Flüssiglinse 21 verbunden, als
auch mit dem integrierten Widerstand 18.g. Ein Masseanschluß 24 vervollständigt
den Schaltplan.
Aus diesem Schaltplan ergibt sich auch die Funktionsweise der Anordnung.
Der Laserstrahl 31 tritt aus der aktiven Zone 7 des Halbleiterlasers 6 unverändert
durch das planparallele Glasplättchen 9 hindurch. Beim Verlassen des
Glasplättchens 9 tritt er unverändert in die flüssige Linse 21 ein. Durch die
gekrümmte Oberfläche der flüssigen Linse 21 wird der Laserstrahl beim Austritt
aus der Linse gebündelt. Diese Bündelung ist abhängig von der momentanen
Geometrie der flüssigen Linse 21.
Nach dem Verlassen der Linse trifft der jetzt gebündelte Laserstrahl auf die
kreisrunde Austrittsöffnung 5. Ist die Geometrie der flüssigen Linse nun zu einem
Zeitpunkt gerade so, daß sich kein kreisrunder Austrittsstrahl mit einem
Durchmesser in der Größe der Austrittsöffnung ergibt, wird ein Teil des
Austrittsstrahles auf eine oder mehrere der Schottky-Photodioden treffen. Da alle
Schottky-Photodioden 14.a bis 14.g leicht negativ vorgespannt sind, werden die
bestrahlten Photodioden leitfähig. Dadurch fließt ein Strom durch den integrierten
Widerstand, wobei eine Spannung an ihm abfällt. Diese Spannung liegt
gleichzeitig als elektrisches Potential bezüglich Masse (0 Volt) an der jeweiligen
Metallelektrode an und erzeugt ein elektrisches Feld, das auf die flüssige Linse
21 einwirkt. Durch Influenzwirkung des elektrischen Feldes werden auf die
geladenen Teilchen in der Flüssiglinse Kräfte ausgeübt, die diese verzerrt.
Durch die Verzerrung der flüssigen Linse 21 wird der austretende Laserstrahl so
gebündelt, daß weniger Strahlung auf die entsprechende Photodiode fällt.
Fällt weniger Strahlung auf die Photodiode, leitet sie weniger, wodurch auch der
Strom durch den Widerstand sinkt. Damit sinkt aufgrund des ohmschen Gesetzes
(U = R * I, wobei U die Spannung, R den Widerstand und I den Strom bezeichnet)
auch die an ihm abfallende Spannung. Dies bewirkt eine geringere Aufladung der
entsprechenden Elektrode, was ein schwächeres elektrisches Feld zur Folge hat.
Es wirken weniger Kräfte auf die flüssige Linse 21, die dadurch wieder weniger
verzerrt wird, womit sich der Strahl wieder weitet. Ein geometrischer Strahlengang
der Lichtstrahlen, die von dem in Richtung senkrecht zur Übergangszone des
Halbleiterlasers liegenden Divergenzursprungs ausgehen, ist schematisch durch
25 in Fig. 2 angedeutet.
Der oben beschriebene Vorgang beginnt dann von neuem und hält somit den
austretenden Laserstrahl genau in der durch die kreisrunde Austrittsöffnung 5
vorgegebenen Form. Der eben beschriebene Mechanismus kann als
rückgekoppeltes System aufgefaßt werden, der den austretenden Laserstrahl
bezüglich der Austrittsöffnung 5 im dynamischen Gleichgewicht hält.
Daraus ergibt sich nun die Möglichkeit, dem Austrittsstrahl auch eine andere als
kreisrunde Form, d. h. eine beliebige geometrische Form, zu geben. Dies kann
einfach durch Verwendung einer anders geformten Austrittsöffnung 5
bewerkstelligt werden. Daraus ergeben sich vollkommen neue Möglichkeiten
bezüglich der Anpassung eines Laserstrahls an eine jeweilige Anwendung.
Fig. 7 zeigt ein Anwendungsbeispiel des adaptiven optischen Abbildungssystems
1 im Schnitt, wenn ein Austrittsstrahl mit sphärischer Wellenfront und geringer
Strahldivergenz gewünscht wird.
