DE102014117972A1 - Optoelektronische Komponente und Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Komponente - Google Patents

Optoelektronische Komponente und Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Komponente Download PDF

Info

Publication number
DE102014117972A1
DE102014117972A1 DE102014117972.2A DE102014117972A DE102014117972A1 DE 102014117972 A1 DE102014117972 A1 DE 102014117972A1 DE 102014117972 A DE102014117972 A DE 102014117972A DE 102014117972 A1 DE102014117972 A1 DE 102014117972A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
optoelectronic
electrode
layer
metallization
various embodiments
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE102014117972.2A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102014117972B4 (de
Inventor
Ludwig Dittmar
Dirk Meinhold
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG
Original Assignee
Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG filed Critical Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG
Publication of DE102014117972A1 publication Critical patent/DE102014117972A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102014117972B4 publication Critical patent/DE102014117972B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04042—Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12043—Photo diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12044—OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals

Abstract

Verschiedene Ausführungsformen beziehen sich auf eine optoelektronische Komponente (100), die Folgendes aufweist: eine elektronische Schaltungsstruktur mit einer elektronischen Schaltung und einer Metallisierungsstruktur (104), die über der elektronischen Schaltung angeordnet ist, wobei die Metallisierungsstruktur (104) eine oder mehrere Kontaktstellen (104c) aufweist, die mit der elektronischen Schaltung elektrisch verbunden sind; und eine optoelektronische Struktur (108), die über der Metallisierungsstruktur (104) angeordnet ist, wobei die optoelektronische Struktur (108) mindestens eine Elektrodenstruktur aufweist, die mit der einen oder den mehreren Kontaktstellen (104c) in direktem Kontakt steht, wobei die Elektrodenstruktur ein stromlos plattiertes elektrisch leitfähiges Material aufweist.

Description

  • Verschiedene Ausführungsformen beziehen sich im Allgemeinen auf eine optoelektronische Komponente und ein Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Komponente.
  • Im Allgemeinen kann eine optoelektronische Komponente wie beispielsweise eine Leuchtdiode (LED) oder eine organische Leuchtdiode (OLED) auf einem Träger hergestellt werden, wobei der Träger für die spezifische Wellenlänge des Lichts, das von der Diode abgestrahlt wird, in Abhängigkeit vom Typ der Leuchtdiode transparent sein kann oder nicht, z. B. kann die Diode eine oben emittierende Diode, eine unten emittierende Diode oder eine Diode, die Licht in verschiedenen Richtungen emittiert, sein. Eine Leuchtdiode kann mindestens zwei Elektroden, eine Anode und eine Kathode, umfassen, die durch ein elektrolumineszentes Material (z. B. durch eine sogenannte Emitterschicht oder Emitterstruktur) getrennt sind, so dass Licht von der Leuchtdiode in Reaktion auf einen elektrischen Strom oder ein elektrisches Feld emittiert werden kann, das zwischen den mindestens zwei Elektroden angelegt wird. Die Elektroden können ein elektrisch leitfähiges Material umfassen, das einen Ladungsträgertransport in das elektrolumineszente Material ermöglicht. Das Licht kann vom elektrolumineszenten Material aufgrund der Rekombination von Elektronen und Löchern, die beispielsweise in das elektrolumineszente Material injiziert werden, emittiert werden.
  • Verschiedene Ausführungsformen beziehen sich auf eine optoelektronische Komponente, die Folgendes umfasst: eine elektronische Schaltungsstruktur mit einer elektronischen Schaltung und einer Metallisierungsstruktur, die über der elektronischen Schaltung angeordnet ist, wobei die Metallisierungsstruktur eine oder mehrere Kontaktstellen umfasst, die mit der elektronischen Schaltung elektrisch verbunden sind; und eine optoelektronische Struktur, die über der Metallisierungsstruktur angeordnet ist, wobei die optoelektronische Struktur mindestens eine Elektrodenstruktur umfasst, die mit der einen oder den mehreren Kontaktstellen in direktem Kontakt steht, wobei die Elektrodenstruktur ein stromlos plattiertes elektrisch leitfähiges Material umfasst.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die elektronische Schaltung eine komplementäre Metalloxid-Halbleiterschaltung umfassen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann zumindest ein Teil der elektronischen Schaltung als Treiberschaltung für die optoelektronische Struktur ausgelegt sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die optoelektronische Struktur als optoelektronische Vorrichtung ausgelegt sein, die aus einer Gruppe von optoelektronischen Vorrichtungen ausgewählt ist, wobei die Gruppe aus Folgendem besteht: einer Lichtemissionsvorrichtung; einer Photovoltaikzelle; und einem optoelektronischen Sensor.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die optoelektronische Struktur mindestens eine Leuchtdiode umfassen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die mindestens eine Leuchtdiode als organische Leuchtdiode ausgelegt sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die eine oder die mehreren Kontaktstellen der Metallisierungsstruktur Kupfer und/oder Aluminium umfassen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Elektrodenstruktur mindestens ein Material der folgenden Gruppe von Materialien umfassen, wobei die Gruppe aus Folgendem besteht: Silber; Gold; und Kupfer.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Metallisierungsstruktur mindestens eine erste Kontaktstelle, die elektrisch leitfähig mit der peripheren elektronischen Komponente verbunden ist, und mindestens eine zweite Kontaktstelle, die mit der mindestens einen Elektrodenstruktur elektrisch leitfähig verbunden ist, umfassen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Elektrodenstruktur mehrere Elektroden umfassen, wobei jede Elektrode der mehreren Elektroden mit einer entsprechenden Kontaktstelle der einen oder der mehreren Kontaktstellen der Metallisierungsstruktur gekoppelt sein kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die eine oder die mehreren Kontaktstellen der Metallisierungsstruktur seitlich in ein dielektrisches Material eingebettet sein, wobei zumindest ein Teil einer Oberfläche von jeder der einen oder der mehreren Kontaktstellen vom dielektrischen Material frei sein kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die Kontaktstellen der mehreren Kontaktstellen eine Metallstruktur und eine Auskleidungsstruktur umfassen, wobei die Auskleidungsstruktur zumindest teilweise die Metallstruktur umgibt, um eine Diffusionsbarriere zwischen der Metallstruktur und der dielektrischen Struktur zu schaffen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die optoelektronische Komponente ferner Folgendes umfassen: eine Passivierungsschichtstruktur, die über der Metallisierungsstruktur angeordnet ist, wobei die Elektrodenstruktur der optoelektronischen Struktur seitlich in die Passivierungsschichtstruktur eingebettet sein kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine optoelektronische Komponente Folgendes umfassen: eine Metallisierungsstruktur, die über einem Träger angeordnet ist, wobei die Metallisierungsstruktur mindestens eine Kontaktstelle umfasst; eine optoelektronische Struktur, die über der Metallisierungsstruktur angeordnet ist, wobei die optoelektronische Struktur mindestens eine Elektrode umfasst, die mit der mindestens einen Kontaktstelle der Metallisierungsstruktur in direktem Kontakt steht, wobei die Elektrode stromlos plattiertes Gold und/oder stromlos plattiertes Silber umfassen kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Komponente Folgendes umfassen: Bereitstellen einer Metallisierungsstruktur, die über einem Träger angeordnet ist, wobei die Metallisierungsstruktur mindestens eine Kontaktstelle umfasst; Ausbilden einer optoelektronischen Struktur über der Metallisierungsstruktur, wobei die optoelektronische Struktur mindestens eine Elektrodenstruktur umfasst, die mit der mindestens einen Kontaktstelle der Metallisierungsstruktur in direktem Kontakt steht, wobei die Elektrodenstruktur ein stromlos plattiertes elektrisch leitfähiges Material umfassen kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Bereitstellen einer Metallisierungsstruktur, die über einem Träger angeordnet ist, das Bereitstellen einer Metallisierungsstruktur, die über einer elektronischen Schaltung angeordnet ist, umfassen, wobei die elektronische Schaltung über und/oder in dem Träger angeordnet ist.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Ausbilden einer optoelektronischen Struktur das Ausbilden einer Lichtemissionsvorrichtung umfassen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Ausbilden einer optoelektronischen Struktur das Ausbilden einer Leuchtdiode umfassen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Ausbilden einer optoelektronischen Struktur das Ausbilden einer organischen Leuchtdiode umfassen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Metallisierungsstruktur in der Kupferätztechnologie und/oder Aluminiumätztechnologie ausgebildet werden, so dass die mindestens eine Kontaktstelle der Metallisierungsstruktur Kupfer und/oder Aluminium umfassen kann.
  • In den Zeichnungen beziehen sich gleiche Bezugszeichen im Allgemeinen auf dieselben Teile in den ganzen verschiedenen Ansichten. Die Zeichnungen sind nicht notwendigerweise maßstäblich, wobei stattdessen die Betonung im Allgemeinen auf die Erläuterung der Prinzipien der Erfindung gelegt ist. In der folgenden Beschreibung werden verschiedene Ausführungsformen der Erfindung mit Bezug auf die folgenden Zeichnungen beschrieben, in denen:
  • 1A bis 1C jeweils eine optoelektronische Komponente in einer schematischen Querschnittsansicht oder Seitenansicht gemäß verschiedenen Ausführungsformen zeigen;
  • 1D eine Metallisierungsstruktur und eine optoelektronische Struktur, die über der Metallisierungsstruktur angeordnet ist, in einer schematischen Querschnittsansicht oder Seitenansicht gemäß verschiedenen Ausführungsformen zeigt;
  • 2A und 2B jeweils eine Metallisierungsstruktur und eine Elektrodenstruktur, die über der Metallisierungsstruktur angeordnet ist, in einer schematischen Querschnittsansicht oder einer Seitenansicht gemäß verschiedenen Ausführungsformen zeigen;
  • 3A und 3B jeweils eine Metallisierungsstruktur und eine optoelektronische Struktur, die über der Metallisierungsstruktur angeordnet ist, in einer schematischen Querschnittsansicht oder Seitenansicht gemäß verschiedenen Ausführungsformen zeigen;
  • 4A und 4B jeweils eine optoelektronische Komponente in einer schematischen Querschnittsansicht oder Seitenansicht gemäß verschiedenen Ausführungsformen zeigen;
  • 4C und 4D jeweils eine detaillierte Ansicht einer optoelektronischen Komponente in einer schematischen Querschnittsansicht oder Seitenansicht gemäß verschiedenen Ausführungsformen zeigen;
  • 5A bis 5C jeweils eine optoelektronische Komponente in einer schematischen Querschnittsansicht oder Seitenansicht gemäß verschiedenen Ausführungsformen zeigen;
  • 6 und 7 jeweils ein schematisches Ablaufdiagramm eines Verfahrens zur Herstellung einer optoelektronischen Komponente gemäß verschiedenen Ausführungsformen zeigen; und
  • 8 und 9 jeweils den optischen Reflexionsgrad von verschiedenen Materialien in Abhängigkeit von der Wellenlänge des einfallenden Lichts gemäß verschiedenen Ausführungsformen darstellen.
  • Die folgende ausführliche Beschreibung bezieht sich auf die begleitenden Zeichnungen, die zur Erläuterung spezifische Details und Ausführungsformen zeigen, in denen die Erfindung ausgeführt werden kann.
  • Das Wort "beispielhaft" wird hier verwendet, um "als Beispiel, Fall oder Erläuterung dienend" zu besagen. Irgendeine Ausführungsform oder Konstruktion, die hier als "beispielhaft" beschrieben wird, soll nicht notwendigerweise als bevorzugt oder vorteilhaft gegenüber anderen Ausführungsformen oder Konstruktionen aufgefasst werden.
  • Das Wort "über", das im Hinblick auf ein abgeschiedenes Material verwendet wird, das "über" einer Seite oder Oberfläche ausgebildet ist, kann hier verwendet werden, um zu besagen, dass das abgeschiedene Material "direkt auf", z. B. in direktem Kontakt mit, der implizierten Seite oder Oberfläche ausgebildet sein kann. Das Wort "über", das im Hinblick auf ein abgeschiedenes Material verwendet wird, das "über" einer Seite oder Oberfläche ausgebildet ist, kann hier verwendet werden, um zu besagen, dass das abgeschiedene Material "indirekt" auf der implizierten Seite oder Oberfläche ausgebildet sein kann, wobei eine oder mehrere zusätzliche Schichten zwischen der implizierten Seite oder Oberfläche und dem abgeschiedenen Material angeordnet sind.
  • Der Begriff "seitlich", der im Hinblick auf die "seitliche" Ausdehnung einer Struktur (oder eines Trägers) oder "seitlich" umgebend verwendet wird, kann hier verwendet werden, um eine Ausdehnung entlang einer zu einer Oberfläche eines Trägers parallelen Richtung zu besagen. Dies bedeutet, dass eine Oberfläche eines Trägers (z. B. eine Oberfläche eines Substrats oder eine Oberfläche eines Wafers) als Referenz dienen kann, die üblicherweise als Hauptbearbeitungsoberfläche eines Wafers (oder Hauptbearbeitungsoberfläche eines anderen Typs von Träger) bezeichnet wird. Ferner kann der Begriff "Breite", der im Hinblick auf eine "Breite" einer Struktur (oder eines Strukturelements) verwendet wird, hier verwendet werden, um die seitliche Ausdehnung einer Struktur zu besagen. Ferner kann der Begriff "Höhe", der im Hinblick auf eine Höhe einer Struktur (oder eines Strukturelements) verwendet wird, hier verwendet werden, um eine Ausdehnung einer Struktur entlang einer zur Oberfläche eines Trägers senkrechten Richtung (z. B. senkrecht zur Hauptbearbeitungsoberfläche eines Trägers) zu besagen.
  • Im Allgemeinen wurden Halbleiterindustrieprozesse entwickelt, um Schichten mit hoher Qualität (auch als Dünnfilme oder dünne Schichten bezeichnet) zu schaffen, wobei die Schichten beispielsweise mit einer gewünschten (vordefinierten) Dicke und/oder Morphologie ausgebildet sein können. Ferner kann die Schicht so vorgesehen sein, dass sie einen großen Bereich von gewünschten (vordefinierten) Eigenschaften verwirklicht, z. B. Kantenabdeckungsverhalten, elektronische Eigenschaften, optische Eigenschaften und/oder chemische Eigenschaften. Die Dünnfilmtechnologie oder Schichtungstechnologie kann die Herstellung einer elektronischen Vorrichtung, beispielsweise einer optoelektronischen Vorrichtung, ermöglichen, die auf einem Wafer oder Träger unter Verwendung von Prozessen der Halbleiterindustrie ausgebildet werden kann. Es können jedoch Probleme beim Züchten beispielsweise von glatten Schichten aus verschiedenen Materialien oder Schaffen von glatten dünnen Schichten entstehen, da die Schichtwachstumsmechanismen eine bestimmte Oberflächenrauheit in Abhängigkeit von den zu züchtenden Materialien, dem Material des Substrats oder Trägers und den Wachstumsbedingungen (oder dem angewendeten spezifischen Schichtungsprozess) verursachen können.
  • Im Allgemeinen kann es eine große Anzahl von anwendbaren Abscheidungsprozessen oder Schichtungsprozessen geben, z. B. physikalische Gasphasenabscheidungsprozesse (PVD), chemische Gasphasenabscheidungsprozesse (CVD), die verwendet werden können, um eine Schicht oder einen Dünnfilm eines spezifischen Materials auszubilden (zu züchten oder abzuscheiden). Dadurch können Metalle, metallische Materialien und organische Materialien beispielsweise in einem sogenannten Inselwachstum (Volmer-Weber-Wachstum) oder einem gemischten Wachstum, einschließlich Inselwachstum (Stranski-Krastanov-Wachstum), wachsen. Für Schichtungsprozesse, die ein Inselwachstum des abgeschiedenen Materials vorsehen oder umfassen, kann die Oberflächenrauheit der Schicht im Vergleich zu einer Schicht durch Schichtwachstum (Frank-van-der-Merwe-Wachstum) groß sein. Ferner kann das Inselwachstum eine unterschiedliche Mikrostruktur und/oder Morphologie der abgeschiedenen Schicht verursachen, so dass die physikalischen Eigenschaften der gezüchteten Schicht sich von einer Schicht unterscheiden können, die unter Verwendung eines schichtweisen Wachstums ausgebildet wird.
  • Daher kann es eine Herausforderung sein, eine glatte Schicht oder einen glatten Dünnfilm auf einem Träger zu züchten. Die Morphologie und die Mikrostruktur eines Dünnfilms oder einer Schicht können jedoch die physikalischen (optischen und elektrischen) Eigenschaften des Dünnfilms oder der Schicht beeinflussen und bestimmen. Die Steuerung der Morphologie und der Mikrostruktur während des Dünnfilmwachstums können in der Halbleiterbearbeitung z. B. für Schichtungsprozesse, Strukturierungsprozesse und dergleichen vorteilhaft sein. Ein wesentlicher Teil der Morphologie einer gezüchteten (ausgebildeten oder abgeschiedenen) Schicht kann in der Oberflächenrauheit der Schicht widergespiegelt werden, wobei ein weiterer Aspekt des Dünnfilmwachstums die Mikrostruktur der Schicht angehen kann (z. B. Korngröße, Korngrenzen, Risse, Verlagerungen, Defekte, Spannung und dergleichen). Die Oberflächenrauheit einer Schicht kann durch die vertikalen Abweichungen einer realen Oberfläche von der jeweiligen Form der entsprechenden idealen Form der Oberfläche quantifiziert werden. Die Rauheit kann als RMS-Rauheit (mittlere quadratische Rauheit) quantifiziert werden, wobei die vertikalen Abweichungen der Höhe (oder Dicke) des Dünnfilms oder der Schicht mit dem arithmetischen Wert der Höhe oder Dicke korreliert sein können.
  • Im Allgemeinen kann es schwierig und/oder teuer sein, die Oberflächenrauheit der Schichten während der Herstellung zu steuern. Einerseits kann das Verringern der Oberflächenrauheit beispielsweise die Herstellungskosten der Schichten oder Vorrichtungen mit den glatten Schichten erhöhen. Andererseits kann das Verringern der Oberflächenrauheit die elektrischen und optischen Eigenschaften des Dünnfilms oder der Schicht verbessern. Das Verringern der Oberflächenrauheit einer Schicht kann ferner das Wachstum von glatten Schichten auf der Schicht ermöglichen, so dass die physikalischen und chemischen Eigenschaften eines ganzen Schichtstapels oder einer Vorrichtung unter Verwendung einer glatteren Schicht als primäre Schicht verbessert werden können. Wie hier beschrieben, kann eine glattere Schicht oder eine glatte Schicht eine kleinere Rauheit (z. B. RMS-Rauheit) im Vergleich zu einer anderen Schicht oder anderen Schichten, die durch üblicherweise verwendete Techniken ausgebildet werden, aufweisen.
  • Im Allgemeinen kann eine elektronische Schaltung (oder analog eine integrierte Schaltung) eine Metallisierungsstruktur, eine sogenannte Metallisierung (z. B. eine Einebenen-Metallisierung mit einer einzelnen Verdrahtungsschicht oder eine Mehrebenen-Metallisierung mit mehreren Verdrahtungsschichten, die in einem Schichtstapel angeordnet sind), umfassen, wobei die Metallisierungsstruktur beispielsweise die elektrische Verbindung zwischen elektronischen Schaltungsstrukturen zum Ermöglichen der Funktion der elektronischen Schaltung schaffen kann und/oder wobei die Metallisierungsstruktur beispielsweise einen Zugang zur elektronischen Schaltung schaffen kann, z. B. um die elektronische Schaltung mit einer peripheren Vorrichtung oder Komponente elektrisch zu verbinden. Eine Verdrahtungsschicht kann eine strukturierte dielektrische Schicht oder eine dielektrische Schichtstruktur mit einem elektrisch isolierenden Material (z. B. einem dielektrischen Material) umfassen, wobei die dielektrische Schicht oder die dielektrische Schichtstruktur dazu ausgelegt sein kann, Aussparungen, Leerstellen, Löcher, Durchgangslöcher und/oder dergleichen zu schaffen, die mit einem elektrisch leitfähigen Material gefüllt sind, um die elektrische Verdrahtung der Verdrahtungsschicht zu schaffen; die elektrische Verdrahtung kann beispielsweise eine oder mehrere Metallleitungen, eine oder mehrere Durchkontaktierungen und eine oder mehrere Kontaktstrukturen umfassen. Eine Kontaktstruktur kann beispielsweise mindestens eine Kontaktstelle umfassen, die an einer oberen Oberfläche der Verdrahtungsschicht freiliegt, so dass ein Zugang zur elektrischen Verdrahtung vorgesehen werden kann. Im Allgemeinen kann die Metallisierungsstruktur einer elektronischen Schaltung unter den Aspekten der Kosteneffizienz, Bearbeitbarkeit, Haltbarkeit und dergleichen optimiert werden.
  • Das Ausbilden einer Schicht (oder eines Dünnfilms) oder einer Schichtstruktur (oder einer Dünnfilmstruktur) über einer leicht bearbeiteten Metallisierung, wobei die Schicht oder Schichtstruktur die jeweils erwünschten chemischen und physikalischen Eigenschaften aufweisen kann, kann jedoch schwierig sein, da eine üblicherweise verwendete Metallisierung nicht die optimale Basis für eine Schicht oder Schichtstruktur schaffen kann. Verschiedene hier beschriebene Ausführungsformen können auf der Erkenntnis basieren, dass eine verbesserte Elektrodenstruktur für eine optoelektronische Struktur über einer Metallisierung über einen stromlosen Abscheidungsprozess, z. B. mit Silber und/oder Gold, ausgebildet werden kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine optoelektronische Struktur beispielsweise über einer Metallisierung einer elektronischen Schaltung ausgebildet werden, wobei die optoelektronische Struktur mindestens eine Elektrodenstruktur umfassen kann, die mit der elektrischen Verdrahtung der Metallisierung in Kontakt oder in direktem Kontakt steht (z. B. elektrisch leitfähig verbunden), z. B. mit mindestens einer Kontaktstelle (z. B. einer oder mehreren Kontaktstellen) der Metallisierung oder mit der Kontaktstruktur der Metallisierung. Da die optischen Eigenschaften und/oder die elektrischen Eigenschaften der optoelektronischen Struktur durch die physikalischen und/oder chemischen Eigenschaften der mindestens einen Elektrodenstruktur (z. B. durch die Leitfähigkeit, die Bandstruktur, die optischen Eigenschaften, das Reflexionsvermögen, den Durchlassgrad, die Morphologie, die Oberflächenmorphologie, die Oberfläche und die Grenzflächenphysik und dergleichen) beeinflusst werden können, kann es erwünscht sein, eine optimale Elektrodenstruktur für die jeweilige optoelektronische Struktur über der Metallisierung vorzusehen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können dieselben hier beschriebenen Aspekte auch für eine optoelektronische Struktur gelten, die über einer Metallisierung eines Trägers, z. B. über einer Metallisierung eines Glasträgers, über einer Metallisierung eines Metallträgers oder über einer Metallisierung irgendeines anderen Typs von Träger, z. B. über einer Metallisierung eines Halbleiterträgers, ausgebildet werden soll.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Metallisierung über einem Träger oder über einer elektronischen Schaltung bereitgestellt werden, die Metallisierung kann eine oder mehrere Kontaktstellen umfassen, die an einer oberen Oberfläche der Metallisierung freiliegen, die eine oder die mehreren Kontaktstellen können beispielsweise Kupfer und/oder Aluminium umfassen, z. B. kann die Metallisierung in der Kupferätztechnologie, Aluminiumätztechnologie oder in einer sogenannten Doppeldamaszentechnik mit Kupfer und/oder Aluminium ausgebildet werden.
  • Da Aluminium üblicherweise zum Bereitstellen von Elektroden von optoelektronischen Strukturen verwendet werden kann, umfassen üblicherweise angewendete Methoden zum Ausbilden einer optoelektronischen Struktur über einer Metallisierung das Bereitstellen einer auf Aluminium basierenden Elektrodenstruktur über der Metallisierung. Erläuternd können verschiedene hier beschriebene Ausführungsformen auf der Erkenntnis basieren, dass zuerst es schwierig sein kann, eine glatte und dichte Schicht aus Aluminium mit den gewünschten physikalischen Eigenschaften (z. B. Reflexionsvermögen) über einer Metallisierung auszubilden, und zweitens dass andere Materialien wie Silber und Gold geeignetere optische Eigenschaften (z. B. Reflexionsvermögen in einer gewünschten Farbe (einem gewünschten Wellenlängenbereich) des Lichts) zum Bereitstellen einer Elektrode einer optoelektronischen Vorrichtung, z. B. zum Bereitstellen einer Elektrode einer Lichtemissionsvorrichtung (LED) oder einer organischen Lichtemissionsvorrichtung (OLED), aufweisen können.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wurde erkannt, dass das Ausbilden einer Elektrode mit Silber und/oder Gold durch Anwenden eines stromlosen Abscheidungsprozesses das Ausbilden einer Elektrodenstruktur über einer Metallisierung mit Kupfer und/oder Aluminium ermöglichen kann, wobei die Elektrodenstruktur überlegene optische Eigenschaften aufweist (die sich z. B. aus verbesserten physikalischen Eigenschaften wie einer verringerten Oberflächenrauheit oder einer dichten und homogenen Mikrostruktur ergeben).
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die hier bereitgestellte Elektrode ein hohes Reflexionsvermögen in Bezug auf das optische Spektrum der elektromagnetischen Strahlung aufweisen, z. B. aufgrund einer geringen Oberflächenrauheit, einer hohen elektrischen Leitfähigkeit und einer hohen Wärmeleitfähigkeit, z. B. aufgrund der dichten Mikrostruktur. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die niedrige Oberflächenrauheit ferner das Wachstum von zusätzlichen Schichten auf der Elektrode mit einer niedrigen Oberflächenrauheit und einer vorteilhaften Mikrostruktur ermöglichen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können sich die verbesserten physikalischen Eigenschaften aus den Materialien, die als Elektrodenmaterial verwendet werden, wobei die Materialien als Kontaktstellen unter der Elektrode verwendet werden, und/oder dem Herstellungsprozess, z. B. der stromlosen Abscheidung oder stromlosen Plattierung, ergeben, wie im Folgenden beschrieben. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Elektrode oder die Elektrodenstruktur, die hier beschrieben wird, beispielsweise Silber, z. B. eine Silberschicht mit einer Dicke, die kleiner als etwa 50 nm ist, mit beispielsweise einer Oberflächenrauheit (RMS), die kleiner als etwa 3 nm ist, umfassen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die hier beschriebene Elektrode oder Elektrodenstruktur beispielsweise Gold, z. B. eine Goldschicht mit einer Dicke, die kleiner ist als etwa 50 nm, mit beispielsweise einer Oberflächenrauheit (RMS), die kleiner ist als etwa 3 nm, umfassen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Elektrodenmaterial, das die Elektrodenstruktur der optoelektronischen Struktur bildet, stromlos direkt auf die freiliegende Oberfläche der Kupfer- und/oder Aluminiumkontakte der Metallisierungsstruktur plattiert werden. Mit anderen Worten, eine auf Kupfer und/oder Aluminium basierende Metallisierungsstruktur kann als Basis zum Ausbilden der Elektrodenstruktur der optoelektronischen Struktur verwendet werden. Die Oberfläche der Metallisierungsstruktur, die mit der Elektrodenstruktur in direktem Kontakt steht, kann planarisiert werden. Die Anwendung einer stromlosen Abscheidung von Silber und/oder Gold über den Kontaktstellen der Metallisierung kann erstens eine Grenzfläche mit hoher Qualität und/oder eine hohe Haftung zwischen der Elektrodenstruktur (z. B. mit Silber) und der Metallisierungsstruktur (z. B. mit Kupfer- und/oder Aluminium-Kontaktstellen) und zweitens eine glatte und dichte obere Oberfläche der Elektrodenstruktur, die für eine weitere Bearbeitung freiliegt, z. B. zum Ausbilden eines optoelektronischen Schichtstapels über der Elektrodenstruktur, die eine optoelektronische Struktur bereitstellt, schaffen. Aufgrund der hohen Qualität der Elektrodenstruktur kann die Elektrode eine Basis für die weitere Bearbeitung schaffen und das Material der Elektrodenstruktur (oder das Material der Elektrode) kann einen optimalen Reflexionsgrad im gewünschten Wellenlängenbereich schaffen (siehe 8 und 9), die optoelektronische Struktur kann eine verbesserte Effizienz, eine verbesserte Lebensdauer und/oder Eigenschaften, die nahe den gewünschten (optimalen) Eigenschaften liegen, aufweisen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können eine optoelektronische Komponente (z. B. eine optoelektronische Vorrichtung oder ein Teil einer optoelektronischen Vorrichtung) und ein Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Komponente (oder Bearbeitung eines Trägers, um eine optoelektronische Komponente zu schaffen) hier bereitgestellt werden, wobei die optoelektronische Komponente in der Halbleitertechnologie ausgebildet werden kann.