Bekanntlich hängt der Divergenzwinkel eines durch eine kreisrunde Apertur
hindurchtretenden Strahls vom Durchmesser der Öffnung ab. Vereinfacht ergibt
sich die Aussage, daß je kleiner der Durchmesser der Öffnung ist, die
Strahldivergenz größer wird. Wird nun das adaptive optische Abbildungssystem 1
direkt auf der Austrittsebene des Halbleiterlasers 6 montiert, ergeben sich bedingt
durch die Abmessungen des Halbleiterlasers, sehr kleine Abmessungen für die
Austrittsöffnung 5 und damit eine sehr kleine kreisrunde Apertur, die zu einer
relativ großen Strahldivergenz führen würde. Da dies nur in den seltensten Fällen
wünschenswert ist, könnte man den durch die Apertur bedingten dünnen Strahl
mit Hilfe eines sogenannten "Beam-Expanders" auf einen dickeren Strahl mit
kleinerer Divergenz aufweiten. Dies würde jedoch zwei weiter Linsen im
Strahlengang erfordern, was sowohl in technischer als auch in wirtschaftlicher
Hinsicht aufwendig wäre.
Ein weit einfacherer Weg, den Divergenzwinkel des Austrittsstrahls klein zu
halten besteht darin, ein adaptives optisches Abbildungssystem 1 mit größerer
Austrittsöffnung 5 zu verwenden, und damit größeren Gesamtabmessungen. Dies
erfordert eine Montage des adaptiven optischen Abbildungssystems 1 in einem
gewissen Abstand d zur Austrittsebene des Halbleiterlasers. Zugleich muß die
optische Achse 8 des adaptiven optischen Abbildungssystems 1 wieder mit der
optischen Achse 8′ der aktiven Zone 7 des Halbleiterlasers 6 zusammenfallen.
Dies kann mit der Anordnung nach Fig. 7 bewerkstelligt werden. Der
Halbleiterlaser 6 wird auf eine Halterung 27 montiert. Diese Halterung wird in
einen quadratischen oder rechteckigen Abstandshalter 26 eingesetzt, der auch
das adaptive optische Abbildungssystem 1 trägt.
Fig. 8 zeigt ein optisches Abbildungssystem 28, mit dem das von einem
Halbleiterlaser emittierte Strahlenbündel exakt auf eine Abbildungsfläche 29
fokussiert werden kann. Dazu kann die in Fig. 7 beschriebene Anordnung
bestehend aus der Halterung 27 und dem Abstandshalter 26 verwendet werden.
Die in Fig. 7 beschrieben Anordnung erzeugt einen Austrittsstrahl mit kreisrunder
Amplitudenverteilung, der einen relativ kleinen Divergenzwinkel aufweist. Dieser
Strahl wird nun sehr einfach mit Hilfe einer herkömmlichen Abbildungslinse 30 auf
die Abbildungsfläche 29 exakt fokussiert. Alle optischen Komponenten des
optischen Abbildungssystems 28 sind wieder bezüglich der optischen Achse 8 der
aktiven Zone 7 des Halbleiterlasers 6 ausgerichtet.
Fig. 9 zeigt eine Draufsicht eines adaptiven optischen Abbildungssystems 1 mit
einer Austrittsöffnung 5 in Form einer Acht. Diese Geometrie der Austrittsöffnung
5 ermöglicht die Erzeugung eines Austrittsstrahls mit zwei dicht nebeneinander
angeordneten Brennpunkten.