  • Da es viele individuelle Prozesse geben kann, die bei der Halbleiterbearbeitung verwendet werden (z. B. während der Herstellung einer optoelektronischen Komponente, während der Herstellung einer Metallisierungsstruktur und/oder während der Herstellung einer optoelektronischen Struktur oder eines optoelektronischen Schichtstapels, z. B. während der Bearbeitung eines Trägers oder eines Wafers an der Vorderendstation und der Bearbeitung eines Trägers oder eines Wafers an der Hinterendstation), die gewöhnlich der Reihe nach ausgeführt werden, können mehrere Basisherstellungstechniken mindestens einmal im gesamten Herstellungsprozess verwendet werden. Die folgende Beschreibung der Basistechniken sollte als erläuternde Beispiele verstanden werden, wobei die Techniken in den hier beschriebenen Prozessen enthalten sein können oder wobei die Techniken verwendet werden können, um eine Kontaktstellenstruktur zu schaffen, wie hier beschrieben. Die beispielhaft beschriebenen Basistechniken können nicht notwendigerweise als bevorzugt oder vorteilhaft gegenüber anderen Techniken oder Verfahren aufgefasst werden müssen, da sie nur zum Erläutern, wie eine oder mehrere Ausführungsformen der Erfindung ausgeführt werden können, dienen. Der Kürze halber kann die Erläuterung von beispielhaft beschriebenen Basistechniken nur ein kurzer Überblick sein und sollte nicht als erschöpfende Spezifikation betrachtet werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Ausbilden einer Schicht (z. B. Abscheiden einer Schicht, Abscheiden eines Materials und/oder Anwenden eines Schichtungsprozesses), wie hier beschrieben, auch das Ausbilden einer Schicht umfassen, wobei die Schicht verschiedene Unterschichten umfassen kann, wobei verschiedene Unterschichten jeweils verschiedene Materialien umfassen können. Mit anderen Worten, verschiedene unterschiedliche Unterschichten können in einer Schicht enthalten sein oder verschiedene unterschiedliche Bereiche können in einer abgeschiedenen Schicht und/oder in einem abgeschiedenen Material enthalten sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann mindestens eine Schichtung oder mindestens ein Schichtungsprozess in einem Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Komponente oder während des Ausbildens einer Metallisierungsstruktur (einer dielektrischen Schicht oder einer Verdrahtungsschicht), während des Ausbildens einer elektronischen Schaltung oder während des Ausbildens einer optoelektronischen Struktur verwendet werden, wie hier beschrieben. In einem Schichtungsprozess kann eine Schicht (im Allgemeinen auch als Film oder Dünnfilm bezeichnet) über einer Oberfläche (z. B. über einem Träger, über einem Wafer, über einem Substrat, über einer anderen Schicht, über mehreren Strukturelementen und dergleichen) unter Verwendung von Abscheidungstechniken, die chemische Gasphasenabscheidung (CVD oder einen CVD-Prozess) und/oder physikalische Gasphasenabscheidung (PVD oder einen PVD-Prozess) gemäß verschiedenen Ausführungsformen umfassen können, abgeschieden werden. Die Dicke einer abgeschiedenen Schicht kann im Bereich von einigen Nanometern bis zu mehreren Mikrometern in Abhängigkeit von ihrer spezifischen Funktion liegen. Die Dicke einer abgeschiedenen Schicht kann als räumliche Ausdehnung der abgeschiedenen Schicht entlang ihrer Wachstumsrichtung betrachtet werden. Dünne Schichten im Bereich von einigen Nanometern, z. B. mit einer Schichtdicke, die kleiner ist als 50 nm, können unter Verwendung einer Atomschichtabscheidung (ALD) ausgebildet werden. Eine konforme Schicht, die z. B. die Seitenwände eines Strukturelements bedeckt oder vertikale Seitenwände bedeckt, kann unter Verwendung einer Atomschichtabscheidung (ALD) oder eines anderen geeigneten konformen Abscheidungsprozesses ausgebildet werden, wie beispielsweise chemische Niederdruck-Gasphasenabscheidung (LPCVD).
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine abgeschiedene (ausgebildete oder bereitgestellte) Schicht ein elektrisch isolierendes Material, ein elektrisch halbleitendes Material und/oder ein elektrisch leitfähiges Material in Abhängigkeit von der jeweiligen spezifischen Funktion der abgeschiedenen Schicht umfassen. Gemäß verschiedenem Ausführungsformen können elektrisch leitfähige Materialien, wie beispielsweise Aluminium, Aluminium-Silizium-Legierungen, Aluminium-Kupfer-Legierungen, Kupfer, Nichrom (eine Legierung aus Nickel, Chrom und/oder Eisen), Wolfram, Titan, Titannitrid, Molybdän, Platin, Gold, Kohlenstoff (Graphit) oder dergleichen, unter Verwendung eines CVD-Prozesses oder eines PVD-Prozesses abgeschieden werden. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können halbleitende Materialien, wie beispielsweise Silizium (z. B. Silizium, polykristallines Silizium (auch als Polysilizium bezeichnet) oder amorphes Silizium), Germanium, ein Halbleiterverbundmaterial wie z. B. Galliumarsenid (GaAs), Indiumphosphid (InP) oder Indiumgalliumarsenid (InGaAs), unter Verwendung eines CVD-Prozesses abgeschieden werden. Isolationsmaterialien, wie beispielsweise Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxynitrid, Metalloxide (z. B. Aluminiumoxid), organische Verbindungen, Polymere (oder dergleichen) können unter Verwendung eines CVD-Prozesses oder eines PVD-Prozesses abgeschieden werden. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können Modifikationen dieser Prozesse verwendet werden, wie im Folgenden beschrieben.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein chemischer Gasphasenabscheidungsprozess (CVD-Prozess) eine Vielfalt von Modifikationen umfassen, wie beispielsweise Atmosphärendruck-CVD (APCVD), Niederdruck-CVD (LPCVD), Ultrahochvakuum-CVD (UHVCVD), plasmagestützte CVD (PECVD), CVD mit hochdichtem Plasma (HDPCVD), entfernte plasmagestützte CVD (RPECVD), Atomschicht-CVD (ALCVD), Dampfphasenepitaxie (VPE), metallorganische CVD (MOCVD), physikalische Hybrid-CVD (HPCVD) und dergleichen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können Silizium, Polysilizium, amorphes Silizium, Siliziumdioxid, Siliziumnitrid und dergleichen unter Verwendung von LPCVD oder ALCVD abgeschieden werden. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können beispielsweise Platin, Palladium, Gold, Titannitrid, Titanoxid unter Verwendung von Atomschichtabscheidung (ALD oder ALCVD) abgeschieden werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein physikalischer Gasphasenabscheidungsprozess eine Vielfalt von Modifikationen umfassen, wie beispielsweise Magnetronsputtern, Ionenstrahlsputtern (IBS), reaktives Sputtern, Hochleistungs-Impulsmagnetronsputtern (HIPIMS), Vakuumverdampfung, Molekularstrahlepitaxie (MBE) und dergleichen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Schichtungsprozess ferner thermische Oxidation (auch als thermischer Oxidationsprozess bezeichnet) umfassen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die thermische Oxidation verwendet werden, um Siliziumoxidschichten mit hoher Qualität (eine sogenannte Hochtemperatur-Oxidschicht (HTO)) auf einer Siliziumoberfläche, z. B. bei Temperaturen im Bereich von etwa 800 °C bis etwa 1200 °C, zu züchten. Die thermische Oxidation kann bei Atmosphärendruck oder bei Hochdruck und als weitere Modifikation als schneller thermischer Oxidationsprozess (RTO) durchgeführt werden. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann auch eine thermische Nitridierung angewendet werden, um Nitrid- oder Oxynitridschichten mit hoher Qualität (z. B. Siliziumnitridschichten oder Siliziumoxynitridschichten), z. B. unter Verwendung von schneller thermischer Nitridierung (z. B. bei Temperaturen bis zu etwa 1300 °C), zu erzeugen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ferner ein Prozess, der angewendet werden kann, um eine Metallschicht zu erzeugen, Plattieren, z. B. Elektroplattieren oder stromloses Plattieren, sein. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Plattierungsprozess zum Ausbilden einer Metallverdrahtungsstruktur oder einer Metallisierungsstruktur verwendet werden. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Metallisierungsstruktur beispielsweise eine oder mehrere Metallleitungen und eine oder mehrere Durchkontaktierungen und eine oder mehrere Kontaktstellen umfassen, die beispielsweise an der oberen Oberfläche einer Metallisierungsschicht freiliegen.
  • Es sollte beachtet werden, dass eine Vielfalt von Kombinationen von Materialien und Prozessen in einem Schichtungsprozess gemäß verschiedenen Ausführungsformen verwendet werden kann. In Abhängigkeit von spezifischen Aspekten oder gewünschten Eigenschaften der auszubildenden Schicht, wie beispielsweise Kristallqualität, Oberflächenrauheit, Kantenabdeckungsverhalten, Wachstumsgeschwindigkeit und Ausbeute, kann der am besten geeignete Prozess für das jeweilige Material gemäß verschiedenen Ausführungsformen angewendet werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können einige Prozesse während der Herstellung einer optoelektronischen Komponente eine konform abgeschiedene Schicht oder das konforme Abscheiden einer Schicht (z. B. zum Ausbilden eines Schichtstapels über einer Seitenwand eines Strukturelements) erfordern, was bedeutet, dass eine Schicht (oder ein Material, das eine Schicht bildet) nur kleine Dickenvariationen entlang einer Grenzfläche mit einem anderen Körper aufweisen kann, z. B. kann eine Schicht nur kleine Dickenvariationen entlang Kanten, Stufen oder anderen Elementen der Morphologie der Grenzfläche aufweisen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können Schichtungsprozesse wie z. B. Plattieren, Atomschichtabscheidung (ALD) oder mehrere CVD-Prozesse (z. B. ALCVD oder LPCVD), Plattieren (z. B. stromloses (ELESS) Plattieren), geeignet sein, um eine konforme Schicht oder eine konform abgeschiedene Schicht eines Materials zu erzeugen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können einige Prozesse während der Herstellung einer optoelektronischen Komponente das Ausbilden einer sehr glatten Materialschicht z. B. mit einer Oberflächenrauheit (RMS), die kleiner ist als etwa 5 nm, z. B. kleiner als etwa 3 nm, z. B. im Bereich von etwa 1 nm bis etwa 5 nm, z. B. kleiner als etwa 1 nm, erfordern.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann mindestens eine Strukturierung oder mindestens ein Strukturierungsprozess zum Ausbilden einer optoelektronischen Komponente, einer optoelektronischen Struktur (eines LED- oder OLED-Schichtstapels), einer Metallisierungsstruktur, einer Kontaktstellenstruktur (z. B. einer oder mehreren Kontaktstellen) und dergleichen verwendet werden, wie hier beschrieben. Ein Strukturierungsprozess kann das Entfernen von ausgewählten Abschnitten einer Oberflächenschicht oder eines Materials umfassen. Nachdem eine Oberflächenschicht teilweise entfernt sein kann, kann ein Muster (oder eine strukturierte Schicht oder eine strukturierte Oberflächenschicht oder mehrere Strukturelemente) über und/oder in der darunterliegenden Struktur verbleiben (z. B. kann eine strukturierte Basisschicht auf einer darunterliegenden Struktur bleiben). Da mehrere Prozesse beteiligt sein können, bestehen gemäß verschiedenen Ausführungsformen verschiedene Möglichkeiten, einen Strukturierungsprozess durchzuführen, wobei Aspekte Folgende sein können: Auswählen zumindest eines Abschnitts einer Oberflächenschicht (oder zumindest eines Abschnitts eines Materials oder mindestens eines Abschnitts eines Wafers), der entfernt werden soll, z. B. über mindestens einen Lithographieprozess; und Entfernen der ausgewählten Abschnitte einer Oberflächenschicht z. B. über mindestens einen Ätzprozess.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Vielfalt von Lithographieprozessen angewendet werden, die eine lithographische Maske (eine sogenannte Photomaske) erzeugen, wie beispielsweise Photolithographie, Mikrolithographie oder Nanolithographie, Elektronenstrahl-Lithographie, Röntgenstrahl-Lithographie, Lithographie im extremen Ultraviolett (EUV oder EUVL), Interferenzlithographie und dergleichen. Ein Lithographieprozess kann einen anfänglichen Reinigungsprozess, einen Vorbereitungsprozess, Aufbringen eines Resists (z. B. Photoresists), Belichten des Resists (z. B. Belichten des Photoresists mit einem Muster von Licht) und/oder Entwickeln des Resists (z. B. Entwickeln des Photoresists unter Verwendung eines chemischen Photoresistentwicklers) umfassen.
  • Ein Reinigungsprozess, der in einem Lithographieprozess enthalten sein kann (oder der in einem allgemeinen Prozess bei der Halbleiterbearbeitung enthalten sein kann) kann angewendet werden, um organische oder anorganische Verunreinigungen (oder Material) von einer Oberfläche (z. B. von einer Oberflächenschicht, von einem Träger, von einem Wafer und dergleichen) beispielsweise über eine nasschemische Behandlung zu entfernen. Der Reinigungsprozess kann mindestens einen der folgenden Prozesse umfassen: RCA-(Radio Corporation of America)Reinigung (auch als organische Reinigung (SC1) und Ionenreinigung (SC2) bekannt); SCROD (Einzelwafer-Schleuderreinigung mit wiederholter Verwendung von ozonisiertem Wasser und verdünntem HF); IMEC-Waferreinigung; Reinigungsprozess durch chemisch-mechanisches Nachpolieren (Nach-CMP); Reinigen über deionisiertes Wasser (DIW); Piranha-Ätzen und/oder Metallätzen; (und dergleichen). Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Reinigungsprozess auch zum Entfernen einer dünnen Oxidschicht (z. B. einer dünnen Siliziumoxidschicht) von einer Oberfläche (z. B. von einer Oberflächenschicht, von einem Träger oder von einem Wafer und dergleichen) angewendet werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Vorbereitungsprozess, der in einem Lithographieprozess enthalten sein kann, angewendet werden, um die Haftung des Photoresists an einer Oberfläche (z. B. an einer Oberflächenschicht, an einem Träger oder an einem Wafer und dergleichen) zu fördern. Der Vorbereitungsprozess kann das Aufbringen eines flüssigen oder gasförmigen Haftvermittlers (z. B. Bis(trimethylsilyl)amin (HMDS)) umfassen.
  • Ein Resist, der in einem Lithographieprozess enthalten sein kann, kann aufgebracht werden, um eine Oberfläche (z. B. eine Oberflächenschicht, einen Träger oder einen Wafer und dergleichen) homogen zu bedecken. Das Aufbringen eines Resists kann Aufschleudern umfassen, um eine dünne Schicht des Resists zu erzeugen. Danach kann ein Resist gemäß verschiedenen Ausführungsformen vorgebrannt werden, um überschüssiges Resistlösungsmittel auszutreiben. Mehrere Typen von Resists (z. B. eines Photoresists) können an den Prozess des Belichtens des Resists angepasst, um gewünschte Ergebnisse zu erreichen, verwendet werden. Positive Photoresists (z. B. DNQ-Novolak, PMMA, PMIPK, PBS und dergleichen) können verwendet werden und/oder negative Photoresists (z. B. SU-8, Polyisopren, COP und dergleichen) können verwendet werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Lithographieprozess das Belichten eines Resists umfassen, so dass ein gewünschtes Muster auf den Resist übertragen werden kann, z. B. unter Verwendung von Licht oder Elektronen, wobei das gewünschte Muster durch eine strukturierte Maske (z. B. einen Glasträger mit einer strukturierten Chromschicht) definiert sein kann. Eine maskenlose Lithographie kann angewendet werden, wobei ein präziser Strahl (z. B. ein Elektronenstrahl oder ein Laserstrahl), ohne eine Maske zu verwenden, direkt auf die Oberfläche mit dem Resist projiziert werden kann. Die Wellenlänge des verwendeten Lichts kann im Bereich von der Wellenlänge des sichtbaren Lichts bis zu einer kleineren Wellenlänge im Ultraviolettbereich liegen. Die Belichtung kann unter Verwendung von Röntgenstrahlen oder Elektronen mit einer noch kürzeren Wellenlänge als Ultraviolettlicht durchgeführt werden. Projektionsbelichtungssysteme (Schrittmotoren oder Abtaster) können verwendet werden, die die Maske viele Male auf eine Oberfläche mit einem Resist projizieren, um das vollständige Belichtungsmuster zu erzeugen.
  • Ein Lithographieprozess kann das Entwickeln eines Resists (z. B. Entwickeln eines Photoresists unter Verwendung eines Photoresistentwicklers) umfassen, um teilweise den Resist zu entfernen, was eine strukturierte Resistschicht erzeugt, die auf der Oberfläche (z. B. auf einer Oberflächenschicht oder auf einem Träger, einem Wafer und dergleichen) verbleibt. Das Einwickeln einschließlich Resist kann ein Nachbelichtungsbrennen (eine Wärmebehandlung, z. B. schnelle Wärmebearbeitung) umfassen, bevor der eigentliche Entwicklungsprozess durchgeführt werden kann. Der Entwicklungsprozess kann eine chemische Lösung (einen sogenannten Entwickler) wie beispielsweise Natriumhydroxid oder Tetramethylammoniumhydroxid (TMAH, einen metallionenfreien Entwickler) umfassen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der restliche strukturierte Resist in einem Hartbrennprozess (einer Wärmebehandlung, z. B. schnellen thermischen Bearbeitung) verfestigt werden, der eine haltbarere Schutzschicht für spätere Prozesse wie beispielsweise Ionenimplantation, nasschemisches Ätzen oder Plasmaätzen (und dergleichen) verwirklicht.
  • Unabhängig von den beschriebenen Lithographieprozessen kann ein Resist in einer gewünschten Bearbeitungsstufe (z. B. nachdem ein Ätzprozess, Ionenimplantationsprozess und/oder ein Abscheidungsprozess durchgeführt wurden) in einem sogenannten Resistablöseprozess vollständig entfernt werden. Ein Resist kann chemisch und/oder unter Verwendung von Sauerstoffplasma entfernt werden.
  • Es sollte beachtet werden, dass ein Lithographieprozess, einschließlich des Aufbringens eines Resists, Belichtens eines Resists und Entwickelns eines Resists, auch als Strukturierungsprozess betrachtet werden kann, wobei eine strukturierte Resistschicht (eine weiche Maske oder eine Resistmaske) durch den Lithographieprozess erzeugt werden kann. Anschließend kann ein Muster von einer strukturierten Resistschicht auf eine vorher abgeschiedene oder gezüchtete Schicht (oder einen Träger und dergleichen) unter Verwendung eines Ätzprozesses übertragen werden, wobei die vorher abgeschiedene oder gezüchtete Schicht ein hartes Maskenmaterial wie beispielsweise ein Oxid oder ein Nitrid (z. B. Siliziumoxid, z. B. Siliziumnitrid), das eine sogenannte harte Maske erzeugt, umfassen kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Ätzprozess, der beispielsweise in einem Strukturierungsprozess enthalten sein kann oder der zum Ausbilden einer Aussparung verwendet werden kann, angewendet werden, um Material von einer vorher abgeschiedenen Schicht, einer gezüchteten Oberflächenschicht, einem Träger (oder Substrat oder Wafer) und dergleichen zu entfernen. Ein Ätzprozess kann dazu ausgelegt sein und in Abhängigkeit von den spezifischen Anforderungen für den gewünschten Prozess durchgeführt werden. Ein Ätzprozess kann einen Nassätzprozess und/oder einen Trockenätzprozess umfassen. Ein Ätzprozess kann in Bezug auf zwei verschiedene Materialien selektiv oder nicht selektiv sein oder kann so ausgelegt sein, dass er selektiv oder nicht selektiv ist, wobei ein selektiver Ätzprozess eine andere Ätzrate für ein erstes Material als für ein zweites Material vorsehen kann und ein nicht selektiver Ätzprozess dieselbe Ätzrate für ein erstes Material und ein zweites Material vorsehen kann. Ein Ätzprozess kann isotrop oder anisotrop sein oder kann so ausgelegt sein, dass er isotrop oder anisotrop ist, wobei ein anisotroper Ätzprozess verschiedene Ätzraten entlang verschiedener räumlicher Richtungen aufweisen kann und ein isotroper Ätzprozess dieselben Ätzraten entlang aller räumlichen Richtungen aufweisen kann. Ein Ätzprozess kann aufgrund von verschiedenen Ätzraten entlang verschiedener Kristallrichtungen des zu ätzenden Materials anisotrop sein. Ein Ätzprozess unter Verwendung eines Maskierungsmaterials und ein Trockenätzprozess (z. B. Plasmaätzen oder reaktives Ionenätzen) können das Ausbilden von anisotropen Strukturen, z. B. Aussparungen, ermöglichen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein selektiver Ätzprozess ein spezifisches Ätzmittel (z. B. ein Nassätzmittel, z. B. ein Plasmaätzmittel) umfassen, das das Ätzen mindestens eines gewünschten Materials, während ein anderes Material verschont wird, ermöglichen kann, z. B. kann ein freigelegter Bereich einer Schicht oder eines Trägers entfernt (geätzt) werden, während ein Maskenmaterial (oder ein anderes Material) verbleiben kann. Siliziumdioxid kann im Vergleich zu Silizium unter Verwendung von Fluorwasserstoffsäure (HFaq) als Ätzmittel selektiv entfernt (geätzt) werden. Siliziumdioxid kann zusammen mit Silizium unter Verwendung eines Gemisches von Salpetersäure und Fluorwasserstoffsäure (HNO3/HFaq) als Ätzmittel (nicht selektiv) entfernt (geätzt) werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein anisotroper Nassätzprozess eine unterschiedliche Ätzrate entlang einer jeweiligen Kristallrichtung eines spezifischen Materials aufzeigen. Ein Nassätzprozess mit Kaliumhydroxid (KOH) als Ätzmittel kann durchgeführt werden, um Silizium (z. B. einen Siliziumwafer) anisotrop zu ätzen. Ein Nassätzprozess mit (HNO3/HFaq) als Ätzmittel kann durchgeführt werden, um Silizium (z. B. einen Siliziumwafer) isotrop zu ätzen. Ein anisotroper Trockenätzprozess kann eine unterschiedliche Ätzrate für Oberflächen mit einer spezifischen geometrischen Ausrichtung aufzeigen. Ein physikalischer Ätzprozess kann angewendet werden (z. B. Ionenstrahlfräsen, z. B. Plasmaätzen), um eine anisotrope Entfernung eines Materials durchzuführen.
  • Um eine tiefe Eindringung, ein Loch mit steiler Seite und/oder einen Graben in einem Material (z. B. in einem Wafer, in einem Substrat, in einer abgeschiedenen oder gezüchteten Schicht und dergleichen) zu erzeugen, kann ferner tiefes reaktives Ionenätzen (DRIE) angewendet werden. Ein Impulsätzen (zeitmultiplexiertes Ätzen) kann angewendet werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine strukturierte Schicht auch als Maske (eine sogenannte harte Maske) für andere Prozesse wie Ätzen, Ionenimplantation und/oder Schichten dienen. Ferner kann ein strukturierter Photoresist auch als Maske (eine sogenannte weiche Maske) dienen. Das Maskenmaterial kann gewöhnlich im Hinblick auf spezifische Bedürfnisse wie beispielsweise chemische Stabilität ausgewählt werden, z. B. um einen selektiven Ätzprozess durchzuführen, der sich nicht auf das Maskenmaterial auswirkt (der z. B. das Maskenmaterial nicht vollständig wegätzen kann), oder mechanische Stabilität, z. B. um Bereiche davor zu schützen, dass sie von Ionen durchdrungen werden, oder um die Form der erzeugten Strukturelemente während eines Schichtungsprozesses zu definieren, und dergleichen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Wärmebehandlung zum Ausbilden einer optoelektronischen Komponente, einer optoelektronischen Struktur (eines LED- oder OLED-Schichtstapels), einer Metallisierungsstruktur und/oder einer Kontaktstellenstruktur (z. B. einer oder mehrerer Kontaktstellen) angewendet werden, oder eine Wärmebehandlung kann in verschiedenen Prozessen (oder in verschiedenen Prozessstufen) während der Herstellung einer optoelektronischen Komponente enthalten sein, wie hier beschrieben, z. B. in Kombination mit einem Strukturierungsprozess, nach dem Aufbringen eines Photoresists und/oder nach der Abscheidung von elektrischen Kontakten, um das elektrisch leitfähige Material (z. B. ein Metall) mit einem Träger (oder mit der darunterliegenden Struktur) zu legieren oder optimale Abscheidungsbedingungen für einen Schichtungsprozess zu schaffen. Die Erwärmung eines Trägers (eines Wafers, eines Substrats und dergleichen) kann mit direktem Kontakt, z. B. einer Heizplatte oder durch Strahlung z. B. unter Verwendung eines Lasers oder von Lampen durchgeführt werden. Eine schnelle thermische Bearbeitung (RTP) kann angewendet werden, die unter Vakuumbedingungen unter Verwendung einer Laserheizvorrichtung oder Lampenheizvorrichtung durchgeführt werden kann, wobei ein Material (z. B. ein Wafer, ein Substrat, ein Träger und dergleichen) bis auf mehrere hundert Grad Celsius oder bis auf etwa 1000 °C oder noch mehr innerhalb einer kurzen Zeitdauer, z. B. innerhalb mehrerer Sekunden (z. B. etwa 1 s bis etwa 10 s), aufgeheizt werden kann. Teilmengen der schnellen thermischen Bearbeitung sind schnelle thermische Ausheilung (RTA) und schnelle thermische Oxidation (RTO).
  • Mindestens ein Metallisierungsprozess kann zur Herstellung einer Kontaktstellenstruktur oder einer Metallisierungsstruktur angewendet werden. Eine Metallisierung kann mit mindestens einem Strukturelement einer elektronischen Schaltung (oder mit mindestens einer Struktur auf einem Träger) in direktem Kontakt stehen, wobei ein Metallisierungsprozess verwendet werden kann, um erforderliche elektrische Verbindungen (oder gegenseitige Verbindungen) für die elektronische Schaltung und/oder eine integrierte Schaltung auf einem Träger vorzusehen. Ein Metallisierungsprozess (Ausbilden einer Metallisierung) kann mindestens einen Schichtungsprozess und mindestens einen Strukturierungsprozess umfassen. Ein Metallisierungsprozess kann das Abscheiden einer Schicht eines dielektrischen Materials (z. B. eines dielektrischen Materials mit niedrigem κ, z. B. undotiertes Silikatglas und dergleichen), das Ausbilden von Kontaktlöchern an den gewünschten Stellen (z. B. unter Verwendung mindestens eines Strukturierungsprozesses) und das Füllen der Kontaktlöcher mit mindestens einem elektrisch leitfähigen Material (z. B. mit einem Metall (z. B. Aluminium, Kupfer, Wolfram, Titan, Molybdän, Gold, Platin und dergleichen), einem metallischen Material (z. B. Titannitrid, Platinsilizid, Titansilizid, Wolframsilizid, Molybdänsilizid und dergleichen), elektrisch leitfähigem Polysilizium und/oder einer Metalllegierung (z. B. Aluminium-Silizium-Legierungen, Aluminium-Kupfer-Legierungen, Aluminium-Silizium-Kupfer-Legierungen, Nichrom, Titan-Wolfram-Legierungen und dergleichen) unter Verwendung eines Schichtungsprozesses umfassen. Ferner kann ein Metallisierungsprozess (oder ein Metallisierungsprozess) das Ausbilden von zusätzlichen Schichten beispielsweise als Barriere (z. B. mit Molybdän, einem Übergangsmetallnitrid (z. B. Titannitrid), Platinsilizid, Titansilizid, Wolframsilizid, Molybdänsilizid, Boriden, Tantal, Wolfram und dergleichen) und/oder als Haftvermittler (z. B. mit Platinsilizid, Titansilizid, Wolframsilizid, Molybdänsilizid und/oder dergleichen) umfassen. Ferner kann eine dielektrische Schicht einen Schichtstapel umfassen, z. B. eine oder mehrere Schichten, die übereinander angeordnet sind, einschließlich beispielsweise Siliziumoxid, Siliziumnitrid und/oder Siliziumoxynitrid. Siliziumoxid, Siliziumnitrid und/oder Siliziumoxynitrid können als endgültige dielektrische Schicht oder endgültige Passivierungsschicht auf der Metallisierung verwendet werden. Ferner kann ein Dielektrikum zwischen Ebenen oder ein Dielektrikum zwischen Schichten (ILD) verwendet werden, um die Komponenten einer Verdrahtungsstruktur (z. B. Verbindungsleitungen, Kontaktstellen und dergleichen), die in mehreren Ebenen einer Mehrebenen-Metallisierung angeordnet sind oder in einer Metallisierungsschicht einer Mehrebenen-Metallisierung angeordnet sind, elektrisch zu trennen. Das ILD kann ein dielektrisches Material mit niedrigem κ (z. B. Siliziumoxid, poröses Silizium und dergleichen) umfassen, um die elektrische Kopplung zwischen benachbarten Komponenten der Verdrahtungsstruktur zu verringern.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Anwenden eines Metallisierungsprozesses ferner eine Planarisierung einer Trägeroberfläche (Waferoberfläche, Substratoberfläche und dergleichen) und/oder eine Planarisierung von Zwischenschichten, die in einem Mehrebenen-Metallisierungsprozess enthalten sind (z. B. unter Verwendung von chemisch-mechanischem Polieren (CMP)), umfassen.