Bezugszeichenliste
1 Adaptives optisches Abbildungssystem
2.a Segment
2.b Segment
2.c Segment
2.d Segment
2.e Segment
2.f Segment
2.g Segment
2.h Segment
3.a Fuge
3.b Fuge
3.c Fuge
3.d Fuge
3.e Fuge
3.f Fuge
3.g Fuge
3.h Fuge
4 Symmetrieachse
5 Austrittsöffnung
6 Halbleiterlaser
7 aktive Zone des Halbleiterlasers
8 optische Achse von 1
8′ optische Achse von 6
9 planparalleles Glasplättchen
10 Si-Plättchen
11 SiO₂-Isolierschicht
12.a Metallelektrode
12.b Metallelektrode
12.c Metallelektrode
12.d Metallelektrode
12.e Metallelektrode
12.f Metallelektrode
12.g Metallelektrode
12.h Metallelektrode
13.a Zuleitung
13.b Zuleitung
13.c Zuleitung
13.d Zuleitung
13.e Zuleitung
13.f Zuleitung
13.g Zuleitung
13.h Zuleitung
14.a Schottky-Photodiode
14.b Schottky-Photodiode
14.c Schottky-Photodiode
14.d Schottky-Photodiode
14.e Schottky-Photodiode
14.f Schottky-Photodiode
14.g Schottky-Photodiode
14.h Schottky-Photodiode
15.a Metallelektrode der Schottky-Photodiode
15.b Metallelektrode der Schottky-Photodiode
15.c Metallelektrode der Schottky-Photodiode
15.d Metallelektrode der Schottky-Photodiode
15.e Metallelektrode der Schottky-Photodiode
15.f Metallelektrode der Schottky-Photodiode
15.g Metallelektrode der Schottky-Photodiode
15.h Metallelektrode der Schottky-Photodiode
16.a Ohmscher Kontakt der Schottky-Photodiode
16.b Ohmscher Kontakt der Schottky-Photodiode
16.c Ohmscher Kontakt der Schottky-Photodiode
16.d Ohmscher Kontakt der Schottky-Photodiode
16.e Ohmscher Kontakt der Schottky-Photodiode
16.f Ohmscher Kontakt der Schottky-Photodiode
16.g Ohmscher Kontakt der Schottky-Photodiode
16.h Ohmscher Kontakt der Schottky-Photodiode
17.a Verbindung zw. Schottky-Photodiode, integriertem Widerstand und Zuleitung zur Metallelektrode
17.b Verbindung zw. Schottky-Photodiode, integriertem Widerstand und Zuleitung zur Metallelektrode
17.c Verbindung zw. Schottky-Photodiode, integriertem Widerstand und Zuleitung zur Metallelektrode
17.d Verbindung zw. Schottky-Photodiode, integriertem Widerstand und Zuleitung zur Metallelektrode
17.e Verbindung zw. Schottky-Photodiode, integriertem Widerstand und Zuleitung zur Metallelektrode
17.f Verbindung zw. Schottky-Photodiode, integriertem Widerstand und Zuleitung zur Metallelektrode
17.g Verbindung zw. Schottky-Photodiode, integriertem Widerstand und Zuleitung zur Metallelektrode
17.h Verbindung zw. Schottky-Photodiode, integriertem Widerstand und Zuleitung zur Metallelektrode
18.a Integrierter Widerstand
18.b Integrierter Widerstand
18.c Integrierter Widerstand
18.d Integrierter Widerstand
18.e Integrierter Widerstand
18.f Integrierter Widerstand
18.g Integrierter Widerstand
18.h Integrierter Widerstand
19.a Masseanschluß des integrierten Widerstandes
19.b Masseanschluß des integrierten Widerstandes
19.c Masseanschluß des integrierten Widerstandes
19.d Masseanschluß des integrierten Widerstandes
19.e Masseanschluß des integrierten Widerstandes
19.f Masseanschluß des integrierten Widerstandes
19.g Masseanschluß des integrierten Widerstandes
19.h Masseanschluß des integrierten Widerstandes
20.a Anschluß zum ohmschen Kontakt
20.b Anschluß zum ohmschen Kontakt
20.c Anschluß zum ohmschen Kontakt
20.d Anschluß zum ohmschen Kontakt
20.e Anschluß zum ohmschen Kontakt
20.f Anschluß zum ohmschen Kontakt
20.g Anschluß zum ohmschen Kontakt
20.h Anschluß zum ohmschen Kontakt
21 Flüssige Linse
22 Geometrie der Austrittsöffnung
23 Externe konstantspannungsquelle