  • Ein Planarisierungsprozess kann beispielsweise angewendet werden, um die Oberflächenrauheit zu verringern oder Variationen im Tiefenprofil einer Oberfläche eines Trägers mit Strukturelementen mit verschiedenen Höhen zu verringern, da einige Prozesse eine flache Oberfläche (eine planare Oberfläche) erfordern können (z. B. Lithographie mit hoher Auflösung). Ein Planarisierungsprozess kann erwünscht sein, wenn die Anzahl von durchgeführten Schichtungsprozessen und Strukturierungsprozessen zunimmt und wenn eine planare Oberfläche erforderlich sein kann. Ein chemisch-mechanischer Polierprozess (CMP oder CMP-Prozess) kann durchgeführt werden, wobei dieser Prozess für spezifische Materialien auf der Oberfläche eines Trägers (eines Wafers, eines Substrats, einer Substratschicht und dergleichen) selektiv sein kann. Ein chemisch-mechanischer Polierprozess (CMP) kann durchgeführt werden, wobei dieser Prozess für spezifische Materialien auf der Oberfläche eines Trägers (eines Wafers, eines Substrats, einer Oberflächenschicht und dergleichen) nicht selektiv sein kann. Ein Planarisierungsprozess kann zusätzlich in mehreren Prozessen enthalten sein, z. B. in Schichtungsprozessen, Strukturierungsprozessen und dergleichen. Ein chemisch-mechanischer Polierprozess (CMP) kann verwendet werden, um eine Oberflächenschicht oder einen Teil einer Oberflächenschicht zu entfernen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein stromloser Plattierungsprozess beispielsweise angewendet werden, um eine dünne elektrisch leitfähige Schicht mit vorteilhaften mechanischen Eigenschaften, z. B. einer Grenzfläche mit hoher Qualität zum darunterliegenden Material und/oder einer hohen Haftung an der darunter liegenden Struktur, zu schaffen, wobei die dünne elektrisch leitfähige Schicht eine Elektrode für eine optoelektronische Struktur sein kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Träger (z. B. ein Substrat, ein Wafer und dergleichen) aus Halbleitermaterialien verschiedener Typen bestehen, einschließlich Silizium, Germanium, Gruppe III bis V oder anderen Typen, einschließlich beispielsweise Polymeren, obwohl in einer anderen Ausführungsform andere geeignete Materialien auch verwendet werden können. Das Wafersubstrat kann aus Silizium (dotiert oder undotiert) bestehen, in einer alternativen Ausführungsform kann das Wafersubstrat ein Wafer mit Silizium auf Isolator (SOI) sein. Als Alternative können beliebige andere geeignete Halbleitermaterialien für das Wafersubstrat verwendet werden, beispielsweise ein Halbleiterverbundmaterial wie z. B. Galliumarsenid (GaAs), Indiumphosphid (InP), aber auch irgendein geeignetes ternäres Halbleiterverbundmaterial oder quaternäres Halbleiterverbundmaterial wie z. B. Indiumgalliumarsenid (InGaAs). Ein Träger kann eine beschichtete Struktur, z. B. ein mit Silizium beschichtetes Metallband, und dergleichen umfassen. Ein Träger kann ferner ein Polymer, ein Laminat oder ein Metall umfassen. Ein Träger kann ferner eine Polymerfolie, Glas (z. B. Glas auf Siliziumoxidbasis) oder einen anderen geeigneten Träger, der in der Halbleitertechnologie bearbeitbar ist, umfassen.
  • Der Begriff "dielektrisch", wie hier mit Bezug auf ein dielektrisches Material, eine dielektrische Schicht, eine dielektrische Struktur und dergleichen verwendet, kann hier verwendet werden, um ein elektrisch isolierendes Material im Allgemeinen zu besagen. Ferner kann sich der Begriff "dielektrisch" auf ein sogenanntes Material mit niedrigem κ beziehen, wie typischerweise in Metallisierungsstrukturen in irgendeiner Halbleitertechnologie verwendet. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann mindestens eines der folgenden Materialien verwendet werden, um eine dielektrische Schicht oder eine dielektrische Struktur zu schaffen: Siliziumoxid (Dielektrizitätskonstante von 3,9) und ein Material mit einer kleineren Dielektrizitätskonstante als Siliziumoxid, z. B. mit Fluor dotiertes Siliziumdioxid, Fluorsilikatglas, mit Kohlenstoff dotiertes Siliziumdioxid, poröses Siliziumdioxid, poröses mit Kohlenstoff dotiertes Siliziumdioxid, organische Dielektrika, dielektrische Polymere, Polymerdielektrika auf Silikonbasis, Polynorbornene, Benzocyclobuten, Polytetrafluorethylen, Harze, Wasserstoffsilesquioxan (HSQ), Methylsilesquioxan (MSQ) und dergleichen
  • 1A zeigt schematisch eine optoelektronische Komponente 100 in einer Querschnittsansicht gemäß verschiedenen Ausführungsformen, wobei die optoelektronische Komponente 100 Folgendes umfassen kann: eine Metallisierungsstruktur 104, die über einem Träger 102 angeordnet ist, wobei die Metallisierungsstruktur 104 mindestens eine Kontaktstelle 104c umfasst; und eine optoelektronische Struktur 108, die über der Metallisierungsstruktur 104 angeordnet ist, wobei die optoelektronische Struktur mindestens eine Elektrode 108e umfasst, die mit der mindestens einen Kontaktstelle 104c der Metallisierungsstruktur 104 in direktem Kontakt steht, wobei die Elektrode 108e stromlos plattiertes Gold und/oder stromlos plattiertes Silber umfasst.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Träger 102 irgendein Material umfassen, das als Basis für eine Metallisierungsstruktur 104 geeignet ist, z. B. kann der Träger 102 Glas, Silizium (einen Siliziumwafer), ein Metall, eine Metallfolie, ein Polymer, eine Polymerfolie und die bereits beschriebenen Materialien umfassen. Ferner kann die Metallisierungsstruktur 104 über mindestens einer Oberfläche des Trägers 102 ausgebildet oder angeordnet sein, z. B. über einer oberen Oberfläche oder über einer Hauptbearbeitungsoberfläche des Trägers 102. Die Metallisierungsstruktur 104 kann die mindestens eine Oberfläche des Trägers 102 vollständig bedecken oder teilweise die mindestens eine Oberfläche des Trägers 102 bedecken. Wie beispielsweise in 1A gezeigt, kann die Metallisierungsstruktur 104 mit dem Träger 102 in direktem Kontakt stehen. Alternativ können eine oder mehrere zusätzliche Schichten zwischen der Metallisierungsstruktur 104 und dem Träger angeordnet sein, die z. B. als Diffusionsbarriere oder als Haftvermittler und dergleichen dienen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die optoelektronische Struktur 108 über der Metallisierungsstruktur 104 ausgebildet oder angeordnet sein, die z. B. mit der Metallisierungsstruktur 104 in direktem Kontakt steht. Die mindestens eine Elektrode 108e der optoelektronischen Struktur 108 kann über der mindestens einen Kontaktstelle 104c der Metallisierungsstruktur 104 ausgebildet oder angeordnet sein, die z. B. mit der mindestens einen Kontaktstelle 104c der Metallisierungsstruktur 104 in direktem Kontakt steht.
  • Wie in 1B in einer Querschnittsansicht dargestellt, kann eine optoelektronische Komponente 100 alternativ Folgendes umfassen: eine elektronische Schaltungsstruktur 110 mit einer elektronischen Schaltung 110c und einer Metallisierungsstruktur 104, die über der elektronischen Schaltung 110c angeordnet ist, die Metallisierungsstruktur 104 kann eine oder mehrere Kontaktstellen 104c (oder mindestens eine Kontaktstelle 104 oder mindestens eine Kontaktstellenstruktur 104) umfassen, die mit der elektronischen Schaltung 110c elektrisch verbunden sind; und eine optoelektronische Struktur 108, die über der Metallisierungsstruktur 104 angeordnet ist, wobei die optoelektronische Struktur 108 mindestens eine Elektrodenstruktur 108e (z. B. mindestens eine Elektrode, z. B. eine oder mehrere Elektrodenstrukturen) umfasst, die mit der einen oder den mehreren Kontaktstellen 104c in direktem Kontakt steht, wobei die Elektrodenstruktur 108e ein stromlos plattiertes elektrisch leitfähiges Material umfasst.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Metallisierungsstruktur 104 über mindestens einer Oberfläche der elektronischen Schaltung 110c, z. B. über einer oberen Oberfläche der elektronischen Schaltung 110c, ausgebildet oder angeordnet sein. Die Metallisierungsstruktur 104 kann die elektronische Schaltung 110c vollständig bedecken oder kann die elektronische Schaltung 110c teilweise bedecken. Die elektronische Schaltung 110c kann erläuternd der Träger für die Metallisierungsstruktur 104 sein. Die Metallisierungsstruktur 104 kann beispielsweise die Funktionalität der elektronischen Schaltung 110c bereitstellen, z. B. Verbinden von einem oder mehreren Strukturelementen (z. B. Transistoren, Schaltern, Dioden und dergleichen) der elektronischen Schaltung 110c. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Metallisierungsstruktur 104 elektrisch leitfähig mit der elektronischen Schaltung 110c verbunden sein. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können ein oder mehrere zusätzliche Schichten zwischen der Metallisierungsstruktur 104 und der elektronischen Schaltung 110c angeordnet sein, die z. B. als Diffusionsbarriere oder als Haftvermittler und dergleichen dienen, wobei diese eine oder mehreren zusätzlichen Schichten die elektrische Verbindung zwischen der Metallisierungsstruktur 104 und der elektronischen Schaltung 110c ermöglichen können. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die Metallisierungsstruktur 104 und die elektronische Schaltung 110c eine elektronische Schaltungsstruktur 110 bilden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die optoelektronische Struktur 108 über der Metallisierungsstruktur 104 ausgebildet oder angeordnet sein, z. B. mit der Metallisierungsstruktur 104 in direktem Kontakt stehen. Die mindestens eine Elektrode 108e der optoelektronischen Struktur 108 kann über der mindestens einen Kontaktstelle 104c der Metallisierungsstruktur 104 ausgebildet oder angeordnet sein, z. B. mit der mindestens einen Kontaktstelle 104c der Metallisierungsstruktur 104 in direktem Kontakt stehen, wie vorstehend beschrieben. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die elektronische Schaltung 110c eine integrierte Schaltung auf Siliziumbasis sein. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die elektronische Schaltungsstruktur 110 ein Teil eines Chips sein.
  • Wie in 1C in einer Querschnittsansicht dargestellt, kann die elektronische Schaltungsstruktur 110 (und die elektronische Schaltung 110c) alternativ über einem Träger 102 ausgebildet oder angeordnet sein, z. B. kann die elektronische Schaltung 110c über und/oder im Träger 102 ausgebildet oder angeordnet sein, wobei die Metallisierungsstruktur 104 über der elektronischen Schaltung 110c angeordnet sein kann. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die elektronische Schaltung 110c eine integrierte Schaltung sein, die über einem Siliziumwafer 102 ausgebildet ist. Wie vorher beschrieben, kann die optoelektronische Struktur 108 ferner über der Metallisierungsstruktur 104 angeordnet sein, wobei die optoelektronische Struktur 108 mindestens eine Elektrodenstruktur 108e (z. B. mindestens eine Elektrode, z. B. eine oder mehrere Elektrodenstrukturen) umfasst, die mit einer oder mehreren Kontaktstellen 104c der Metallisierungsstruktur 104 in direktem Kontakt stehen, wobei die Elektrodenstruktur 108e ein stromlos plattiertes elektrisch leitfähiges Material umfasst.
  • Im Folgenden wird die optoelektronische Komponente 100, die jeweils in 1A bis 1C dargestellt ist, genauer beschrieben.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Elektrode 108e (oder die Elektrodenstruktur 108e) im Wesentlichen dieselbe seitliche Ausdehnung wie die mindestens eine Kontaktstelle 104c aufweisen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die mindestens eine Kontaktstelle 104c eine seitliche Ausdehnung von etwa mehreren zehn Nanometern bis zu mehreren zehn Mikrometern, z. B. eine seitliche Ausdehnung (eine Breite) im Bereich von etwa 50 nm bis etwa 50 µm, z. B. im Bereich von etwa 100 nm bis etwa 10 µm; im Bereich von etwa 200 nm bis etwa 3 µm, aufweisen. Mit Bezug darauf kann mindestens eine Elektrode der Elektrodenstruktur 108e eine seitliche Ausdehnung von etwa mehreren zehn Nanometern bis zu mehreren zehn Mikrometern aufwiesen, z. B. eine seitliche Ausdehnung (eine Breite) im Bereich von etwa 50 nm bis etwa 50 µm, z. B. im Bereich von etwa 100 nm bis etwa 10 µm; im Bereich von etwa 50 µm, z. B. im Bereich von etwa 100 nm bis etwa 10 µm; im Bereich von etwa 200 nm bis etwa 3 µm.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Elektrode 108e oder die Elektrodenstruktur 108e, wie vorstehend beschrieben, eine glatte elektrisch leitfähige primäre Schicht schaffen, die als Elektrodenschicht in elektronischen Vorrichtungen und/oder in optoelektronischen Vorrichtungen verwendet werden kann, z. B. in Halbleitervorrichtungen, die Licht erzeugen und/oder umwandeln, z. B. in einer organischen Leuchtdiode (OLED), z. B. in einer OLED-Anzeige. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Elektrode 108e ein Teil mindestens einer der folgenden optoelektronischen Komponenten sein: eine Photodiode, eine Solarzelle, eine organische Photodiode, eine organische Solarzelle, ein Phototransistor, ein organischer Phototransistor, ein Photovervielfacher, ein organischer Photovervielfacher, ein integriertes optisches Schaltungselement (IOC-Element), ein organisches integriertes optisches Schaltungselement (IOC-Element), ein Photowiderstand, eine ladungsgekoppelte Abbildungsvorrichtung, ein organischer Photowiderstand, eine organische ladungsgekoppelte Abbildungsvorrichtung, eine Laserdiode, eine organische Laserdiode, ein Laser, eine Leuchtdiode (LED), eine organische LED (OLED), eine oben emittierende OLED, eine unten emittierende OLED, eine organische Leuchtdiode mit aktiver Matrix (AMOLED). Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die optoelektronische Struktur 108 dazu ausgelegt (entworfen) sein, die optoelektronische Komponente 100 bereitzustellen, wie vorher beschrieben.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die elektronische Schaltung 110c mindestens eine Komponente der folgenden Gruppe von Komponenten umfassen: einen Widerstand, einen Transistor (einen Feldeffekttransistor), einen Kondensator, einen Induktor, eine Diode, eine Verdrahtung oder einen leitfähigen Pfad, einen Träger oder ein Substrat. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die elektronische Schaltung 110c mindestens eine der folgenden umfassen: eine integrierte Schaltungsstruktur, einen Chip, ein Plättchen, einen Mikroprozessor, einen Mikrocontroller, eine Speicherstruktur, eine Logikschaltung, einen Sensor, einen Nanosensor, einen integrierten Sender/Empfänger, ein mikromechanisches System, eine mikroelektronische Vorrichtung, eine nanoelektronische Vorrichtung, eine elektrische Schaltung, eine digitale Schaltung, eine analoge Schaltung und irgendeine andere elektronische Vorrichtung auf der Basis der Halbleitertechnologie.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die elektronische Schaltung 110c eine komplementäre Metalloxid-Halbleiterschaltung umfassen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die elektronische Schaltung 110c eine elektronische Schaltungsanordnung umfassen, die in der komplementären Metalloxid-Halbleiter-Technologie vorgesehen ist. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die elektronische Schaltung 110c ein Mikroprozessor, ein Mikrocontroller und/oder eine digitale Logikschaltung sein (oder zumindest ein Teil davon sein), die z. B. in der CMOS-Technologie bereitgestellt ist.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die elektronische Schaltung 110c mindestens eine der folgenden Basishalbleitertechnologien umfassen: MOS-Technologie (Metalloxid-Halbleiter-Technologie), nMOS-Technologie (n-Kanal-MOS-Technologie), pMOS-Technolgie (p-Kanal-MOS-Technologie), CMOS-Technologie (komplementäre Metalloxid-Halbleitertechnologie). Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die elektronische Schaltung 110c einen Feldeffekttransistor (FET) (z. B. einen Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET), einen Rippen-Feldeffekttransistor (FinFet) und/oder einen Transistor mit schwebendem Gate umfassen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die elektronische Schaltungsstruktur 110 mindestens eine Metallisierungsschicht 104 umfassen, z. B. um die Verdrahtung für die elektronische Schaltung 110c bereitzustellen und/oder eine elektrische Verbindung zwischen der elektronischen Schaltung 110c und der Elektrode 108e bereitzustellen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die mindestens eine Metallisierungsschicht 104 beispielsweise eine strukturierte dielektrische Schicht z. B. mit einem elektrisch isolierenden Material, z. B. einem Material mit niedrigem κ, und eine Verdrahtung mit einem elektrisch leitfähigen Material, z. B. Aluminium und/oder Kupfer, umfassen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die mindestens eine Metallisierungsschicht unter Verwendung der Aluminiumtechnologie und/oder Kupfertechnologie ausgebildet werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die elektronische Schaltung 110c elektrisch leitfähig mit der mindestens einen Elektrode 108e über eine Metallisierungsstruktur 104 mit mehreren Metallisierungsschichten 104 gekoppelt sein, vgl. 5A bis 5C. Wie in 1D gezeigt, kann die Metallisierungsstruktur 104 ferner mindestens eine Durchkontaktierung 104v (oder mehrere Durchkontaktierungen und/oder Durchgangskontaktlöcher, wie in 5A bis 5C dargestellt) umfassen. Die Metallisierungsstruktur 104 kann ferner mindestens eine Kontaktstelle 104c (z. B. mehrere Kontaktstellen 104c, wie in 5A bis 5C dargestellt) umfassen, die an der Oberfläche der Metallisierungsstruktur 104 der optoelektronischen Struktur 108 zugewandt angeordnet sind.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Metallisierungsstruktur 104 mindestens ein elektrisch leitfähiges Material (z. B. elektrisch leitfähige Abschnitte), z. B. ein Metall (Aluminium, Kupfer, Kobalt, Wolfram, Titan, Tantal, Vanadium), umfassen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Metallisierungsstruktur 104 ferner mindestens ein dielektrisches Material 104i (z. B. dielektrische Abschnitte), z. B. mindestens ein Dielektrikum mit niedrigem κ, z. B. mindestens eines der folgenden Gruppe von dielektrischen Materialien umfassen: Siliziumdioxid, (mit Fluor oder Kohlenstoff) dotiertes Siliziumdioxid, poröses Siliziumdioxid, poröses (mit Fluor oder Kohlenstoff) dotiertes Siliziumdioxid, Polymere, organische Polymerdielektrika, Polyimid, Polynorbornene, Benzocyclobuten, Polytetrafluorethylen und auf Silikon basierende Polymerdielektrika (z. B. Wasserstoffsilsesquioxan oder Methylsilesquioxan).
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Metallisierungsschicht 104 mindestens eine strukturiere dielektrische Schicht 104i, z. B. eine dielektrische Schicht mit niedrigem κ, und elektrische Verbindungen (z. B. Metallleitungen und Durchkontaktierungen) umfassen, die die Funktionalität der darunter liegenden elektrischen Schaltung 110c verwirklichen, wobei die Metallisierungsstruktur 104 ferner die Verdrahtung 104w (z. B. einschließlich Metallleitungen, Durchkontaktierungen 104v und Kontakten 104c) vorsehen kann, um die Elektrode 108e (und daher die optoelektronische Struktur 108) mit der elektronischen Schaltung 110c elektrisch zu verbinden. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die eine oder die mehreren Elektroden 108e (z. B. die Elektrodenstruktur 108e der optoelektronischen Struktur 108) über die elektronische Schaltung 110c gesteuert werden. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die optoelektronische Struktur 108 ferner mehrere Elektroden 108e umfassen, die über die elektronische Schaltung 110c individuell adressiert werden (oder adressierbar sind). Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die elektronische Schaltung 110c die Leistungsversorgung für die optoelektronische Struktur 108 bereitstellen (z. B. Liefern einer Spannung und/oder eines Stroms zur Elektrode 108e oder zu den mehreren Elektroden 108e, die in der optoelektronischen Struktur 108 enthalten sind). Daher kann die optoelektronische Struktur 108 beispielsweise über die elektronische Schaltung 110c gesteuert werden, so dass die elektronische Schaltung 110c die Treiberschaltung für die optoelektronische Struktur 108 sein kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die optoelektronische Struktur 108 dazu ausgelegt sein, eine optoelektronische Vorrichtung zu schaffen, die aus einer Gruppe von optoelektronischen Vorrichtungen ausgewählt ist, die aus Folgenden besteht: einer Lichtemissionsvorrichtung; einer Photovoltaikzelle; und einem optoelektronischen Sensor. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Elektrode 108e eine untere Elektrode (z. B. eine erste Elektrode) für eine Lichtemissionsvorrichtung; eine Photovoltaikzelle; und/oder einen optoelektronischen Sensor sein. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die optoelektronische Struktur 108 mindestens eine Leuchtdiode umfassen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die optoelektronische Struktur 108 mehrere Leuchtdioden umfassen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die optoelektronische Struktur 108 mindestens ein anorganisches Halbleitermaterial umfassen, das als Elektrolumineszenzschicht oder Elektrolumineszenzbereich 108a ausgelegt ist. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen, wie in 1D gezeigt, kann die Elektrode 108e eine erste Elektrode 108e für die mindestens eine Leuchtdiode bereitstellen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die optoelektronische Struktur 108 mehrere einzelne Elektroden 108e umfassen, wobei jede Elektrode 108e der mehreren Elektroden, die in der optoelektronischen Struktur 108 oder in der optoelektronischen Komponente 100 enthalten sind, eine Elektrode 108e für eine jeweilige Leuchtdiode sein kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die optoelektronische Struktur 108 eine LED-Anordnung mit mehreren Leuchtdioden sein, die durch die elektronische Schaltung 110c gesteuert werden. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die mindestens eine Leuchtdiode eine grün emittierende LED, eine rot emittierende LED, eine blau emittierende LED, eine orange emittierende LED, eine gelb emittierende LED, eine violett emittierende LED oder eine LED, die irgendeine andere mögliche Farbe emittiert, sein. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die mindestens eine Leuchtdiode eine Phosphor-umgewandelte LED, z. B. eine Phosphor-umgewandelte blaue LED oder Ultraviolett-LED (UV-LED), sein. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die mindestens eine Leuchtdiode mindestens ein Material der folgenden Gruppe von Materialien umfassen, die das Elektrolumineszenzmaterial bereitstellt: Gallium(III)phosphid (GaP), Aluminiumgalliumindiumphosphid (AlGaInP), Aluminiumgalliumphosphid (AlGaP), Indiumgalliumnitrid (InGaN), Gallium(III)nitrid (GaN), Galliumarsenid (GaAs), Aluminiumgalliumarsenid (AlGaAs).
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die mindestens eine Leuchtdiode eine zusätzliche Elektrode 108b (eine zweite Elektrode 108b) umfassen, wobei die Elektrode 108e eine untere Elektrode 108e sein kann und die zusätzliche Elektrode eine obere Elektrode 108b bereitstellen kann. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die zusätzliche Elektrode 108b für das von der optoelektronischen Struktur 108 emittierte Licht transparent sein (oder die zusätzliche Elektrode kann zumindest teilweise für spezifische Wellenlängen transparent sein, die von der optoelektronischen Struktur 108 emittiert werden), wobei die optoelektronische Struktur 108 eine Elektrolumineszenzschicht 108a umfassen kann, die zwischen der unteren Elektrode 108e und der transparenten zusätzlichen Elektrode 108b angeordnet ist.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine transparente Elektrode 108b ein transparentes elektrisch leitfähiges Oxid (TCO), z. B. mit Zinn dotiertes Indiumoxid (ITO), z. B. mit Aluminium dotiertes Zinkoxid (AZO), z. B. mit Indium dotiertes Cadmiumoxid (ICO), umfassen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die transparente obere Elektrode 108b (z. B. eine TCO-Schicht) unter Verwendung eines chemischen Gasphasenabscheidungsprozesses (CVD-Prozesses) oder eines physikalischen Gasphasenabscheidungsprozesses (PVD-Prozesses), z. B. metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD), metallorganische Molekularstrahlabscheidung (MOMBD), Atomschichtabscheidung, Molekularstrahlepitaxie (MBE), einen Atomschicht-CVD-Prozess (ALCVD), Sprühpyrolyse, Impulslaserabscheidung (PLD), Sputtern, Magnetronsputtern, Gleichstrom-Sputtern, Wechselstrom-Sputtern, ausgebildet (z. B. abgeschieden) werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die optoelektronische Struktur 108 als organische Leuchtdiode ausgelegt sein. In diesem Fall kann die Elektrolumineszenzschicht 108a, die Licht erzeugen kann, ein organisches Material, z. B. ein Polymer oder kleine organische Moleküle, umfassen. Ferner kann die mindestens eine organische Leuchtdiode 108 Funktionsschichten oder einen Funktionsschichtstapel umfassen, z. B. Ladungsträger-Injektionsschichten zur Elektroneninjektion und/oder Lochinjektion, Ladungstransportschichten für den Elektronentransport und/oder Lochtransport, Barrierenschichten, die als Elektronensperrschicht oder Lochsperrschicht ausgelegt sind, und andere Transferschichten, z. B. um die elektronischen Eigenschaften der Schichten und des Materials anzupassen, z. B. um Arbeitsfunktionen und Bandstrukturen zu ändern (vgl. 3A und 3B).
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die organische Leuchtdiode 108 mindestens eine erste Elektrode 108e und eine zweite Elektrode 108b umfassen, wobei die Elektrolumineszenzschicht 108a zwischen der ersten und der zweiten Elektrode angeordnet sein kann. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine der Elektroden, die in der organischen Leuchtdiode 108 enthalten sind, für das emittierte Licht transparent sein, wobei die andere Elektrode der Elektroden so ausgelegt sein kann, dass sie stark reflektierend (ein Spiegel) ist. Daher kann eine erste Elektrode dazu ausgelegt sein, wie hier mit Bezug auf die Elektrode 108e beschrieben, das von der Elektrolumineszenzschicht 108a emittierte Licht zu reflektieren. Eine zweite Elektrode 108b kann beispielsweise ein transparentes elektrisch leitfähiges Oxid (TCO) umfassen, so dass Licht von der Elektrolumineszenzschicht 108a zur Umgebung emittiert werden kann, z. B. durch die Oberfläche 108s der optoelektronischen Struktur 108. In Abhängigkeit von der Anordnung der Spiegelelektrode 108e und der zweiten transparenten Elektrode 108b kann die organische Leuchtdiode eine unten emittierende organische Leuchtdiode oder eine oben emittierende organische Leuchtdiode sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine optoelektronische Komponente 100 mehrere organische Leuchtdioden 108 umfassen, die z. B. in einer regelmäßigen Anordnung angeordnet sind, wobei die Anordnung von organischen Leuchtdioden über die darunter liegende elektronische Schaltung 110c gesteuert werden kann, wie vorstehend beschrieben. Mit anderen Worten, die optoelektronische Komponente 100 kann als organische Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung ausgelegt sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die optoelektronische Komponente 100 mehrere organische Leuchtdioden mit verschiedenen Farben z. B. in Abhängigkeit von der Konfiguration der Elektrolumineszenzschicht 108a, z. B. den verwendeten Polymeren oder Molekülen, umfassen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die optoelektronische Komponente 100 mehrere organische Leuchtdioden mit verschiedenen Farben umfassen, die weißes Licht liefern, z. B. als OLED-Hintergrundlicht für eine Anzeigevorrichtung verwendet. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die mehreren organischen Leuchtdioden im Wesentlichen dieselbe Farbe aufweisen, wobei die optoelektronische Komponente 100 in diesem Fall ferner eine Farbfilterschicht umfassen kann, z. B. um die gewünschten verschiedenen Farben bereitzustellen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Farbfilterschicht mindestens ein phosphoreszierendes oder fluoreszierendes Material umfassen (siehe z. B. 4A bis 4D).