24 Masseanschluß
25 Geometrischer Strahlengang
26 Abstandshalter
27 Halterung
28 Optisches Abbildungssystem
29 Abbildungsfläche
30 Abbildungslinse
31 Elliptischer Austrittsstrahl
d Abstand zw. Halbleiterlaser und adaptivem optischen Abbildungssystem
2.a Segment
2.b Segment
2.c Segment
2.d Segment
2.e Segment
2.f Segment
2.g Segment
2.h Segment
3.a Fuge
3.b Fuge
3.c Fuge
3.d Fuge
3.e Fuge
3.f Fuge
3.g Fuge
3.h Fuge
4 Symmetrieachse
5 Austrittsöffnung
6 Halbleiterlaser
7 aktive Zone des Halbleiterlasers
8 optische Achse von 1
8′ optische Achse von 6
9 planparalleles Glasplättchen
10 Si-Plättchen
11 SiO₂-Isolierschicht
12.a Metallelektrode
12.b Metallelektrode
12.c Metallelektrode
12.d Metallelektrode
12.e Metallelektrode
12.f Metallelektrode
12.g Metallelektrode
12.h Metallelektrode
13.a Zuleitung
13.b Zuleitung
13.c Zuleitung
13.d Zuleitung
13.e Zuleitung
13.f Zuleitung
13.g Zuleitung
13.h Zuleitung
14.a Schottky-Photodiode
14.b Schottky-Photodiode
14.c Schottky-Photodiode
14.d Schottky-Photodiode
14.e Schottky-Photodiode
14.f Schottky-Photodiode
14.g Schottky-Photodiode
14.h Schottky-Photodiode
15.a Metallelektrode der Schottky-Photodiode
15.b Metallelektrode der Schottky-Photodiode
15.c Metallelektrode der Schottky-Photodiode
15.d Metallelektrode der Schottky-Photodiode
15.e Metallelektrode der Schottky-Photodiode
15.f Metallelektrode der Schottky-Photodiode
15.g Metallelektrode der Schottky-Photodiode
15.h Metallelektrode der Schottky-Photodiode
16.a Ohmscher Kontakt der Schottky-Photodiode
16.b Ohmscher Kontakt der Schottky-Photodiode
16.c Ohmscher Kontakt der Schottky-Photodiode
16.d Ohmscher Kontakt der Schottky-Photodiode
16.e Ohmscher Kontakt der Schottky-Photodiode
16.f Ohmscher Kontakt der Schottky-Photodiode
16.g Ohmscher Kontakt der Schottky-Photodiode
16.h Ohmscher Kontakt der Schottky-Photodiode
17.a Verbindung zw. Schottky-Photodiode, integriertem Widerstand und Zuleitung zur Metallelektrode
17.b Verbindung zw. Schottky-Photodiode, integriertem Widerstand und Zuleitung zur Metallelektrode
17.c Verbindung zw. Schottky-Photodiode, integriertem Widerstand und Zuleitung zur Metallelektrode
17.d Verbindung zw. Schottky-Photodiode, integriertem Widerstand und Zuleitung zur Metallelektrode
17.e Verbindung zw. Schottky-Photodiode, integriertem Widerstand und Zuleitung zur Metallelektrode
17.f Verbindung zw. Schottky-Photodiode, integriertem Widerstand und Zuleitung zur Metallelektrode
17.g Verbindung zw. Schottky-Photodiode, integriertem Widerstand und Zuleitung zur Metallelektrode
17.h Verbindung zw. Schottky-Photodiode, integriertem Widerstand und Zuleitung zur Metallelektrode
18.a Integrierter Widerstand
18.b Integrierter Widerstand
18.c Integrierter Widerstand
18.d Integrierter Widerstand
18.e Integrierter Widerstand
18.f Integrierter Widerstand
18.g Integrierter Widerstand
18.h Integrierter Widerstand
19.a Masseanschluß des integrierten Widerstandes
19.b Masseanschluß des integrierten Widerstandes
19.c Masseanschluß des integrierten Widerstandes
19.d Masseanschluß des integrierten Widerstandes
19.e Masseanschluß des integrierten Widerstandes
19.f Masseanschluß des integrierten Widerstandes
19.g Masseanschluß des integrierten Widerstandes
19.h Masseanschluß des integrierten Widerstandes
20.a Anschluß zum ohmschen Kontakt
20.b Anschluß zum ohmschen Kontakt
20.c Anschluß zum ohmschen Kontakt
20.d Anschluß zum ohmschen Kontakt
20.e Anschluß zum ohmschen Kontakt