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die elektronische Schaltung 110c und die Elektrode 108e die Basis für einen optoelektronischen Schichtstapel 108k schaffen, der über der Elektrode 108e ausgebildet wird, wobei der optoelektronische Schichtstapel 108k und die Elektrode 108e beispielsweise eine elektronische Lichtemissionsvorrichtung 108 bereitstellen können. In diesem Fall kann die Elektrode 108e als Spiegelschicht und Elektrode für die elektronische Lichtemissionsvorrichtung fungieren. Die Verwendung der Elektrode 108e, die aus einem stromlos abgeschiedenen Metall ausgebildet ist, wie vorstehend beschrieben, kann die Effizienz einer optoelektronischen Lichtemissionskomponente 100 oder einer optoelektronischen Lichtemissionsstruktur 108 verbessern, da die physikalischen Eigenschaften der Elektrode 108e, wie vorstehend beschrieben, für die Verwendung als Spiegelelektrode in einer Lichtemissionsstruktur vorteilhaft sein können.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Bereitstellen einer glatten primären Schicht oder einer glatten Elektrodenschicht 108e (z. B. die Elektrode 108e, wie bereits beschrieben) ferner die genaue Steuerung der Schichtdicken der Funktionsschichten (z. B. des optoelektronischen Schichtstapels 108k) der Lichtemissionsstruktur, die auf der glatten Elektrodenschicht abgeschieden ist, ermöglichen (siehe beispielsweise 3A und 4A). In diesem Fall kann es nicht erforderlich sein, Dickenvariationen der Elektrode zu berücksichtigen, was beispielsweise das Verringern der Schichtdicke einer Funktionsschicht auf der Elektrode 108e ermöglichen kann. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine glatte Elektrodenschicht ferner das Abscheiden von Schichten mit einer größeren Dicke auf der Elektrodenschicht 108e mit einer ausreichend hohen Qualität (Rauheit und Mikrostruktur) ermöglichen. Daher kann die Effizienz einer elektronischen Lichtemissionsvorrichtung (z. B. OLED) verbessert werden, da jede der Funktionsschichten im OLED-Schichtstapel mit der optimalen Dicke ausgebildet werden kann, wie erwünscht. Mit anderen Worten, eine verringerte Oberflächenschichtrauheit der Elektrode 108e kann die erforderliche Schichtdicke von einer oder mehreren Schichten verringern, die auf der Elektrode 108e abgeschieden werden, und/oder kann die Qualität der gezüchteten Schichten erhöhen. Ferner kann die Elektrode 108e chemisch stabil sein aufgrund der verbesserten Kristallqualität, die durch den stromlosen Abscheidungsprozess erreicht wird.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der optoelektronische Schichtstapel 108k, der auf der Elektrode 108e abgeschieden ist, eine oder mehrere zusätzliche Elektrodenschichten umfassen, die z. B. das Reflexionsvermögen und die elektronischen Eigenschaften, z. B. Arbeitsfunktionen, der Lichtemissionsstruktur 108 beeinflussen.
  • Verschiedene Modifikationen und/oder Konfigurationen der optoelektronischen Komponente 100 und Details in Bezug auf die Metallisierungsstruktur 104 und die optoelektronische Struktur 108 werden im Folgenden beschrieben, wobei die Merkmale und/oder Funktionalitäten, die mit Bezug auf 1A bis 1D beschrieben wurden, analog enthalten sein können. Ferner können die Merkmale und/oder Funktionalitäten, die im Folgenden beschrieben werden, in der optoelektronischen Komponente 100 enthalten sein oder können mit der optoelektronischen Komponente 100 kombiniert werden, wie vorher mit Bezug auf 1A bis 1D beschrieben.
  • Wie in 2A dargestellt, kann gemäß verschiedenen Ausführungsformen die Metallisierungsstruktur 104 eine Kontaktstelle 104c (oder mehrere Kontaktstellen ähnlich zur Kontaktstelle 104c, die in 2A gezeigt ist) umfassen. Mehrere Kontaktstellen 104c können auch als Kontaktstellenstruktur 104c bezeichnet werden. Die Metallisierungsstruktur 104 kann Folgendes umfassen: eine dielektrische Schichtstruktur 104i; mindestens eine Kontaktstelle 104c, die mit der dielektrischen Schichtstruktur 104i in physikalischem Kontakt steht (z. B. mechanisch gekoppelt) ist; wobei die mindestens eine Kontaktstelle 104c eine Metallstruktur 204a und eine Auskleidungsstruktur 204b umfasst, wobei die Auskleidungsstruktur 204b zwischen der Metallstruktur 204a der mindestens einen Kontaktstelle 204 und der dielektrischen Schichtstruktur 104i angeordnet sein kann, und wobei eine Oberfläche 104s der mindestens einen Kontaktstelle 104c zumindest teilweise von der Auskleidungsstruktur 204b frei sein kann. Wie bereits beschrieben, kann ferner eine Elektrode 108e (oder mehrere Elektroden 108e) mit einem elektrisch leitfähigen stromlos abgeschiedenen Material zumindest die Oberfläche 104s der mindestens einen Kontaktstelle 104c bedecken, die zumindest teilweise von der Auskleidungsstruktur 204b frei ist. Mehrere Elektroden 104c können auch als Elektrodenstruktur 108e bezeichnet werden. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Elektrodenstruktur 108e der Kontaktstellenstruktur 104c entsprechen. Ferner können gemäß verschiedenen Ausführungsformen die Auskleidungsstruktur 204b und die Elektrodenstruktur 108e eine Diffusionsbarriere für ein Material der Metallstruktur 204a der Kontaktstellenstruktur 104c bilden. Ferner können die Auskleidungsstruktur 204b und die Elektrodenstruktur 108e eine Diffusionsbarriere für Sauerstoff und Wasserstoff bilden, so dass die Metallstruktur 204a der Kontaktstellenstruktur 104c geschützt werden kann. Die Elektrodenstruktur 108e kann eine dichte und glatte Schicht aus Silber und/oder Gold umfassen, die als Diffusionsbarriere dient.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die dielektrische Schichtstruktur 104i ein dielektrisches Material umfassen, wie bereits beschrieben. Die dielektrische Schichtstruktur 104i kann eine strukturierte dielektrische Schicht 104i umfassen; daher kann eine abgeschiedene (z. B. aufgeschleuderte) dielektrische Schicht unter Verwendung eines Strukturierungsprozesses strukturiert werden, wie vorher beschrieben. Die strukturierte dielektrische Schicht, z. B. die dielektrische Schichtstruktur 104i, kann mindestens eines der folgenden Strukturelemente umfassen: eine oder mehrere Aussparungen, eine oder mehrere Leerstellen, ein oder mehrere Durchgangslöcher und dergleichen, um beispielsweise Raum für ein elektrisch leitfähiges Verdrahtungsmaterial zu schaffen, um eine Verdrahtungsstruktur oder eine Verdrahtung bereitzustellen. Mit anderen Worten, eine elektrische Verdrahtung 104w und die dielektrische Schichtstruktur 104i können eine Metallisierungsschicht 104 schaffen, wobei die elektrische Verdrahtung durch die dielektrische Schichtstruktur 104i abgestützt werden kann und/oder die Komponenten der elektrischen Verdrahtung (z. B. eine oder mehrere Metallleitungen, ein oder mehrere Durchkontaktierungen, ein oder mehrere Kontakte oder Kontaktstellen und dergleichen) können voneinander elektrisch isoliert sein, um unerwünschte Kurzschlüsse zu verhindern. Wie üblich, kann ferner die elektrische Verdrahtung der Metallisierungsschicht 104 ein elektrisch leitfähiges Material umfassen, wie vorher beschrieben. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Ausbilden der Metallisierungsschicht 104 eine Kupferätztechnologie und/oder eine Aluminiumätztechnologie umfassen. Ferner kann die Metallisierungsschicht 104 und/oder das Ausbilden der Metallisierungsschicht 104 eine sogenannte Kupfer-Doppeldamaszentechnologie umfassen, wobei die Durchkontaktierungen 104v und die Metallleitungen 104w der Metallisierungsschicht 104 in einem einzigen Prozess ausgebildet werden können. Es muss beachtet werden, dass die Metallisierungsschicht 104 auch in irgendeiner anderen Halbleiter-Metallisierungstechnologie ausgebildet werden kann, die eine Kontaktstelle 104c (oder eine andere Kontaktstruktur) schaffen kann, die mit einer dielektrischen Schicht 104i mechanisch gekoppelt ist.
  • Wie in den Figuren dargestellt, kann die Kontaktstelle 104c teilweise in die dielektrische Schichtstruktur 104i eingebettet sein. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Kontaktstelle 104c auch beispielsweise mehrere verschiedene Bereiche mit verschiedenen Materialien umfassen, z. B. verschiedenen Metallen, Metalllegierungen und dergleichen. Ferner kann ein Schichtstapel verwendet werden, um die Kontaktstelle 104c zu schaffen; der Schichtstapel kann mehrere Schichten mit beispielsweise verschiedenen Materialien umfassen. Selbstverständlich kann die Kontaktstelle 104c elektrisch leitfähig sein und/oder kann ein elektrisch leitfähiges Material umfassen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Kontaktstelle 104c elektrisch leitfähig mit einer Metallleitung 104w oder einer Verdrahtungsstruktur 104w und/oder mit einer Durchkontaktierung 104v, die in der Metallisierungsschicht 104 enthalten ist, verbunden sein. Ferner kann die Kontaktstelle 104c mit einer zusätzlichen Metallisierungsschicht oder mit mehreren zusätzlichen Metallisierungsschichten elektrisch verbunden sein, die unter der Metallisierungsschicht 104 vorgesehen sind, z. B. als Teil einer Mehrebenen-Metallisierung. Daher kann die Kontaktstelle 104c mit einer integrierten Schaltung 110c oder einer integrierten Schaltungsstruktur 110c elektrisch leitfähig verbunden sein, die unter der Metallisierungsschicht 104 vorgesehen ist (siehe z. B. 5A bis 5C).
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Kontaktstelle 104c eine Metallstruktur 204a umfassen; die Metallstruktur kann ein Metall oder mehrere Metalle, eine Metalllegierung oder irgendein anderes elektrisch leitfähiges Material, z. B. dotiertes Silizium, umfassen. Erläuternd kann die Metallstruktur 204a den Kern der Kontaktstelle 104c bereitstellen. Die Metallstruktur 204a kann teilweise von einer Auskleidungsstruktur (einer Auskleidung) 204b umgeben sein, wobei die Auskleidungsstruktur 204b zwischen der Metallstruktur 204a und der dielektrischen Schichtstruktur 104i der Metallisierungsschicht 104 angeordnet sein kann. Wie in 2A dargestellt, kann mindestens eine Oberfläche 104s der Kontaktstelle 104 von der Auskleidungsstruktur 204b frei sein, da die mindestens eine Oberfläche 104s keinen direkten Kontakt mit der dielektrischen Schichtstruktur 104i aufweisen kann. Gemäß diesem kann die Metallstruktur 204a eine Grenzfläche 104s zum Befestigen (oder Züchten oder Abscheiden) der Elektrode 108e über der Kontaktstelle 104c vorsehen. Ferner kann die Metallstruktur 204a eine Grenzfläche 104s zur Verbindung mit einer zusätzlichen Verdrahtung schaffen, z. B. elektrisches Verbinden der Metallisierungsstruktur 104 und/oder der optoelektronischen Struktur 108 und/oder der elektronischen Schaltung 110c mit einer peripheren elektronischen Komponente. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Kontaktstelle 104c innerhalb der dielektrischen Schichtstruktur 104i derart angeordnet sein, dass die mindestens eine Oberfläche 104s der Kontaktstelle 104c mit der oberen Oberfläche 204s der dielektrischen Schichtstruktur 104i im Wesentlichen deckungsgleich sein kann. Alternativ kann die Kontaktstelle 104c von der dielektrischen Schichtstruktur 104i vorstehen oder kann bündig innerhalb der dielektrischen Schichtstruktur 104i montiert (oder vertieft) sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die optoelektronische Struktur 108 oder die Elektrode 108e mit der Auskleidungsstruktur 204b der Kontaktstelle 104c in direktem Kontakt stehen. Da die Elektrode 108e so ausgelegt sein kann, dass sie einen elektrischen Strom leitet, kann die Elektrode 108e natürlich elektrisch leitfähig sein und/oder kann ein elektrisch leitfähiges Material umfassen. Ferner kann die Auskleidungsstruktur 204b ein elektrisch leitfähiges Material umfassen. Daher kann ein direkter Kontakt der Elektrode 108e und der Auskleidungsstruktur 204b eine Grenzfläche schaffen, die eine Diffusion oder einen Austritt des Materials der Metallstruktur 204a der Kontaktstelle 104c aus der Kontaktstelle 104c verringern oder verhindern kann. Erläuternd können die Auskleidungsstruktur 204b und die Elektrode 108e die Metallstruktur 204a der Kontaktstelle 104c (z. B. die Kontaktstelle 104c mit Kupfer und/oder Aluminium) einkapseln, so dass das Material der Metallstruktur 204a der Kontaktstelle 104c nicht aus der Kontaktstelle 104c diffundieren kann. Dies kann die Zuverlässigkeit und die Langzeitstabilität der Metallisierungsstruktur 104 sowie die Stabilität während des Prozesses der optoelektronischen Komponente 100 verbessern.
  • 2A und die folgenden Figuren zeigen jeweils eine Kontaktstelle 104c und eine optoelektronische Komponente 100 mit einer Metallisierungsstruktur 104 in einer schematischen Ansicht und selbstverständlich kann sich die Form der Kontaktstelle 104c, der Metallstruktur 204, der Auskleidungsstruktur 204b, der Elektrode 108e und/oder der dielektrischen Schichtstruktur 104i von der Form unterscheiden, wie in den Figuren gezeigt, wobei die Funktionalität der Metallisierungsstruktur 104, wie hier beschrieben, bewahrt werden kann, solange die Elektrode 108e oder die Elektrodenstruktur 108e in Kontakt mit der Oberfläche 104s der Kontaktstelle 104c angeordnet sein kann, die von Auskleidungsmaterial frei ist oder von der Auskleidungsstruktur 204b frei ist. Wie im Folgenden gezeigt, kann außerdem eine Passivierungsschichtstruktur über der dielektrischen Schichtstruktur 104i angeordnet sein.
  • 2B stellt eine Metallisierungsstruktur 104 in einer Querschnittsansicht oder in einer Seitenansicht gemäß verschiedenen Ausführungsformen analog zur Metallisierungsstruktur 104, wie in 2A gezeigt, dar, wobei eine Passivierungsschichtstruktur 212 (z. B. eine elektrisch isolierende Passivierungsschichtstruktur) über der dielektrischen Schichtstruktur 104i oder über einem Teil der freiliegenden Oberfläche der Metallisierungsstruktur 104 ausgebildet oder angeordnet sein kann. Die Passivierungsschichtstruktur 212 kann die dielektrische Schichtstruktur 104i zumindest teilweise oder z. B. vollständig bedecken. Die Passivierungsschichtstruktur 212 kann strukturiert sein, so dass die Elektrodenstruktur 108e zumindest teilweise freiliegen kann, z. B. so dass die obere Oberfläche 108s der Elektrodenstruktur 108e freiliegen kann, um eine elektrisch leitfähige Verbindung zwischen dem optoelektronischen Schichtstapel 108k und der Kontaktstelle 104c oder zwischen der optoelektronischen Struktur 108 und der elektronischen Schaltung 110c vorzusehen.
  • Gemäß verschiedenem Ausführungsformen können die Kontaktstelle 104c und die Elektrodenstruktur 108e elektrisch leitfähig miteinander gekoppelt sein, wobei die Elektrodenstruktur 108e ein anderes Material als die Kontaktstelle 104c oder als die Metallstruktur 204a der Kontaktstelle 104c umfassen kann. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Elektrodenstruktur 108e daher dazu dienen, einen Schutz für die Kontaktstelle 104c (z. B. einen chemischen Schutz oder einen physikalischen Schutz) und/oder eine Kontaktoberfläche 108s mit einem anderen Material als die obere Oberfläche 104s der Metallstruktur 204a der Kontaktstelle 104c zu schaffen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Oberflächenbereich der Elektrodenstruktur 108e mit der freiliegenden Oberfläche 108s beispielsweise Silber oder Gold umfassen, wobei der Oberflächenbereich der Elektrodenstruktur 108e eine stark reflektierende Elektrode (z. B. mit einem Reflexionsgrad, der größer ist als etwa 90% für Licht mit einer Wellenlänge, die größer ist als etwa 500 nm oder größer als etwa 600 nm ist) schaffen kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die optischen Eigenschaften einer stromlos abgeschiedenen Gold- oder Silberelektrodenstruktur 108e im Vergleich zu einer Aluminiumelektrode oder einer Kupferelektrode verbessert werden, wie beispielsweise in 8 und 9 dargestellt.
  • 3A zeigt eine schematische Ansicht einer optoelektronischen Struktur 108, wobei ein optoelektronischer Schichtstapel 108k über der Elektrode 108e angeordnet sein kann, der die optoelektronische Struktur 108 bildet (z. B. zum Schaffen der Funktionalität der optoelektronischen Vorrichtung 100). Die optoelektronische Struktur 108 mit dem optoelektronischen Schichtstapel 108k und die Elektrode 108e können über der Metallisierungsstruktur 104 jeweils in direktem mechanischen Kontakt miteinander angeordnet sein. Der optoelektronische Schichtstapel 108k kann ein Teil einer optoelektronischen Struktur sein, die eine Lichtemissionsvorrichtung bereitstellt. Daher kann die Elektrode 108e, wie hier beschrieben, die untere Elektrode der Lichtemissionsvorrichtung bereitstellen, die einen ersten Typ von Ladungsträgern bereitstellt, und die Schicht 108b des optoelektronischen Schichtstapels 108k kann eine zweite Elektrode bereitstellen, die einen zweiten Typ von Ladungsträgern bereitstellt. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der optoelektronische Schichtstapel 108k ferner mindestens eine Elektrolumineszenzschicht 108a (oder Rekombinationsschicht 108a) umfassen, wobei der erste Typ von Ladungsträgern, der durch die Elektrode 108e bereitgestellt wird, und der zweite Typ von Ladungsträgern, der durch die obere Elektrode 108b bereitgestellt wird, sich unter der Emission von Licht rekombinieren können. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die Elektrode 108e und der optoelektronische Schichtstapel 108k über einem Träger 102, über einer Metallisierungsstruktur 104 und/oder über einer elektronischen Schaltung 110c, z. B. einer CMOS-Struktur, ausgebildet sein, wie bereits beschrieben.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der erste Typ von Ladungsträgern Löcher sein und der zweite Typ von Ladungsträgern kann Elektronen sein. In diesem Fall kann die Elektrode 108e eine Anode sein und die zweite Elektrode 108b kann eine Kathode sein. Gemäß einer anderen Ausführungsform kann der erste Typ von Ladungsträgern Elektronen sein und der zweite Typ von Ladungsträgern kann Löcher sein. In diesem Fall kann die Elektrode 108e eine Kathode sein und die zweite Elektrode 108b kann eine Anode sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann mindestens eine der Elektroden 108e, 108b, die im optoelektronischen Schichtstapel 108k enthalten sind, für Licht transparent sein, wobei die andere Elektrode der Elektroden 108e, 108b so ausgelegt sein kann, dass sie für Licht stark reflektierend (ein Spiegel) ist. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die erste Elektrode 108e ausgelegt sein, wie hier beschrieben, wobei sie Licht reflektiert, das innerhalb der optoelektronischen Struktur 108 erzeugt wird. Eine zweite Elektrode kann beispielsweise ein elektrisch leitfähiges Oxid (TCO) umfassen, das für Licht im Wesentlichen transparent ist, wie bereits beschrieben.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die optoelektronische Struktur 108 eine oben emittierende Vorrichtung sein. Daher kann die Elektrode 108e die untere Elektrode (Spiegelelektrode) 108e sein und die zweite Elektrode 108b kann die (transparente) obere Elektrode bereitstellen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die zweite Elektrode 108b für das Licht transparent sein, das von der Elektrolumineszenzschicht 108a emittiert wird (oder zumindest teilweise für die spezifischen Wellenlängen transparent sein, die von der Elektrolumineszenzschicht 108a emittiert werden), so dass die optoelektronische Komponente 100 als oben emittierende Leuchtdiode ausgelegt sein kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Elektrolumineszenzschicht 108a eine anorganische Lichtemissionsschicht, z. B. ein Halbleitermaterial mit der gewünschten Bandstruktur zum Emittieren von Licht, während Elektronen und Löcher sich innerhalb der Elektrolumineszenzschicht 108a rekombinieren, umfassen oder sein. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die anorganische Lichtemissionsschicht mindestens ein Material der folgenden Gruppe von Materialien umfassen: Gallium(III)phosphid (GaP), Aluminiumgalliumindiumphosphid (AlGaInP), Aluminiumgalliumphosphid (AlGaP), Indiumgalliumnitrid (InGaN), Gallium(III)nitrid (GaN), Galliumarsenid (GaAs), Aluminiumgalliumarsenid (AlGaAs).
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Elektrolumineszenzschicht 108a eine organische Lichtemissionsschicht umfassen oder sein, z. B. ein organisches Material mit der gewünschten Bandstruktur zum Emittieren von Licht, während sich Elektronen und Löcher innerhalb der Elektrolumineszenzschicht 108a rekombinieren. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Elektrolumineszenzschicht 108a zwischen der ersten Elektrode 108e und der zweiten Elektrode 108b angeordnet sein, wie in 3A gezeigt. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die organische Leuchtdiode 108 als oben emittierende organische Leuchtdiode ausgelegt sein. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Elektrolumineszenzschicht 108a ein Schichtstapel mit mehr als einer Elektrolumineszenzschicht sein. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Elektrolumineszenzschichtstapel mindestens organische Materialien umfassen, die Licht in einer unterschiedlichen Farbe (oder einem unterschiedlichen Wellenlängenbereich) emittieren.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die organische Lichtemissionsschicht 108a mindestens ein Material der folgenden Gruppe von Materialien umfassen: kleine Moleküle (z. B. N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin oder Thieno[3,4-c]pyrrol-4,6-dion (TPD), Nitrilbutadiene-Polymer (NBP), Aluminium-tris(8-hydroxychinolin) (Alq3), Biphen) und/oder Polymere (z. B. Poly(p-phenylen-vinylen) PPV oder PPV-Derivat, Poly[2-methoxy-5-(2’-ethylhexyloxy)-p-phenylenvinylen] (MEH-PPV), Poly(1,4-phenylen) (PPP), substituiertes PPP, Poly(9,9'-dioctlyfluoren)) und ein Derivat und/oder Substitutionen des Materials.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der optoelektronische Schichtstapel 108k, der in 3A gezeigt ist, wahlweise zusätzliche Funktionsschichten umfassen, wie beispielsweise Ladungsträger-Injektionsschichten 318a, 328a, Ladungsträger-Transportschichten 318b, 328b und/oder Ladungsträger-Sperrschichten 318c, 328c (sogenannte Sperrschichten). Diese zusätzlichen Funktionsschichten können die Eigenschaften der OLED-Struktur 108 oder des OLED-Schichtstapels 108k verbessern.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann, falls der OLED-Schichtstapel 108k dazu ausgelegt sein kann, eine oben emittierende OLED zu schaffen, die Elektrode 108e die Anode sein, die Löcher als Ladungsträger bereitstellt, die Ladungsträger-Injektionsschicht 318a kann eine Lochinjektionsschicht 318a sein und die Ladungsträger-Transportschicht 318b kann einen Lochtransportschicht 318b sein, wobei die Ladungsträger-Sperrschicht 318c kann eine Elektronensperrschicht 318c sein kann. Ferner kann die Elektrode 108b die Kathode sein, die Elektronen als Ladungsträger bereitstellt, die Ladungsträger-Injektionsschicht 328a kann eine Elektroneninjektionsschicht 328a sein und die Ladungsträger-Transportschicht 328b kann eine Elektronentransportschicht 328b sein, wobei die Ladungsträger-Sperrschicht 328c eine Lochsperrschicht 328c sein kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die Lochtransportschicht 318b und die Lochinjektionsschicht 318a mindestens ein Material der folgenden Gruppe von Materialien umfassen: NPB, TPD oder Derivate von NBP und TPD. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die Elektronentransportschicht 328b und die Elektroneninjektionsschicht 328a mindestens ein Material der folgenden Gruppe von Material umfassen: FPF-BIm4, PFN-BIm4, Alq3, Oxadiazol-Molekül (2-(4-Biphenyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol (PBD), 2,5-Bis(4-naphthyl)-1,3,4-oxadiazol (BND), PBD in einer Poly(methylmethacrylat)-Matrix (PMMA-Matrix).
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann es eine ungeheure Anzahl von möglichen organischen oder metallorganischen Materialien geben, die als Ladungsträger-Injektionsschichten 318a, 328a, Ladungsträger-Transportschichten 318b, 328b und/oder Ladungsträger-Sperrschichten 318c, 328c verwendet werden können.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der in 3A gezeigte optoelektronische Schichtstapel 108k eine Verkappungsschicht 338 auf dem optoelektronischen Schichtstapel 108k umfassen, z. B. um den Schichtstapel vor Umwelteinflüssen zu schützen. Da der optoelektronische Schichtstapel 108k eine oben emittierende Lichtemissionsvorrichtung sein kann, kann die Verkappungsschicht 338 für das Licht, das von der Elektrolumineszenzschicht 108a emittiert wird, transparent sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die stark reflektierende Metallelektrode 108e die primäre Schicht der OLED-Struktur 108k schaffen, die über der Elektrode 108e ausgebildet ist. Daher kann das Bereitstellen einer Elektrode mit hoher Qualität (z. B. glatt und dicht) die Funktionalität des OLED-Schichtstapels 108k verbessern.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die über der Elektrode 108e ausgebildeten organischen Materialien unter Verwendung eines CVD-Prozesses oder eines PVD-Prozesses oder z. B. Aufschleudern, Drucken und dergleichen aufgebracht werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Träger 102 der optoelektronischen Komponente 100 eine komplementäre Metalloxid-Halbleiter-Struktur (CMOS-Struktur) umfassen, die eine integrierte Schaltung schafft. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die integrierte Schaltung die Steuerung der OLED-Struktur 108k ermöglichen, die über der integrierten Schaltung ausgebildet ist.
  • Da die OLED-Struktur 108 mit dem OLED-Schichtstapel 108k und der unteren Elektrode 108e über einer Metallisierungsstruktur 104 ausgebildet sein kann, kann die Effizienz der OLED-Vorrichtung 100 von der Morphologie der gezüchteten Funktionsschichten des Schichtstapels 108k abhängen. Die Funktionsschichten (318a, 318b, 318c, 108a, 328a, 328b, 328c, 108b, 338) des Schichtstapels 108k können eine zusätzliche metallische Kontaktschicht an der Unterseite des OLED-Schichtstapels (nicht dargestellt), eine Lochtransportschicht (die den elektrischen Transport der Löcher von einer Anode zur Elektrolumineszenzschicht vorsieht), eine Elektrolumineszenzschicht (die Licht aufgrund der Rekombination von Elektronen und Löchern innerhalb der Elektrolumineszenzschicht erzeugt), eine Elektronentransportschicht (die den elektrischen Transport der Elektronen von der Kathode zur Elektrolumineszenzschicht schafft), eine Elektronensperrschicht (die verhindert und/oder hemmt, dass Elektronen die Anode erreichen) und/oder eine Lochsperrschicht (die verhindert und/oder hemmt, dass Löcher die Kathode erreichen), umfassen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die ausgekoppelte Intensität des Lichts, das durch eine OLED auf einer CMOS-Struktur bereitgestellt wird, zum Reflexionsgrad der metallischen Kontaktelektrode 108a an der Unterseite der OLED direkt proportional sein, der Spiegelelektrode 108e. Neben dem hohen Reflexionsgrad kann eine sehr niedrige Oberflächenrauheit (z. B. kleiner als 3 nm RMS) obligatorisch sein, da beispielsweise eine größere Rauheit elektrische Feldfilamente in der Lochtransportschicht (HTL) der OLED ergeben kann und eine anschließende Verschlechterung und/oder einen frühen Ausfall der optoelektronischen Komponente 100 verursachen kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Elektrode 108e mindestens eine der folgenden Schichten oder Schichtstapel umfassen: eine Goldschicht, eine Silberschicht, eine Nickel-Phosphor-Schicht (NiP) und eine Palladiumschicht. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Elektrode 108e ein Teil einer OLED oder eines OLED-Schichtstapels sein. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Elektrode 108e ein Teil einer OLED oder eines OLED-Schichtstapels sein, der auf einer Metallisierungsstruktur 104 einer integrierten Schaltung (CMOS) angeordnet ist. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Elektrode 108e eine stark reflektierende Metallkontaktschicht sein, z. B. für eine organische Leuchtdiode. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Elektrode 108e eine elektrisch leitfähige Elektrode, z. B. für eine organische Leuchtdiode, sein.
  • 3B zeigt einen modifizierten OLED-Schichtstapel 108k mit mindestens einer Anode 108 (Elektrode 108e), einer Lochtransportschicht 318c, die mit dem p-Typ dotiert ist, einer Emissionsschicht (z. B. die Licht emittiert), einer Elektronentransportschicht 328b, die mit dem n-Typ dotiert ist, und einer Kathode 108b. Gemäß einer anderen Ausführungsform kann der OLED-Schichtstapel 108k mindestens eine Kathode 108a (Elektrode 108e), eine Elektronentransportschicht 318b, die mit dem n-Typ dotiert ist, eine Emissionsschicht 108a (die z. B. Licht emittiert), eine Lochtransportschicht 328b, die mit dem p-Typ dotiert ist, und eine Anode 108b umfassen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der OLED-Schichtstapel 108k ferner eine Elektronensperrschicht und eine Lochsperrschicht (z. B. Schicht 318c und Schicht 328c, wie bereits beschrieben) umfassen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Lochtransportschicht vom p-Typ mindestens ein Material der folgenden Gruppe von Materialien umfassen: MTDATA, MeO-TPD, NPB, 2TNATA. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Lochtransportschicht vom p-Typ unter Verwendung mindestens eines Materials der folgenden Gruppe von Materialien dotiert sein: F4TCNQ, WO3, MoO3, und V2O5.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Elektronentransportschicht vom n-Typ mindestens ein Material der folgenden Gruppe von Materialien umfassen: Bphen (Bphen 4, 7-diphenyl-1, 10-phenanthrolin) und BCP (Bathocuproin). Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Elektronentransportschicht vom n-Typ unter Verwendung mindestens eines Materials der folgenden Gruppe von Materialien dotiert sein: Li, Cs und Cs2Co2.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Emissionsschicht 108a mindestens ein Material der folgenden Gruppe von Materialien umfassen:
    IrPPy (Iridium, tris[2-(2-pyridinyl-κN)phenyl-κC]),
    TCTA (Tris(4-carbazoyl-9-ylphenyl)amin), TCTA:IrPPy,
    CBP (4,4'-N,N'-dicarbazol-biphenyl), CBP:IrPPy, TCTA:IrPPy/CBP:IrPPy, und TCTA:IrPPy/TAZ:IrPPy,
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Lochsperrschicht mindestens ein Material der folgenden Gruppe von Materialien umfassen: BCP, TPBi, Pphen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Elektronensperrschicht mindestens ein Material der folgenden Gruppe von Materialien umfassen:
    Spiro-TAD (2,2',7,7'-Tetrakis(diphenylamino)-9,9'-spirobifluoren),
    TAPC (Di-[4-(N,N-ditolyl-amino)-phenyl]cyclohexan).
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Elektrode 108e oder der optoelektronische Schichtstapel 108k unter Verwendung eines Standardschichtungsprozess in der Halbleiterindustrie ausgebildet werden, z. B. eines physikalischen Gasphasenabscheidungsprozesses und/oder eines chemischen Gasphasenabscheidungsprozesses.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann zumindest die Elektrode 108e der optoelektronischen Komponente 100 über eine stromlose Abscheidung oder einen stromlosen Plattierungsprozess ausgebildet werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die RMS-Rauheit der Elektrode 108e drastisch verringert werden im Vergleich zu üblicherweise verwendeten Methoden, z. B. kann die RMS-Rauheit im Bereich von etwa 1 nm bis etwa 3 nm, z. B. kleiner als 3 nm, z. B. kleiner als 2 nm, z. B. im Bereich von etwa 2 nm liegen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Elektrode 108e ferner eine Schicht (z. B. mit Silber und/oder Gold) mit Dicken von kleiner als etwa 100 nm, z. B. im Bereich von etwa 3 nm bis etwa 50 nm, umfassen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Schicht aus einem organischen Halbleiter unter Verwendung mindestens eines der folgenden Prozesse ausgebildet werden: physikalische Gasphasenabscheidung, chemische Gasphasenabscheidung und Aufschleudern aus einer Lösung. Ferner kann die ausgebildete Schicht eines organischen Halbleiters eine polykristalline Morphologie, eine nanokristalline Morphologie oder eine amorphe Morphologie aufweisen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die polykristalline Morphologie und die nanokristalline Morphologie mehrere Kristallite umfassen, wobei die Kristallite der mehreren Kristallite eine im Wesentlichen zufällige Orientierungsverteilung aufweisen können. Mit anderen Worten, die kristallographische Orientierung der Kristallite kann eine zufällige räumliche Verteilung aufweisen.
  • 4A zeigt schematisch eine Querschnittsansicht einer optoelektronischen Komponente 100 mit einer organischen Leuchtdiodenstruktur 408k (wie vorher beschrieben, z. B. mit Bezug auf den optoelektronischen Schichtstapel 108k), die zwischen den Elektroden 108e, 108b angeordnet ist, gemäß verschiedenen Ausführungsformen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die optoelektronische Komponente 100 mindestens eines der Merkmale und der Funktionalitäten, wie vorher mit Bezug auf die optoelektronische Struktur 108, die Metallisierungsstruktur 104, die elektronische Schaltung 110c, den optoelektronischen Schichtstapel 108k und den Träger 102 beschrieben, umfassen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Ausbilden der optoelektronischen Komponente 100 mindestens eines der Merkmale und Funktionalitäten umfassen, wie hier zumindest mit Bezug auf die optoelektronische Struktur 108, die Metallisierungsstruktur 104, die elektronische Schaltung 110c, den optoelektronischen Schichtstapel 108k und den Träger 102 beschrieben. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Leuchtdiodenstruktur 408k zumindest die Elektrolumineszenzschicht 108a und zusätzlich ein oder mehrere Funktionsschichten des optoelektronischen Schichtstapels 108k, wie vorher beschrieben, umfassen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die optoelektronische Komponente 100 ein Teil einer Anzeige oder einer Anzeigevorrichtung, z. B. einer OLED-Anzeige oder einer OLED-Anzeigevorrichtung sein. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die optoelektronische Komponente 100 beispielsweise eine OLED-Struktur 108 umfassen, wie mit Bezug auf 3A und 3B beschrieben.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die optoelektronische Komponente 100 ferner eine Verkappungsschicht 338 und ein Glasgehäuse 408g umfassen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die obere Elektrode 108b, die Verkappungsschicht 338 und das Glasgehäuse 408g Licht durchlassen, z. B. Licht, das von der OLED-Struktur 408k erzeugt wird. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen, wie in 4B dargestellt, kann die optoelektronische Komponente 100 eine Farbfilterschicht mit beispielsweise Bereichen 410a, 410b, 410c, die verschiedene Farben aufweisen oder verschiedene Wellenlängenbereiche des Lichts filtern, das durch die OLED-Struktur 408k erzeugt wird, umfassen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Farbfilterschicht zwischen der Verkappungsschicht 338 und dem Glasgehäuse 408g angeordnet sein. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Elektrode 108 eine Pixelanode sein. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die optoelektronische Komponente 100 mehrere Pixelanoden 108e umfassen.
  • Wie in 4C gezeigt, kann die Elektrode 108e über dem Träger 102 oder über der integrierten Schaltung 110c oder über der Metallisierungsstruktur 104 angeordnet sein. Die Elektroden 108e können beispielsweise seitlich von einem Teil der OLED-Struktur 408k umgeben sein. Da jedoch die Elektrode 108 sehr glatt sein kann, wie bereits beschrieben, kann dies das Ausbilden einer Elektrode 108, wie schematisch in 4D gezeigt, ermöglichen, wobei die Elektrode 108 seitlich mit einer Passivierungsschichtstruktur 212 umgeben sein kann, z. B. der Passivierungsschichtstruktur 212 mit einem dielektrischen Material, z. B. SiN. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die obere Oberfläche 108s der Elektrode 108e auf die obere Oberfläche 212s der Passivierungsschichtstruktur 212 ausgerichtet sein. Dies kann die Bildung von Knicken und Kanten in der OLED-Struktur 408k verhindern, die über der Elektrode 108e abgeschieden ist. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die Oberflächen der Elektrode 108e und der Passivierungsschichtstruktur 212 beispielsweise planarisiert werden, nachdem sie ausgebildet sind.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine optoelektronische Komponente 100 (vgl. 5A) einen Träger 102, eine elektronische Schaltung 110c, eine Metallisierungsstruktur 104 und eine oder mehrere Elektroden (eine Elektrodenstruktur) 108e umfassen, wie vorher beschrieben.
  • 5A zeigt eine optoelektronische Komponente 100 oder einen ersten Teil einer optoelektronischen Komponente 100 in einer schematischen Querschnittsansicht gemäß verschiedenen Ausführungsformen. Die optoelektronische Komponente 100 kann mindestens eine integrierte Schaltungsstruktur 110c umfassen, die über und/oder in einem Träger 102 angeordnet ist (z. B. eine integrierte Schaltung in Siliziumtechnologie, die über einem Siliziumwafer ausgebildet ist). Ferner kann die optoelektronische Komponente 100 eine Metallisierungsstruktur 104 umfassen, die über der integrierten Schaltungsstruktur 110c angeordnet ist, wobei die Metallisierungsstruktur 104 mit der integrierten Schaltungsstruktur 110c elektrisch gekoppelt sein kann. Die optoelektronische Komponente 100 kann eine dielektrische Schichtstruktur 104i umfassen, die die Metallisierungsstruktur 104 vorsieht. Ferner kann die Metallisierungsstruktur 104 mindestens eine Kontaktstelle 104c umfassen, die mit der dielektrischen Schichtstruktur 104i in physikalischem Kontakt steht und mit der integrierten Schaltungsstruktur 110c elektrisch gekoppelt ist; die mindestens eine Kontaktstelle 104c kann eine Metallstruktur 204a und eine Auskleidungsstruktur 204b umfassen, wobei die Auskleidungsstruktur 204b zwischen der Metallstruktur 204a der mindestens einen Kontaktstelle 204 und der dielektrischen Schichtstruktur 104i angeordnet sein kann, und wobei eine Oberfläche der mindestens einen Kontaktstelle 104c zumindest teilweise von der Auskleidungsstruktur 204b frei sein kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die dielektrische Schichtstruktur 104i ein Teil einer Mehrebenen-Metallisierung 104 sein. Alternativ kann eine Metallisierungsstruktur 104 mindestens eine obere Schicht mit einer dielektrischen Schichtstruktur 104i und die Kontaktstelle 104c, die zumindest teilweise in die dielektrische Schichtstruktur 104i eingebettet ist, umfassen, wie vorher beschrieben.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Träger 102 ein Halbleitersubstrat, einen Wafer oder einen anderen Typ von Träger umfassen, wie vorher beschrieben. Die integrierte Schaltungsstruktur 110c kann über und/oder im Träger 102 angeordnet (ausgebildet) sein, z. B. in irgendeiner Halbleitertechnologie. Die integrierte Schaltungsstruktur 110c kann mindestens eine der folgenden Basishalbleiterstrukturen umfassen: eine MOS-Struktur (Metalloxid-Halbleiter-Struktur), eine nMOS-Transistor (n-Kanal-MOS-Struktur), eine pMOS-Struktur (p-Kanal-MOS-Struktur), eine CMOS-Struktur (komplementäre Metalloxid-Halbleiterstruktur). Ferner kann die integrierte Schaltungsstruktur 110c gemäß verschiedenen Ausführungsformen mindestens einer der folgenden Komponenten umfassen oder ein Teil davon sein (oder einen Teil davon bereitstellen): einen Chip, einen Speicherchip, ein Plättchen, einen Mikroprozessor, einen Mikrocontroller, eine Speicherstruktur, einen Ladungsspeicher, einen Direktzugriffsspeicher, einen dynamischen Direktzugriffsspeicher, eine Logikschaltung, einen Sensor, einen Nanosensor, einen integrierten Sender/Empfänger, eine mikromechanische Vorrichtung, eine mikroelektronische Vorrichtung, eine nanoelektronische Vorrichtung, eine elektrische Schaltung, eine digitale Schaltung, eine analoge Schaltung und irgendeine andere elektronische Vorrichtung auf der Basis der Halbleitertechnologie, wie beispielsweise einen Hochfrequenz-Identifikationschip (RFID-Chip) und ein Chipkartenmodul.
  • Ferner kann eine Speicherstruktur (z. B. die Speicherstruktur, die in der integrierten Schaltungsstruktur 110c enthalten ist) mindestens einen der Folgenden umfassen: einen flüchtigen Speicher, einen DRAM (dynamischen Direktzugriffsspeicher) oder einen nichtflüchtigen Speicher, einen PROM (programmierbaren Festwertspeicher), einen EPROM (löschbaren PROM), einen EEPROM (elektrisch löschbaren PROM), einen Flash-Speicher, einen Speicher mit schwebendem Gate, einen Ladungseinfangspeicher, einen MRAM (magnetoresistiven Direktzugriffsspeicher), einen CBRAM (Direktzugriffsspeicher mit leitfähiger Brücke) und einen PCRAM (Phasenänderungs-Direktzugriffsspeicher).
  • Die integrierte Schaltungsstruktur 110c kann mindestens eine elektronische Komponente der folgenden Gruppe von elektronischen Komponenten umfassen: einen Widerstand, einen Kondensator, einen Induktor, einen Transistor (beispielsweise einen Feldeffekttransistor (FET) (z. B. einen Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET), einen Rippen-Feldeffekttransistor (FinFet) oder einen Transistor mit schwebendem Gate), einen Leistungstransistor, einen Bipolartransistor, einen Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT)), eine Teststruktur und irgendeine andere elektronische Komponente auf der Basis der Halbleitertechnologie.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Metallisierungsstruktur 104 eine Einebenen-Metallisierung oder eine Mehrebenen-Metallisierung in irgendeiner Halbleiter-Metallisierungstechnologie umfassen, beispielsweise Technologie auf Kupferätzbasis und/oder Technologie auf Aluminiumätzbasis. Die Metallisierungsstruktur 104 kann mehr als eine (z. B. zwei, drei, vier, fünf, sechs, sieben, acht, neun, zehn, elf, zwölf oder noch mehr als zwölf) Metallisierungsschichten 504a, 504b, 504c umfassen. Eine Metallisierungsschicht 504a, 504b, 504c der Metallisierungsstruktur 104 kann ein dielektrisches Material, z. B. ein Zwischenschicht-Dielektrikum, wie bereits beschrieben, und eine elektrisch leitfähige Verdrahtungsstruktur mit beispielsweise mindestens einer der Folgenden umfassen: einer oder mehreren Metallleitungen 513, einer oder mehreren Durchkontaktierungen 512 und einer oder mehreren Anschlussflächenstrukturen 513 (Anschlusskontaktstellen), um die jeweils benachbarten Metallisierungsschichten elektrisch zu verbinden oder die einen oder mehreren Kontaktstellen 104c elektrisch zu verbinden.
  • Die dielektrische Schichtstruktur 104i kann einen Schichtstapel mit beispielsweise Siliziumoxid, Siliziumnitrid und/oder Siliziumoxynitrid umfassen. Ferner kann die dielektrische Schichtstruktur 104i eine Ätzstoppschicht 504i (oder eine oder mehrere Ätzstoppschichten 504i), die z. B. Siliziumoxid umfassen, umfassen, so dass das Material der dielektrischen Schichtstruktur 104i selektiv zur Ätzstoppschicht 504i geätzt werden kann. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Siliziumnitridschicht 504s zwischen den einzelnen Metallisierungsschichten 504a, 504b, 504c angeordnet sein, wobei die Nitridschicht geöffnet sein kann, um die Metallisierungsschichten 504a, 504b, 504c unter Verwendung von Durchkontaktierungen 512 miteinander elektrisch zu verbinden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die dielektrische Schichtstruktur 104i, die Kontaktstelle 104c, die Metallstruktur 204a und/oder die Auskleidungsstruktur 204b ausgelegt sein, wie vorstehend beschrieben.
  • Wie in 5B dargestellt, kann die optoelektronische Struktur 108 über der Metallisierungsstruktur 104 angeordnet sein, wie vorher mit Bezug auf beispielsweise 5A beschrieben. Die integrierte Schaltungsstruktur 110c kann die Treiberschaltung für die optoelektronische Struktur 108 sein.
  • Wie in 5C dargestellt, kann die optoelektronische Komponente 100 ferner eine Bondverdrahtungsstruktur 555, z. B. einen Bonddraht oder mehrere Bonddrähte, die mit der Elektrodenstruktur 108e oder mit einer Bondkontaktstelle 508 in Kontakt steht, umfassen. Die Bondkontaktstelle 508 kann ein stromlos abgeschiedenes elektrisch leitfähiges Material umfassen und kann beispielsweise in demselben Prozess wie die Elektroden 108e für die optoelektronische Struktur 108 ausgebildet werden. Die Bondverdrahtungsstruktur 555 kann mit der integrierten Schaltungsstruktur 110c über die Bondkontaktstelle 508, die mindestens eine Kontaktstelle 104c und die Metallisierungsstruktur 104 elektrisch leitfähig verbunden sein. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die optoelektronische Komponente 100 mit einer externen Vorrichtung oder einer externen Komponente über die Bondverdrahtungsstruktur 555 elektrisch leitfähig gekoppelt sein. Mit anderen Worten, die optoelektronische Komponente 100 kann ein Teil einer elektronischen Vorrichtung oder einer optoelektronischen Vorrichtung sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Bondkontaktstelle 508 ein Material oder einen Schichtstapel umfassen, der über einen stromlosen Abscheidungsprozess ausgebildet wird, wobei das Material oder der Schichtstapel über der Kontaktstelle 104 ausgebildet sein kann, die Kupfer und/oder Aluminium umfasst. Mit Bezug auf dies kann das Material oder die Bondkontaktstelle 508 oder der Schichtstapel, der die Bondkontaktstelle 508 vorsieht, mit dem Kupfer und/oder Aluminium der Kontaktstelle 104c in direktem Kontakt stehen. Ferner kann das Material oder die Elektrode 108e oder der Schichtstapel, der die Elektrode 108e vorsieht, mit dem Kupfer und/oder Aluminium der Kontaktstelle 104c in direktem Kontakt stehen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die stromlos abgeschiedene Elektrode 108e die Auskleidung 204b (z. B. mit Tantal) und die Metallstruktur 204a (z. B. mit Kupfer) bedecken, um dadurch das Metall der Metallstruktur 204a zu schützen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Metallstruktur 204a alternativ von der dielektrischen Umgebung 104i vorstehen oder kann in die dielektrische Umgebung 104i versenkt sein. Ferner kann die Metallstruktur 204a (z. B. mit Kupfer) und die Auskleidung 204b (z. B. mit Ta, TiW, TaN, Ta) von der dielektrischen Umgebung 104i vorstehen, die durch einen Überätzprozess (z. B. Plasmaätzen) und/oder Nassätzen (z. B. mit einem Ätzmittel auf Fluorbasis, z. B. DHF/BHF) ausgebildet werden kann. Daher kann die schwache Grenzfläche weggelassen werden.
  • Ferner kann ein Umkristallisationsprozess durchgeführt werden, um das Material der Elektrode 108e (z. B. das Silber) umzukristallisieren, was beispielsweise eine Härtung oder eine Glättung der Oberfläche der Elektrode 108e bewirken kann. Der Umkristallisationsprozess kann eine Wärmebehandlung, z. B. bei einer Temperatur von mehr als etwa 350 °C für eine Dauer von etwa einigen Minuten, umfassen. Ferner kann die dielektrische Schichtstruktur 104i SiON und/oder SiN umfassen, so dass die endgültige Passivierung geschlossen werden kann.
  • 6 zeigt ein schematisches Ablaufdiagramm eines Verfahrens 600 zur Herstellung einer optoelektronischen Komponente 100 gemäß verschiedenen Ausführungsformen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine optoelektronische Komponente 100 eine Lichtemissionsvorrichtung umfassen, wie vorstehend beschrieben. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren 600 zur Herstellung einer optoelektronischen Komponente 100 oder einer optoelektronischen Vorrichtung Folgendes umfassen: bei 610 Bereitstellen einer Metallisierungsstruktur 104, die über einem Träger 102 angeordnet ist, wobei die Metallisierungsstruktur 104 mindestens eine Kontaktstelle 104c umfasst; und bei 620 Ausbilden einer optoelektronischen Struktur 108 über der Metallisierungsstruktur 104, wobei die optoelektronische Struktur 108 mindestens eine Elektrodenstruktur 108e umfasst, die mit der mindestens einen Kontaktstelle 104c der Metallisierungsstruktur 104 in direktem Kontakt steht, wobei die Elektrodenstruktur 108e ein stromlos plattiertes elektrisch leitfähiges Material umfasst.
  • Alternativ zeigt 7 ein schematisches Ablaufdiagramm eines Verfahrens 700 zur Herstellung einer optoelektronischen Komponente 100 gemäß verschiedenen Ausführungsformen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine optoelektronische Komponente 100 eine Lichtemissionsvorrichtung umfassen, wie vorstehend beschrieben. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren 600 zur Herstellung einer optoelektronischen Komponente 100 oder einer optoelektronischen Vorrichtung Folgendes umfassen: bei 710 Bereitstellen einer Metallisierungsstruktur 104, die über einem Träger 102 angeordnet ist, wobei die Metallisierungsstruktur 104 mindestens eine Kontaktstelle 104c umfasst; bei 720 Durchführen eines stromlosen Plattierungsprozesses, um eine Elektrodenstruktur 108e über der Metallisierungsstruktur 104 auszubilden, wobei die Elektrodenstruktur 108e elektrisch leitfähig mit der mindestens einen Kontaktstelle 104c verbunden ist; und bei 730 Ausbilden eines optoelektronischen Schichtstapels 108k über der Metallisierungsstruktur 104 und über der Elektrodenstruktur 108e, wobei die Elektrodenstruktur 108e und der optoelektronische Schichtstapel 108k eine Lichtemissionskomponente (z. B. eine LED oder eine OLED) schaffen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Ausbilden der Elektrodenstruktur 108e ferner mindestens einen Prozess der folgenden Gruppe von Prozessen umfassen: einen Schichtungsprozess, einen Strukturierungsprozess, Polieren, eine Wärmebehandlung, einen Ätzprozess, einen Lithographieprozess.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Ausbilden einer optoelektronischen Struktur 108 oder eines optoelektronischen Schichtstapels 108k durchgeführt werden, wie vorstehend beschrieben. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Ausbilden einer optoelektronischen Struktur 108 oder eines optoelektronischen Schichtstapels 108k das Ausbilden einer Lichtemissionsvorrichtung oder einer Lichtemissionsstruktur über der Metallisierungsstruktur 104 oder über der Elektrode 108e umfassen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Ausbilden einer optoelektronischen Struktur das Ausbilden einer LED oder einer OLED umfassen, wie hier beschrieben.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die Verfahren 600 und 700, wie beschrieben, in einer solchen Weise angepasst, modifiziert und/oder erweitert werden, dass eine optoelektronische Komponente 100 und/oder eine optoelektronische Struktur 108 ausgebildet werden können, wie vorher beschrieben.
  • 8 und 9 stellen jeweils den Reflexionsgrad (oder das Reflexionsvermögen oder die Reflexion) von Silber und Gold im Vergleich zum üblicherweise verwendeten Aluminium (oder Palladium oder NiP) in Abhängigkeit von der Wellenlänge des Lichts gemäß verschiedenen Ausführungsformen dar. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Elektrode 108e mit Gold beispielsweise für Lichtemissionsstrukturen 108 verwendet werden, die gelbes, oranges und/oder rotes Licht emittieren, z. B. Licht mit einer Wellenlänge, die größer ist als etwa 600 nm. In diesem Farbbereich des Lichts kann die Goldelektrode 108e mit einer hohen Effizienz arbeiten, z. B. mehr als etwa 90 % des Lichts können reflektiert werden, so dass die Goldelektrode 108e ein Spiegel sein kann. Unter Verwendung einer stromlosen Abscheidung kann die Goldelektrode 108e ferner mit hoher Qualität (z. B. mit Eigenschaften, die die Reflexion von Licht unterstützen, z. B. einer glatten Oberfläche und/oder einer dichten Mikrostruktur), abgeschieden werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Elektrode 108e mit Silber beispielsweise für Lichtemissionsstrukturen 108 verwendet werden, die zyanfarbenes, grünes, gelbes, oranges und/oder rotes Licht emittieren, z. B. Licht mit einer Wellenlänge, die größer ist als etwa 500 nm. In diesem Farbbereich des Lichts kann die Silberelektrode 108e mit einer hohen Effizienz arbeiten, z. B. können mehr als etwa 90 % des Lichts reflektiert werden, so dass die Silberelektrode 108e ein Spiegel sein kann. Unter Verwendung einer stromlosen Abscheidung kann die Silberelektrode 108e ferner mit einer hohen Qualität (z. B. mit Eigenschaften, die die Reflexion von Licht unterstützen, z. B. einer glatten Oberfläche und/oder einer dichten Mikrostruktur), abgeschieden werden.
  • Wie bereits vorstehend beschrieben, kann die Elektrode 108e gemäß verschiedenen Ausführungsformen eine niedrige RMS-Rauheit aufweisen, oder mit anderen Worten, die Oberfläche der Elektrode 108e oder der Elektrodenstruktur 108e kann eine niedrige RMS-Rauheit aufweisen. Ferner kann die Elektrode 108e ein hohes Reflexionsvermögen (einen hohen Reflexionsgrad) schaffen, da die Elektrode 108e Silber und/oder Gold mit einem hohen Reflexionsvermögen für sichtbares Licht und/oder einen Teil des sichtbaren Lichts umfassen kann. Unter Verwendung von Silber oder Gold kann ferner die Dicke der Elektrode im Vergleich zu einer üblicherweise verwendeten Aluminiumelektrode aufgrund des hohen Reflexionsvermögens klein sein. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Elektrode 108e eine Dicke im Bereich von etwa 10 nm bis etwa 50 nm aufweisen, z. B. während sie gleichzeitig eine geringe Oberflächenrauheit im Bereich von etwa 1 nm bis etwa 3 nm oder kleiner als 1 nm aufweist.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann aufgrund der verwendeten Materialien und der stromlosen Abscheidung eine Elektrode 108e für eine optoelektronische Struktur 108 verwirklicht werden, wobei die Elektrode 108e mit einer kleinen Dicke bereitgestellt werden kann. Daher wird eine geeignete Basis für das Züchten eines OLED-Schichtstapels 108k über der Elektrode 108e mit verbesserter Effizienz geschaffen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann Silber in der Anodenposition (Elektrodenposition) einer Metallisierungsstruktur 104 und/oder in einer Bondkontaktstellenposition einer Metallisierungsstruktur 104 abgeschieden werden. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Dicke der Silberanode 108e oder der Silberbondkontaktstelle 508 im Bereich von etwa 10 nm bis etwa 50 nm liegen. In dem Fall kann die Silberanode 108e oder die Silberbondkontaktstelle 508 nicht vom dielektrischen Material 212 umgeben sein, die Stufenhöhe auf der Oberfläche der Metallisierungsstruktur 104 kann gleich der Dicke der Silberanode 108e oder Silberbondkontaktstelle 508 sein. In diesem Fall kann keine Leitweglenkung in dieser Schicht möglich sein. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Systempassivierung über das OLED-Glas (eine Glasabdeckung) 408g bereitgestellt werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Passivierung 212 über der Metallisierungsstruktur 104 angeordnet sein, z. B. mit Siliziumnitrid, und kann in einem Bereich über der Kontaktstelle 104c geöffnet sein, um mindestens eine Oberfläche 104s der Kontaktstelle 104c freizulegen. Ferner kann die Passivierung 212 geöffnet werden, die den Anodenbereich zum Ausbilden der Anode 108e definiert. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die stromlose Abscheidung des Silbers, das die Elektrode 108e bildet, so ausgelegt sein, dass eine Elektrode 108e mit einer Dicke geschaffen wird, die der Dicke der Passivierung 212 entspricht, z. B. im Bereich von etwa 10 nm bis etwa 150 nm, z. B. im Bereich von etwa 20 nm bis etwa 50 nm. In diesem Fall können Aussparungen (Kanten, Knicke, Stufen und dergleichen) auf der Oberfläche der Metallisierungsstruktur 104 verhindert werden; mit anderen Worten, die Elektrodenstruktur 108e über der Metallisierungsstruktur 104 kann eine minimale Stufenhöhe verursachen.
  • Falls eine Passivierung 212 oder eine Passivierungsschicht 212 verwendet werden kann, kann diese Schicht zur Leitweglenkung verwendet werden. Ferner kann eine Passivierung 212 verwendet werden, um die Kontaktstelle gegenüber einer Silberabscheidung zu blockieren.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können alternative stromlose Materialien in Kombination verwendet werden, um ein hohes Reflexionsvermögen über ein breites Band oder innerhalb eines breiten Spektralfensters zu erreichen, beispielsweise Au (NiPAu oder NiPPdAu) anstelle von reinem Ag, oder eine Kombination von Silber mit Au (NiPAu oder NiPPdAu), z. B. für eine OLED-Lichtemission, die größer ist als 600 nm, wie mit Bezug auf 8 und 9 beschrieben.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Elektrode 108 über den stromlosen Abscheidungsprozess auf der freiliegenden Oberfläche 104s der Kontaktstelle 104c wachsen.
  • Obwohl die Erfindung speziell mit Bezug auf spezifische Ausführungsformen gezeigt und beschrieben wurde, sollte für den Fachmann auf dem Gebiet verständlich sein, dass verschiedene Änderungen in der Form und im Detail darin durchgeführt werden können, ohne vom Gedanken und Schutzbereich der Erfindung, wie durch die beigefügten Ansprüche definiert, abzuweichen. Der Schutzbereich der Erfindung ist folglich durch die beigefügten Ansprüche angegeben und alle Änderungen, die in die Bedeutung und den Umfang der Äquivalenz der Ansprüche fallen, sollen daher umfasst sein.