20.f Anschluß zum ohmschen Kontakt
20.g Anschluß zum ohmschen Kontakt
20.h Anschluß zum ohmschen Kontakt
21 Flüssige Linse
22 Geometrie der Austrittsöffnung
23 Externe konstantspannungsquelle
24 Masseanschluß
25 Geometrischer Strahlengang
26 Abstandshalter
27 Halterung
28 Optisches Abbildungssystem
29 Abbildungsfläche
30 Abbildungslinse
31 Elliptischer Austrittsstrahl
d Abstand zw. Halbleiterlaser und adaptivem optischen Abbildungssystem
Claims (14)
1. Adaptives optisches Abbildungssystem zur Abbildung eines von einem
Halbleiterlaser emittierten Strahlenbündels auf eine Abbildungsfläche, bei dem
die in Richtung parallel zur Übergangszonenfläche des Halbleiterlasers
emittierten Lichtstrahlen des Strahlenbündels und die in Richtung senkrecht zur
Übergangszonenfläche des Halbleiterlasers emittierten Lichtstrahlen des
Strahlenbündels unterschiedliche Divergenzursprungspunkte aufweisen,
dadurch gekennzeichnet, daß eine flüssige Linse (21), bestehend aus einer
elektrolytischen Lösung, planparallel zur Oberfläche des Lasers (6) an der
Lichtaustrittsseite angeordnet ist und mindestens ein elektrisches Feld derart
angelegt ist, daß die Linse (21) verzerrt wird.
2. Adaptives optisches Abbildungssystem nach Patentanspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß mehrere elektrische Felder, vorzugsweise acht angelegt
werden.
3. Adaptives optisches Abbildungssystem nach Patentanspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß die elektrischen Felder ringförmig um die Linse (21)
angeordnet sind.
4. Adaptives optisches Abbildungssystem nach einem oder mehreren der
Patentansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erzeugung der
elektrischen Felder Metallelektroden (12.a-12.h) um die Linse (21) angeordnet
sind.
5. Adaptives optisches Abbildungssystem nach einem oder mehreren der
Patentansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Linse (21) auf einem
planparallel zur Oberfläche des Lasers (6) angeordneten Glasplättchen (9)
angeordnet ist.
6. Adaptives optisches Abbildungssystem nach einem oder mehreren der
Patentansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß eine der Anzahl der
Metallelektroden (12.a-12.h) entsprechende Anzahl Photodioden, insbesonders
Schottky-Photodioden (14.a-14.h), oder pn-Photodioden als Meßaufnehmer
um die Austrittsöffnung (5) angeordnet sind.
7. Adaptives optisches Abbildungssystem nach einem oder mehreren der
Patentansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Austrittsöffnung (5)
kreisförmig ausgebildet ist.
8. Adaptives optisches Abbildungssystem nach einem oder mehreren der
Patentansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Austrittsöffnung (5)
eine beliebige geometrische Form, insbesonders eine Acht-förmige Form,
aufweist.
9. Adaptives optisches Abbildungssystem nach einem oder mehreren der
Patentansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß um die Linse (21) ein
Käfig mit einem nach innen weisenden Rand derart angeordnet ist, daß beim
Umdrehen des Lasers (6) ein Herauslaufen der Linse verhindert wird.
10. Adaptives optisches Abbildungssystem nach einem oder mehreren der
Patentansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterlaser (6)
auf eine Halterung (27) montiert ist.
11. Adaptives optisches Abbildungssystem nach einem oder mehreren der
Patentansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Halterung (27) in
einen Abstandshalter (26) einsetzbar ist.
12. Adaptives optisches Abbildungssystem nach einem oder mehreren der
Patentansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß am oberen Ende des
Abstandshalters (26) das Glasplättchen (9) einsetzbar ist.
13. Adaptives optisches Abbildungssystem zur Abbildung eines von einem
Halbleiterlaser emittierten Strahlenbündels auf eine Abbildungsfläche, bei dem
die in Richtung parallel zur Übergangszonenfläche des Halbleiterlasers
emittierten Lichtstrahlen des Strahlenbündels und die in Richtung senkrecht zur
Übergangszonenfläche des Halbleiterlasers emittierten Lichtstrahlen des
Strahlenbündels unterschiedliche Divergenzursprungspunkte aufweisen,
dadurch gekennzeichnet, daß eine Flüssigkeit als Linse (21) in eine Membran
oder dergleichen eingebracht, insbesondere eingeschweißt, ist, die planparallel
zur Oberfläche des Lasers (6) an der Lichtaustrittsseite angeordnet ist und
mechanisch oder elektromechanisch verzerrbar ist.
14. Adaptives optisches Abbildungssystem nach Anspruch 13, dadurch
gekennzeichnet, daß die Flüssigkeit durch einen Piezo-Kristall verzerrt wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1996123270 DE19623270C2 (de) | 1996-06-11 | 1996-06-11 | Adaptives optisches Abbildungssystem zur Abbildung eines von einem Laser emittierten Strahlenbündels |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1996123270 DE19623270C2 (de) | 1996-06-11 | 1996-06-11 | Adaptives optisches Abbildungssystem zur Abbildung eines von einem Laser emittierten Strahlenbündels |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19623270A1 true DE19623270A1 (de) | 1998-01-15 |
DE19623270C2 DE19623270C2 (de) | 1998-05-20 |
Family
ID=7796631
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1996123270 Expired - Lifetime DE19623270C2 (de) | 1996-06-11 | 1996-06-11 | Adaptives optisches Abbildungssystem zur Abbildung eines von einem Laser emittierten Strahlenbündels |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19623270C2 (de) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1271218A1 (de) * | 2001-06-19 | 2003-01-02 | Lucent Technologies Inc. | Steuerbare flüssige Mikrolinse |
US6545815B2 (en) | 2001-09-13 | 2003-04-08 | Lucent Technologies Inc. | Tunable liquid microlens with lubrication assisted electrowetting |
DE10162816A1 (de) * | 2001-12-19 | 2003-07-03 | Sunyx Surface Nanotechnologies | Optischer Schalter |
US6674940B2 (en) | 2001-10-29 | 2004-01-06 | Lucent Technologies Inc. | Microlens |
US6891682B2 (en) | 2003-03-03 | 2005-05-10 | Lucent Technologies Inc. | Lenses with tunable liquid optical elements |
US6936196B2 (en) | 2002-03-12 | 2005-08-30 | Lucent Technologies Inc. | Solidifiable tunable liquid microlens |
US7106519B2 (en) | 2003-07-31 | 2006-09-12 | Lucent Technologies Inc. | Tunable micro-lens arrays |
US7110646B2 (en) | 2002-03-08 | 2006-09-19 | Lucent Technologies Inc. | Tunable microfluidic optical fiber devices and systems |
EP1739461A1 (de) * | 2005-06-29 | 2007-01-03 | Wavelight Laser Technologie AG | Flüssigkeitslinsensystem und dessen Verwendung in einem Kunstauge, einem Akkommodationsmessgerät und einem Dioptriefernrohr |
US7412938B2 (en) | 2005-09-15 | 2008-08-19 | Lucent Technologies Inc. | Structured surfaces with controlled flow resistance |
US7666665B2 (en) | 2005-08-31 | 2010-02-23 | Alcatel-Lucent Usa Inc. | Low adsorption surface |