Claims (18)

  1. Optoelektronische Komponente (100), die Folgendes aufweist: eine elektronische Schaltungsstruktur mit einer elektronischen Schaltung und einer Metallisierungsstruktur (104), die über der elektronischen Schaltung angeordnet ist, wobei die Metallisierungsstruktur (104) eine oder mehrere Kontaktstellen (104c) aufweist, die mit der elektronischen Schaltung elektrisch verbunden sind; eine optoelektronische Struktur (108), die über der Metallisierungsstruktur (104) angeordnet ist, wobei die optoelektronische Struktur (108) mindestens eine Elektrodenstruktur aufweist, die mit der einen oder den mehreren Kontaktstellen (104c) in direktem Kontakt steht, wobei die Elektrodenstruktur ein stromlos plattiertes elektrisch leitfähiges Material aufweist.
  2. Optoelektronische Komponente (100) nach Anspruch 1, wobei die elektronische Schaltung eine komplementäre Metalloxid-Halbleiterschaltung aufweist.
  3. Optoelektronische Komponente (100) nach Anspruch 1 oder 2, wobei zumindest ein Teil der elektronischen Schaltung als Treiberschaltung für die optoelektronische Struktur (108) ausgelegt ist.
  4. Optoelektronische Komponente (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die optoelektronische Struktur (108) als optoelektronische Vorrichtung ausgelegt ist, die aus einer Gruppe von optoelektronischen Vorrichtungen ausgewählt ist, wobei die Gruppe aus Folgenden besteht: einer Lichtemissionsvorrichtung; einer Photovoltaikzelle; und einem optoelektronischen Sensor.
  5. Optoelektronische Komponente (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die optoelektronische Struktur (108) mindestens eine Leuchtdiode aufweist; wobei optional die mindestens eine Leuchtdiode mindestens eine organische Leuchtdiode aufweist.
  6. Optoelektronische Komponente (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 5; wobei die eine oder die mehreren Kontaktstellen (104c) der Metallisierungsstruktur (104) Kupfer und/oder Aluminium umfassen.
  7. Optoelektronische Komponente (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 6; wobei die Elektrodenstruktur mindestens ein Material der folgenden Gruppe von Materialien aufweist, wobei die Gruppe aus Folgenden besteht: Silber; Gold; und Kupfer.
  8. Optoelektronische Komponente (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 7; wobei die Metallisierungsstruktur (104) mindestens eine erste Kontaktstelle, die mit einer peripheren elektronischen Komponente elektrisch leitfähig verbunden ist, und mindestens eine zweite Kontaktstelle, die mit der mindestens einen Elektrodenstruktur elektrisch leitfähig verbunden ist, aufweist.
  9. Optoelektronische Komponente (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 8; wobei die Elektrodenstruktur mehrere Elektroden aufweist, wobei jede Elektrode der mehreren Elektroden mit einer entsprechenden Kontaktstelle (104c) der einen oder der mehreren Kontaktstellen (104c) der Metallisierungsstruktur (104) gekoppelt ist.
  10. Optoelektronische Komponente (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 9; wobei die eine oder die mehreren Kontaktstellen (104c) der Metallisierungsstruktur (104) seitlich in ein dielektrisches Material eingebettet sind, wobei zumindest ein Teil einer Oberfläche von jeder der einen oder mehreren Kontaktstellen (104c) vom dielektrischen Material frei ist; wobei optional die Kontaktstellen (104c) der mehreren Kontaktstellen (104c) eine Metallstruktur und eine Auskleidungsstruktur umfassen, wobei die Auskleidungsstruktur zumindest teilweise die Metallstruktur umgibt, um eine Diffusionsbarriere zwischen der Metallstruktur und der dielektrischen Struktur zu schaffen.
  11. Optoelektronische Komponente (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 10, die ferner Folgendes aufweist: eine Passivierungsschichtstruktur, die über der Metallisierungsstruktur (104) angeordnet ist, wobei die Elektrodenstruktur der optoelektronischen Struktur seitlich in die Passivierungsschichtstruktur eingebettet ist.
  12. Optoelektronische Komponente (100), die Folgendes aufweist: eine Metallisierungsstruktur (104), die über einem Träger angeordnet ist, wobei die Metallisierungsstruktur (104) mindestens eine Kontaktstelle (104c) aufweist; eine optoelektronische Struktur (108), die über der Metallisierungsstruktur (104) angeordnet ist, wobei die optoelektronische Struktur (108) mindestens eine Elektrode aufweist, die mit der mindestens einen Kontaktstelle (104c) der Metallisierungsstruktur (104) in direktem Kontakt steht, wobei die Elektrode stromlos plattiertes Gold und/oder stromlos plattiertes Silber aufweist.
  13. Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Komponente (100), wobei das Verfahren Folgendes aufweist: Bereitstellen einer Metallisierungsstruktur (104), die über einem Träger angeordnet ist, wobei die Metallisierungsstruktur (104) mindestens eine Kontaktstelle (104c) aufweist; Ausbilden einer optoelektronischen Struktur (108) über der Metallisierungsstruktur (104), wobei die optoelektronische Struktur (108) mindestens eine Elektrodenstruktur aufweist, die mit der mindestens einen Kontaktstelle (104c) der Metallisierungsstruktur (104) in direktem Kontakt steht, wobei die Elektrodenstruktur ein stromlos plattiertes elektrisch leitfähiges Material aufweist.
  14. Verfahren nach Anspruch 13, wobei das Bereitstellen einer Metallisierungsstruktur (104), die über einem Träger angeordnet ist, das Bereitstellen einer Metallisierungsstruktur (104), die über einer elektronischen Schaltung angeordnet ist, wobei die elektronische Schaltung über und/oder im Träger angeordnet ist, aufweist.
  15. Verfahren nach Anspruch 13 oder 14, wobei das Ausbilden einer optoelektronischen Struktur (108) das Ausbilden einer Lichtemissionsvorrichtung aufweist.
  16. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 15, wobei das Ausbilden einer optoelektronischen Struktur (108) das Ausbilden einer Leuchtdiode aufweist.
  17. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 16, wobei das Ausbilden einer optoelektronischen Struktur (108) das Ausbilden einer organischen Leuchtdiode aufweist.
  18. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 17, wobei die Metallisierungsstruktur (104) in der Kupferätztechnologie und/oder der Aluminiumätztechnologie ausgebildet wird, so dass die mindestens eine Kontaktstelle (104c) der Metallisierungsstruktur (104) Kupfer und/oder Aluminium aufweist.
DE102014117972.2A 2013-12-05 2014-12-05 Optoelektronische Komponente und Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Komponente Active DE102014117972B4 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/097,291 US9627445B2 (en) 2013-12-05 2013-12-05 Optoelectronic component and a method for manufacturing an optoelectronic component
US14/097,291 2013-12-05