US8287808B2 (en) | 2005-09-15 | 2012-10-16 | Alcatel Lucent | Surface for reversible wetting-dewetting |
US8721161B2 (en) | 2005-09-15 | 2014-05-13 | Alcatel Lucent | Fluid oscillations on structured surfaces |
US8734003B2 (en) | 2005-09-15 | 2014-05-27 | Alcatel Lucent | Micro-chemical mixing |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2643364A1 (de) * | 1975-09-29 | 1977-04-07 | Western Electric Co | Linsenanordnung zur umwandlung der emissionsstrahlung eines injektionslasers mit streifenfoermiger geometrie in eine solche mit sphaerischer wellenfront |
DE2817525C2 (de) * | 1977-04-27 | 1986-05-22 | Quantel S.A., Orsay | Optisches System mit veränderbarer Brennweite |
DE2917221C2 (de) * | 1978-04-28 | 1991-10-31 | Canon K.K., Tokio/Tokyo, Jp | |
DE4212779A1 (de) * | 1992-04-16 | 1993-10-21 | Zeiss Carl Fa | Laser und Steuer- und Regelverfahren dafür |
-
1996
- 1996-06-11 DE DE1996123270 patent/DE19623270C2/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2643364A1 (de) * | 1975-09-29 | 1977-04-07 | Western Electric Co | Linsenanordnung zur umwandlung der emissionsstrahlung eines injektionslasers mit streifenfoermiger geometrie in eine solche mit sphaerischer wellenfront |
DE2817525C2 (de) * | 1977-04-27 | 1986-05-22 | Quantel S.A., Orsay | Optisches System mit veränderbarer Brennweite |
DE2917221C2 (de) * | 1978-04-28 | 1991-10-31 | Canon K.K., Tokio/Tokyo, Jp | |
DE4212779A1 (de) * | 1992-04-16 | 1993-10-21 | Zeiss Carl Fa | Laser und Steuer- und Regelverfahren dafür |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
DE-Buch: Lexikon der Optik, H. Haferkorn, Hrsg., Hanau: Dausien 1988, S. 13-14 * |
DE-Buch: Optische Telekommunikationssysteme, W. Haist, Hrsg., Bd. I: Physik und Technik, Gelsenkirchen-Buer: Damm-Verlag KG, 1989,S. 73-74 * |
JP 61-56 303 A in Patents Abstracts of Japan, P-482, July 31, 1986, Vol. 10, No. 220 * |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1271218A1 (de) * | 2001-06-19 | 2003-01-02 | Lucent Technologies Inc. | Steuerbare flüssige Mikrolinse |
US6538823B2 (en) | 2001-06-19 | 2003-03-25 | Lucent Technologies Inc. | Tunable liquid microlens |
US6545815B2 (en) | 2001-09-13 | 2003-04-08 | Lucent Technologies Inc. | Tunable liquid microlens with lubrication assisted electrowetting |
US6674940B2 (en) | 2001-10-29 | 2004-01-06 | Lucent Technologies Inc. | Microlens |
DE10162816A1 (de) * | 2001-12-19 | 2003-07-03 | Sunyx Surface Nanotechnologies | Optischer Schalter |
US7110646B2 (en) | 2002-03-08 | 2006-09-19 | Lucent Technologies Inc. | Tunable microfluidic optical fiber devices and systems |
US6936196B2 (en) | 2002-03-12 | 2005-08-30 | Lucent Technologies Inc. | Solidifiable tunable liquid microlens |
US6891682B2 (en) | 2003-03-03 | 2005-05-10 | Lucent Technologies Inc. | Lenses with tunable liquid optical elements |
US7106519B2 (en) | 2003-07-31 | 2006-09-12 | Lucent Technologies Inc. | Tunable micro-lens arrays |
US7253958B2 (en) | 2003-07-31 | 2007-08-07 | Lucent Technologies Inc. | Tunable micro-lens arrays |
WO2007000280A1 (de) * | 2005-06-29 | 2007-01-04 | Wavelight Ag. | Kunstauge und messgerät zum messen der akkommodation eines auges |
EP1739461A1 (de) * | 2005-06-29 | 2007-01-03 | Wavelight Laser Technologie AG | Flüssigkeitslinsensystem und dessen Verwendung in einem Kunstauge, einem Akkommodationsmessgerät und einem Dioptriefernrohr |
US7855839B2 (en) | 2005-06-29 | 2010-12-21 | Wavelight Ag | Artificial eye and measuring instrument for measuring the accommodation of an eye |
US7666665B2 (en) | 2005-08-31 | 2010-02-23 | Alcatel-Lucent Usa Inc. | Low adsorption surface |
US7412938B2 (en) | 2005-09-15 | 2008-08-19 | Lucent Technologies Inc. | Structured surfaces with controlled flow resistance |
US8287808B2 (en) | 2005-09-15 | 2012-10-16 | Alcatel Lucent | Surface for reversible wetting-dewetting |
US8721161B2 (en) | 2005-09-15 | 2014-05-13 | Alcatel Lucent | Fluid oscillations on structured surfaces |
US8734003B2 (en) | 2005-09-15 | 2014-05-27 | Alcatel Lucent | Micro-chemical mixing |
US9681552B2 (en) | 2005-09-15 | 2017-06-13 | Alcatel Lucent | Fluid oscillations on structured surfaces |
US9839908B2 (en) | 2005-09-15 | 2017-12-12 | Alcatel Lucent | Micro-chemical mixing |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE19623270C2 (de) | 1998-05-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0984312B1 (de) | Laserdiodenanordnung | |
DE2760057C2 (de) | Vorrichtung zum berührungslosen optischen Auslesen von Information von einem Aufzeichnungsträger | |
DE19623270C2 (de) | Adaptives optisches Abbildungssystem zur Abbildung eines von einem Laser emittierten Strahlenbündels | |
WO2001027686A1 (de) | Vorrichtung zur symmetrierung der strahlung von linearen optischen emittern | |
DE2451018B2 (de) | Injektions-Halbleiterlasereinrichtung | |
EP1482721A1 (de) | Vorrichtung zum Erfassen von in einer Phosphorschicht enthaltenen Informationen | |
DE2643364A1 (de) | Linsenanordnung zur umwandlung der emissionsstrahlung eines injektionslasers mit streifenfoermiger geometrie in eine solche mit sphaerischer wellenfront | |
DE2555744B2 (de) | Magnetische linse | |
DE2828286A1 (de) | Vorrichtung zur optischen abtastung | |
DE2459091C3 (de) | Strahlerzeugungssystem einer Kathodenstrahlröhre | |
EP0590393B1 (de) | Halbleiter-Lasermodul | |
DE69921739T2 (de) | Bildaufzeichnungsgerät | |
WO2005085934A1 (de) | Vorrichtung zur erzeugung eines linearen fokusbereichs einer laserlichtquelle | |
DE3413748A1 (de) | Optisches system | |
EP1381906B1 (de) | Anordnung für die korrektur von von einer laserlichtquelle ausgehender laserstrahlung sowie verfahren zur herstellung der anordnung | |
DE10246198A1 (de) | Anordnung zum Schweißen mittels Laserstrahlung | |
DE3743837C2 (de) | ||
EP3577514B1 (de) | Vorrichtung zur kollimation eines lichtstrahls, hochleistungslaser und fokussieroptik sowie verfahren zum kollimieren eines lichtstrahles | |
DE19841285C1 (de) | Optische Anordnung zur Verwendung bei einer Laserdiodenanordnung sowie Diodenlaser | |
EP1482328A1 (de) | Vorrichtung zum Erfassen von in einer Phosphorschicht enthaltenen Informationen | |
DE10062453A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Überlagerung von Strahlenbündeln | |
DE2922128C2 (de) | ||
AT371271B (de) | Optische ausleseeinheit | |
DE19947022C2 (de) | Verfahren zur Linsenjustage eines optischen Empfängerbauelements | |
DE102015105738B4 (de) | Vorrichtung zur Erzeugung eines optischen Linienmusters |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH & CO. OHG, 93049 RE |
|
8381 | Inventor (new situation) |
Free format text: REBEL, JUERGEN, 82347 BERNRIED, DE |
|
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH, 93049 REGENSBURG, |
|
R071 | Expiry of right |