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102014117972A1 true DE102014117972A1 (de) 2015-06-11
DE102014117972B4 DE102014117972B4 (de) 2020-12-10

Family

ID=53185469

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102014117972.2A Active DE102014117972B4 (de) 2013-12-05 2014-12-05 Optoelektronische Komponente und Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Komponente

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9627445B2 (de)
CN (1) CN104701344B (de)
DE (1) DE102014117972B4 (de)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2918701A1 (de) * 2014-03-14 2015-09-16 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Verfahren zur Herstellung einer gestapelten organischen lichtemittierenden Diode, gestapelte OLED-Vorrichtung und Herstellungsvorrichtung dafür
DE102016101801B4 (de) * 2016-02-02 2021-01-14 Infineon Technologies Ag Lastanschluss eines leistungshalbleiterbauelements, leistungshalbleitermodul damit und herstellungsverfahren dafür
CN106654057A (zh) * 2016-11-16 2017-05-10 福建师范大学 一种聚合物电致发光器件及其制备方法
CN108428715B (zh) * 2017-02-13 2023-08-04 富士胶片商业创新有限公司 发光部件、发光装置和图像形成装置
US10446681B2 (en) * 2017-07-10 2019-10-15 Micron Technology, Inc. NAND memory arrays, and devices comprising semiconductor channel material and nitrogen
WO2019052978A1 (en) * 2017-09-13 2019-03-21 Merck Patent Gmbh ELECTRODES FOR ELECTRONIC DEVICES COMPRISING AN ORGANIC SEMICONDUCTOR LAYER
US20210193871A1 (en) * 2017-11-01 2021-06-24 The Regents Of The University Of California Reduction in leakage current and increase in efficiency of iii-nitride leds by sidewall passivation using atomic layer deposition
KR102623838B1 (ko) * 2018-08-20 2024-01-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
TWI824213B (zh) * 2020-12-19 2023-12-01 逢甲大學 可撓式透明導電複合膜及其製造方法
US11538919B2 (en) 2021-02-23 2022-12-27 Micron Technology, Inc. Transistors and arrays of elevationally-extending strings of memory cells
EP4184585A1 (de) * 2021-11-23 2023-05-24 Infineon Technologies AG Substratanordnung und herstellungsverfahren für eine mikroanzeige

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5858814A (en) * 1996-07-17 1999-01-12 Lucent Technologies Inc. Hybrid chip and method therefor
US6005262A (en) * 1997-08-20 1999-12-21 Lucent Technologies Inc. Flip-chip bonded VCSEL CMOS circuit with silicon monitor detector
US6583445B1 (en) * 2000-06-16 2003-06-24 Peregrine Semiconductor Corporation Integrated electronic-optoelectronic devices and method of making the same
CN100479220C (zh) * 2002-02-08 2009-04-15 松下电器产业株式会社 有机电子器件及其生产方法
JP4115252B2 (ja) * 2002-11-08 2008-07-09 シャープ株式会社 半導体膜およびその製造方法ならびに半導体装置およびその製造方法
US7286584B2 (en) * 2004-04-30 2007-10-23 Finisar Corporation Carrier bonded 1550 nm VCSEL with InP substrate removal
US7145218B2 (en) * 2004-05-24 2006-12-05 International Business Machines Corporation Thin-film resistor and method of manufacturing the same
TWI279934B (en) * 2005-11-22 2007-04-21 Yaki Ind Co Ltd Method for fabricating metal layer of diode with electroless plating
US20070194450A1 (en) * 2006-02-21 2007-08-23 Tyberg Christy S BEOL compatible FET structure
US7573137B2 (en) * 2006-03-31 2009-08-11 Texas Instruments Incorporated Controlling flip-chip techniques for concurrent ball bonds in semiconductor devices
JP4420032B2 (ja) * 2007-01-31 2010-02-24 ソニー株式会社 薄膜半導体装置の製造方法
US8030648B2 (en) * 2007-02-23 2011-10-04 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic thin film transistor and organic thin film transistor manufacturing process
US8231284B2 (en) * 2007-03-26 2012-07-31 International Business Machines Corporation Ultra-high bandwidth, multiple-channel full-duplex, single-chip CMOS optical transceiver
EP2287939A4 (de) * 2008-05-21 2011-08-10 Pioneer Corp Organisches elektrolumineszenzelement
JP2010056075A (ja) * 2008-07-29 2010-03-11 Sony Corp 発光素子及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置
WO2010046235A1 (en) * 2008-10-21 2010-04-29 Atotech Deutschland Gmbh Method to form solder deposits on substrates
US20100321640A1 (en) * 2009-06-22 2010-12-23 Industrial Technology Research Institute Projection display chip
US9214577B2 (en) * 2012-02-28 2015-12-15 International Business Machines Corporation Reduced light degradation due to low power deposition of buffer layer

Also Published As

Publication number Publication date
US9627445B2 (en) 2017-04-18
CN104701344A (zh) 2015-06-10
US20150162385A1 (en) 2015-06-11
CN104701344B (zh) 2018-05-08
DE102014117972B4 (de) 2020-12-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102014117972B4 (de) Optoelektronische Komponente und Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Komponente
DE102014115562A1 (de) Optoelektronische komponente, verfahren zur herstellung einer optoelektronischen komponente und verfahren zum bearbeiten eines trägers
DE102014113917B4 (de) Kontaktanschlussflächenstruktur, elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung einer Kontaktanschlussflächenstruktur
DE102014106635A1 (de) Elektrode, elektronische Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Vorrichtung
DE102012109460B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdioden-Displays und Leuchtdioden-Display
EP1536471B1 (de) Flache Anzeigetafel
Cao et al. High‐efficiency, solution‐processed white quantum dot light‐emitting diodes with serially stacked red/green/blue units
FR2849958A1 (fr) Dispositif d'affichage electroluminescent organique de type a panneau double et son procede de fabrication
DE102009018603A1 (de) Leuchtvorrichtungen, dieselben enthaltende Pakete und Systeme und Herstellungsverfahren derselben
DE112009000595T5 (de) Elektronische Bauelemente und Verfahren zu deren Herstellung unter Einsatz von auf Lösungstechnologie beruhenden Verfahren
CN106711301A (zh) 发光二极管与其制作方法
DE102011079048A1 (de) Lichtemittierende bauelemente und verfahren zum herstellen eines lichtemittierenden bauelements
WO2021202059A1 (en) Light emitting device with small footprint
CN109148513A (zh) 显示装置及其制造方法
DE102013100291B4 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip
DE102011079063A1 (de) Lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines lichtemittierenden Bauelements
KR100830643B1 (ko) 발광 소자의 제조 방법
US20230165155A1 (en) Inverted wide base double magnetic tunnel junction device
US11018122B1 (en) Area-efficient subpixel apparatus
US8097535B2 (en) Fabrication of self-assembled nanowire-type interconnects on a semiconductor device
KR101917438B1 (ko) 칼라 필터 및 칼라필터를 구비한 유기 발광다이오드 디스플레이
US20220102688A1 (en) Organic light emitting transistor devices with shared substrates
WO2020053226A1 (de) Optoelektronische halbleitervorrichtung mit einem trägerelement und einem elektrischen kontaktelement, optoelektronisches bauelement sowie verfahren zur herstellung der optoelektronischen halbleitervorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final
R082 Change of representative